公开(公告)号：CN110431485A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201880017997.8

申请日：2018-02-15

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： J·A·克鲁格基斯特 ,  V·Y·巴宁 ,  J·F·M·贝克斯 ,  M·贾姆布纳坦 ,  M·A·纳萨勒维克 ,  A·尼基佩洛维 ,  R·J·W·斯塔斯 ,  D·F·弗勒斯 ,  W·J·J·韦尔特斯 ,  S·赖克

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  G01J1/42

Abstract: 一种传感器标记，包括衬底(200)，该衬底具有：第一深紫外(DUV)吸收层(310，320，330)，包括基本上吸收DUV辐射的第一材料；第一保护层(600)，包括第二材料；其中：第一DUV吸收层中具有第一通孔(500)；第一保护层在平面图中位于第一通孔(500)中，并且第一通孔中的第一保护层具有包括多个通孔(700)的图案化区域；并且第二材料比第一材料更优质。

公开(公告)号：CN110431485B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201880017997.8

申请日：2018-02-15

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： J·A·克鲁格基斯特 ,  V·Y·巴宁 ,  J·F·M·贝克斯 ,  M·贾姆布纳坦 ,  M·A·纳萨勒维克 ,  A·尼基佩洛维 ,  R·J·W·斯塔斯 ,  D·F·弗勒斯 ,  W·J·J·韦尔特斯 ,  S·赖克

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  G01J1/42

Abstract: 一种传感器标记，包括衬底(200)，该衬底具有：第一深紫外(DUV)吸收层(310，320，330)，包括基本上吸收DUV辐射的第一材料；第一保护层(600)，包括第二材料；其中：第一DUV吸收层中具有第一通孔(500)；第一保护层在平面图中位于第一通孔(500)中，并且第一通孔中的第一保护层具有包括多个通孔(700)的图案化区域；并且第二材料比第一材料更优质。