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公开(公告)号:CN110431485A
公开(公告)日:2019-11-08
申请号:CN201880017997.8
申请日:2018-02-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: J·A·克鲁格基斯特 , V·Y·巴宁 , J·F·M·贝克斯 , M·贾姆布纳坦 , M·A·纳萨勒维克 , A·尼基佩洛维 , R·J·W·斯塔斯 , D·F·弗勒斯 , W·J·J·韦尔特斯 , S·赖克
Abstract: 一种传感器标记,包括衬底(200),该衬底具有:第一深紫外(DUV)吸收层(310,320,330),包括基本上吸收DUV辐射的第一材料;第一保护层(600),包括第二材料;其中:第一DUV吸收层中具有第一通孔(500);第一保护层在平面图中位于第一通孔(500)中,并且第一通孔中的第一保护层具有包括多个通孔(700)的图案化区域;并且第二材料比第一材料更优质。
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公开(公告)号:CN110431485B
公开(公告)日:2021-06-15
申请号:CN201880017997.8
申请日:2018-02-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: J·A·克鲁格基斯特 , V·Y·巴宁 , J·F·M·贝克斯 , M·贾姆布纳坦 , M·A·纳萨勒维克 , A·尼基佩洛维 , R·J·W·斯塔斯 , D·F·弗勒斯 , W·J·J·韦尔特斯 , S·赖克
Abstract: 一种传感器标记,包括衬底(200),该衬底具有:第一深紫外(DUV)吸收层(310,320,330),包括基本上吸收DUV辐射的第一材料;第一保护层(600),包括第二材料;其中:第一DUV吸收层中具有第一通孔(500);第一保护层在平面图中位于第一通孔(500)中,并且第一通孔中的第一保护层具有包括多个通孔(700)的图案化区域;并且第二材料比第一材料更优质。
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公开(公告)号:CN117242401A
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202280030141.0
申请日:2022-03-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor: R·范德梅伦唐克 , D·J·M·迪雷克斯 , G·纳基伯格鲁 , N·P·瓦特森 , J·A·克鲁格基斯特 , S·匹克尔德 , A·J·范德内特 , J·H·W·雅各布斯 , J·奥德斯 , G·A·H·F·詹森 , J·P·J·范利比奇格 , J·F·M·范桑特沃尔特
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了使用调节液体来调节物体温度的温度调节系统,温度调节系统包括调节导管、回流导管、供应室和排放室,其中温度调节系统被布置为在供应室出口和排放室入口之间提供静态压力差,以产生通过调节导管的流。还描述了对物体进行温度调节的光刻设备和方法。
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