公开(公告)号：CN1685560A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03822520.4

申请日：2003-08-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 井本努 ,  小田正雄

IPC: H01M14/00 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01M14/005 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种能提高能量变换效率的染料敏化型光电变换装置及其制造方法。在这种结构做成具有含光敏化染料(14)的半导体层(13)、并通过半导体层(13)取出因光射入光敏化染料(14)而产生的电荷载流子的染料敏化型光电变换装置中，利用使电荷载流子移动的通路的能级不同的多个区域(13A～13D)构成半导体层(13)。而且，将多个区域(13A～13D)配置成使所述能级沿所述载流子取出方向分级地及/或连续地降低。

公开(公告)号：CN101752370A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910252948.5

申请日：2009-12-04

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 井本努 ,  小林敏夫

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L29/8605 ,  H01L27/0277 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及晶体管型保护器件和半导体集成电路。一种晶体管型保护器件包括：半导体衬底；第一导电类型的阱，形成于半导体衬底中；第二导电类型的源极区域，形成于阱中；栅电极，在源极区域的一侧经过栅极绝缘膜形成于阱中；第二导电类型的多个漏极区域，被形成为彼此分开，并且分别与栅电极正下方的阱部分分开预定距离；电阻连接部分，以预定电阻连接在多个漏极区域之间。

公开(公告)号：CN101714578A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910178949.X

申请日：2009-09-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 井本努 ,  马渡浩三

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/73 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种晶体管型保护器件、包括该晶体管型保护器件的半导体集成电路以及制造方法，所述晶体管型保护器件包括：半导体基板；阱部，其由形成于半导体基板中的第一导电型半导体形成；源极区，其由形成于阱部中的第二导电型半导体形成；栅极，其隔着位于源极区一侧的栅极绝缘膜形成于阱部上；漏极区，其由形成于离开栅极一侧的阱部中的第二导电型半导体形成；抗击穿区，在距离栅极正下方的阱部的预定距离处，所述抗击穿区由与漏极区相接触的第二导电型半导体形成；通过确定抗击穿区的合金结形状和杂质浓度分布，当在漏极区或抗击穿区中发生结击穿时，在漏极偏压的作用下未被消耗的区域保留在抗击穿区中。本发明在确定保护器件的导通电压方面具有较少的限制。

公开(公告)号：CN101714578B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910178949.X

申请日：2009-09-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 井本努 ,  马渡浩三

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/73 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种晶体管型保护器件、包括该晶体管型保护器件的半导体集成电路以及制造方法，所述晶体管型保护器件包括：半导体基板；阱部，其由形成于半导体基板中的第一导电型半导体形成；源极区，其由形成于阱部中的第二导电型半导体形成；栅极，其隔着位于源极区一侧的栅极绝缘膜形成于阱部上；漏极区，其由形成于离开栅极一侧的阱部中的第二导电型半导体形成；抗击穿区，在距离栅极正下方的阱部的预定距离处，所述抗击穿区由与漏极区相接触的第二导电型半导体形成；通过确定抗击穿区的合金结形状和杂质浓度分布，当在漏极区或抗击穿区中发生结击穿时，在漏极偏压的作用下未被消耗的区域保留在抗击穿区中。本发明在确定保护器件的导通电压方面具有较少的限制。

公开(公告)号：CN101752370B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200910252948.5

申请日：2009-12-04

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 井本努 ,  小林敏夫

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L29/8605 ,  H01L27/0277 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及晶体管型保护器件和半导体集成电路。一种晶体管型保护器件包括：半导体衬底；第一导电类型的阱，形成于半导体衬底中；第二导电类型的源极区域，形成于阱中；栅电极，在源极区域的一侧经过栅极绝缘膜形成于阱中；第二导电类型的多个漏极区域，被形成为彼此分开，并且分别与栅电极正下方的阱部分分开预定距离；电阻连接部分，以预定电阻连接在多个漏极区域之间。