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公开(公告)号：CN114080566A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202080049944.1
申请日：2020-06-05
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F1/82 , G03F7/16 , G03F7/20 , H01L21/687
Abstract: 一种光刻设备包括：用于支撑衬底的夹持表面，其中夹持表面的属性由至少一个夹持表面参数限定，并且其中夹持表面的属性已被选择为表现出低磨损；夹持设备，用于致动夹持表面与衬底之间的夹持操作，其中夹持操作至少部分地由夹持表面与衬底之间的至少一个界面特性限定；以及处理站，能够操作以根据夹持表面参数和限定衬底的第二属性的至少一个衬底表面参数，对衬底的第一属性施加调整，来优化特定夹持操作的至少一个界面特性。
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公开(公告)号：CN117242404A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202280033108.3
申请日：2022-03-31
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·尼基佩洛维 , T·W·范德伍德 , M·A·范德凯克霍夫 , V·Y·巴宁 , C·G·N·H·M·克洛因
IPC: G03F7/20
Abstract: 提供了包括一个或多个注入端口的光刻设备，一个或多个注入端口被配置为将包括碳氢化合物的气体引入到光刻设备中并且被定位为向光刻设备的光学元件提供这种气体。还描述了包括一个或多个碳靶的光刻设备，碳靶被定位为生成碳氢化合物并将这样的碳氢化合物提供给光刻设备的光学元件。还提供了一种清洁光刻设备的光学元件的原位方法以及这样的设备和方法在光刻工艺和设备中的使用。
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公开(公告)号：CN110431485B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201880017997.8
申请日：2018-02-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·A·克鲁格基斯特 , V·Y·巴宁 , J·F·M·贝克斯 , M·贾姆布纳坦 , M·A·纳萨勒维克 , A·尼基佩洛维 , R·J·W·斯塔斯 , D·F·弗勒斯 , W·J·J·韦尔特斯 , S·赖克
Abstract: 一种传感器标记，包括衬底(200)，该衬底具有：第一深紫外(DUV)吸收层(310，320，330)，包括基本上吸收DUV辐射的第一材料；第一保护层(600)，包括第二材料；其中：第一DUV吸收层中具有第一通孔(500)；第一保护层在平面图中位于第一通孔(500)中，并且第一通孔中的第一保护层具有包括多个通孔(700)的图案化区域；并且第二材料比第一材料更优质。
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公开(公告)号：CN104094171B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201380008080.9
申请日：2013-02-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： T·P·M·凯德 , V·Y·巴宁 , K·J·J·M·扎尔 , R·巴迪 , H·辛格
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70725 , G03F7/70708 , G03F7/70733 , H01L21/6875
Abstract: 一种光刻装置具有支撑件(S)，支撑件设置有用于保持物体(W)的突节(BR)。支撑件已经采用光刻制造方法制造，例如MEMS技术，以便于形成其取向或位置为单独电可控的突节。
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公开(公告)号：CN105794055A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480066424.6
申请日：2014-11-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·A·尼基佩洛夫 , V·Y·巴宁 , P·W·H·德加格 , G·C·德维雷斯 , O·W·V·弗雷杰恩斯 , L·A·G·格里敏克 , A·卡特勒尼克 , J·A·G·阿克曼斯 , E·R·洛普斯特拉 , W·J·恩格伦 , P·R·巴特莱杰 , T·J·科南 , W·P·E·M·奥普特鲁特
CPC classification number: H01S3/0903 , H01J1/34 , H05H7/08 , H05H2007/084
Abstract: 一种用于提供电子束的注入器装置。注入器装置包括用于提供电子束团的第一注入器和用于提供电子束团的第二注入器。注入器装置可操作为以电子束包括仅由第一注入器提供的电子束团的第一模式和电子束包括仅由第二注入器提供的电子束团的第二模式操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104094171A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380008080.9
申请日：2013-02-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： T·P·M·凯德 , V·Y·巴宁 , K·J·J·M·扎尔 , R·巴迪 , H·辛格
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70725 , G03F7/70708 , G03F7/70733 , H01L21/6875
Abstract: 一种光刻装置具有支撑件(S)，支撑件设置有用于保持物体(W)的突节(BR)。支撑件已经采用光刻制造方法制造，例如MEMS技术，以便于形成其取向或位置为单独电可控的突节。
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公开(公告)号：CN1627191A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410010444.X
申请日：2004-12-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F7/70858 , G03F7/70916
Abstract: 本发明披露一种光刻装置。该光刻装置包括提供辐射光束的照射系统和支撑图案形成装置的支撑结构。图案形成装置配置成在横截面内给辐射光束赋予图案。该装置还包括支撑基底的基底支座，和投影图案光束到基底上靶区的投影系统。该照射系统包括生成远紫外线辐射的辐射生成系统，和收集远紫外线辐射的辐射收集系统。作为远紫外辐射产品的副产物生成的粒子沿粒子移动方向移动。辐射收集系统布置成收集沿收集方向辐射的远紫外辐射，该收集方向基本不同于粒子的运动方向。
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公开(公告)号：CN113841071B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202080037201.2
申请日：2020-05-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·H·J·穆尔斯 , V·Y·巴宁 , A·尼基佩洛维 , M·A·范德凯克霍夫 , P·雅格霍比
Abstract: 一种反射镜，包括本体和由本体限定的表面。本体包括多个层。当具有第一波长的辐射入射到该表面上时，该多个层被布置成充当具有所述第一波长的辐射的多层布拉格反射器。表面的局部切面相对于多个层的局部切面以非零角度倾斜。
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公开(公告)号：CN113841071A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202080037201.2
申请日：2020-05-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·H·J·穆尔斯 , V·Y·巴宁 , A·尼基佩洛维 , M·A·范德凯克霍夫 , P·雅格霍比
Abstract: 一种反射镜，包括本体和由本体限定的表面。本体包括多个层。当具有第一波长的辐射入射到该表面上时，该多个层被布置成充当具有所述第一波长的辐射的多层布拉格反射器。表面的局部切面相对于多个层的局部切面以非零角度倾斜。
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公开(公告)号：CN110431485A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201880017997.8
申请日：2018-02-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·A·克鲁格基斯特 , V·Y·巴宁 , J·F·M·贝克斯 , M·贾姆布纳坦 , M·A·纳萨勒维克 , A·尼基佩洛维 , R·J·W·斯塔斯 , D·F·弗勒斯 , W·J·J·韦尔特斯 , S·赖克
Abstract: 一种传感器标记，包括衬底(200)，该衬底具有：第一深紫外(DUV)吸收层(310，320，330)，包括基本上吸收DUV辐射的第一材料；第一保护层(600)，包括第二材料；其中：第一DUV吸收层中具有第一通孔(500)；第一保护层在平面图中位于第一通孔(500)中，并且第一通孔中的第一保护层具有包括多个通孔(700)的图案化区域；并且第二材料比第一材料更优质。
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