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公开(公告)号：CN117234055A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310691756.4
申请日：2023-06-12
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G04B19/10 , B23P15/00 , C23C14/04 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C16/44 , G04B19/12 , G04B19/04 , G04B1/08 , G04B5/16 , A44C5/00
Abstract: 本发明提供钟表部件、钟表以及钟表部件的制造方法，所述钟表部件能够利用于手表等，具有象征日本刀的刃纹的图案，且能够量产。该钟表部件由形成为部件的形状的金属部件构成，金属部件的表面具有：被颜色与金属部件的材料颜色不同的涂布件包覆的包覆区域；和使金属部件的材料颜色露出的露出区域，在包覆区域与露出区域之间的边界部分处形成有刃纹风格的图案。
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公开(公告)号：CN108471310A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810153681.3
申请日：2018-02-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H03L7/26 , G04F5/14 , G04F5/145 , G02F1/0126
Abstract: 本发明提供量子干涉装置、原子振荡器、电子设备以及移动体。量子干涉装置具有：原子室，其具有封入有碱金属的内部空间；第1光源部，其射出共振光对，所述共振光对彼此向相同方向进行圆偏振，对所述碱金属进行激励；第2光源部，其射出调整光；以及受光部，所述原子室具有：内壁面，其由包含具有极性基团的化合物的材料形成，包围所述内部空间；第1层，其设置在所述内壁面，包含具有与所述极性基团进行脱离反应的官能团的第1化合物衍生的化合物；以及第2层，其设置在所述第1层上，包含作为非极性的烯烃类的高分子化合物的第2化合物衍生的化合物。
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公开(公告)号：CN1292459C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200410063344.3
申请日：2004-07-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 宫川拓也
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F1/136227
Abstract: 本发明提供一种能够省略只去除形成连接孔时所产生的无用绝缘膜的工序，从而能够简化工序的透明电极膜的形成方法。包括在基础材料(51)上形成绝缘膜(42)的绝缘膜形成步骤；在绝缘膜(42)上形成连接孔(54)的连接孔形成步骤；使作为能够溶解在形成连接孔(54)时连接孔(54)内的基础材料(51)上所形成的无用绝缘膜(99)的含有氟的溶剂的，含有透明导电膜(11)的前体物质的液体(97)覆盖无用绝缘膜(99)而涂布在应当形成透明导电膜(11)的部分上的涂布步骤；以及使透明导电膜(11)的前体物质所溶解的无用绝缘膜(99)的成分挥发的韧化步骤。
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公开(公告)号：CN1288720C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN03120581.X
申请日：2003-03-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/31 , G03F7/00
CPC classification number: H01L21/3127 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/0272 , H01L21/0273 , H01L21/288 , H01L21/76838 , H01L27/1292
Abstract: 本发明提供一种可削减制造成本的掩膜形成方法。是一种在被处理部件的表面形成规定图形覆膜的方法，该方法由改善图形材料溶液对被处理部件的密接性的工序(S178)；向设置在被处理部件表面的掩膜中的用于形成布线图形的凹部填充图形材料溶液的工序(S180)；通过处理图形材料溶液，改善应形成的图形覆膜膜质的工序(S186)；去除附着在掩膜上的图形材料溶液的工序(S188)；使图形材料溶液干燥的工序(S190)；和退火处理图形覆膜的工序(S196)而构成。
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公开(公告)号：CN116647235A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310128774.1
申请日：2023-02-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H03L7/26
Abstract: 本发明提供一种对碱金属的电子自旋状态发生弛豫的情况进行抑制的效果较高的原子室及其制造方法、以及具备所述原子室的量子干涉装置。本发明的原子室为，在内部被填充有碱金属的原子室，其包括：基材；第一涂层，其被设置在所述基材的内壁上，并源自第一分子；第二涂层，其被设置在所述第一涂层上，并源自具有与所述第一分子发生消去反应的反应基团以及非极性基团的第二分子；第三涂层，其被设置在所述第二涂层上，并源自非极性的第三分子，所述第三涂层的结晶度为70％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100504548C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610105517.2
申请日：2006-07-07
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1337 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/133734 , C23C14/042 , C23C14/225 , C23C14/568
Abstract: 本发明提供一种取向膜的制造装置，用于制造由在对置的一对基板之间夹持液晶而构成的液晶装置的取向膜，具备：由真空腔构成的成膜室；蒸镀部，其具有蒸镀源，用于在所述成膜室内通过物理蒸镀法将取向膜材料蒸镀到所述基板，形成取向膜；遮蔽板，其形成在所述蒸镀部与所述基板之间，具有用于选择性地蒸镀取向膜材料的狭缝状的开口部分，覆盖所述基板的不形成取向膜的区域；给除材料室，其由经由闸阀与所述成膜室连通的真空腔构成；遮蔽板收容室，其与所述给除材料室连通，并收容所述遮蔽板的备品；和交换装置，其设置在所述给除材料室，并对配置在所述成膜室内的遮蔽板和配置在所述遮蔽板收容室内的备品的遮蔽板进行交换。
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公开(公告)号：CN1265398C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200410042100.7
申请日：2004-05-09
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 宫川拓也
IPC: H01B13/00 , G02F1/1343 , H05K3/10 , G09F9/30
CPC classification number: H01L31/1884 , G02F1/13439 , H01L51/0021 , Y02E10/50
Abstract: 一种透明导电膜的图案形成方法，其特征是，由在基板表面将分散了铂族元素的特定的溶液涂布成规定形状的敏化处理工序、用于使所述铂族元素固定在基板表面的退火处理工序、将所述基板以规定时间浸渍在锡镀覆液中而在实施了所述敏化处理的位置上堆积锡的导电膜的成膜工序、对该锡的导电膜进行氧化处理而获得透明导电膜的氧化工序构成，本发明可以提供电传导性、透光性良好并且电极图案的形成容易的透明电解膜的图案形成方法。
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公开(公告)号：CN1238769C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN02802973.9
申请日：2002-12-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G03F7/36 , H01L21/3205 , H01L21/288 , H01K3/00 , C25D5/02 , H05B33/10
CPC classification number: H01L21/76838 , C25D5/022 , C25D7/12 , H01L21/0272 , H01L21/0274 , H01L21/288 , H01L21/31127 , H01L21/31133
Abstract: 本发明的目的在于提供可以减少制造成本的掩膜形成方法。一种为了采用液状的图案材料形成所需的图案，在被处理部件的表面形成掩膜的方法，具有：在整个被处理部件表面形成掩膜材料层的第1工序、加热掩膜材料层的第2工序、通过在电解液中去除图案形成部分的掩膜材料层进行图案形成的第3工序、对掩膜材料层进行加热处理的第4工序。
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公开(公告)号：CN1577752A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410063344.3
申请日：2004-07-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 宫川拓也
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F1/136227
Abstract: 本发明提供一种能够省略只去除形成连接孔时所产生的无用绝缘膜的工序，从而能够简化工序的透明电极膜的形成方法。包括在基础材料(51)上形成绝缘膜(42)的绝缘膜形成步骤；在绝缘膜(42)上形成连接孔(54)的连接孔形成步骤；使作为能够溶解在形成连接孔(54)时连接孔(54)内的基础材料(51)上所形成的无用绝缘膜(99)的含有氟的溶剂的，含有透明导电膜(11)的前体物质的液体(97)覆盖无用绝缘膜(99)而涂布在应当形成透明导电膜(11)的部分上的涂布步骤；以及使透明导电膜(11)的前体物质所溶解的无用绝缘膜(99)的成分挥发的韧炼步骤。
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公开(公告)号：CN1518060A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410001557.3
申请日：2004-01-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 宫川拓也
IPC: H01L21/00 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768 , C25D3/38
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/1605 , C23C18/1608 , C23C18/1893 , C25D5/02 , H01L21/288 , H01L21/76801 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L21/76879 , H01L21/76885 , H01L23/53228 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/66757 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 一种金属元件的形成方法，其包括：在基底的处理表面上形成种子层的种子层形成步骤和在种子层上形成镀层的镀层形成步骤，其中，在种子层形成步骤中，在处理表面上形成排斥液体材料的抗液部分，用液相法在抗液部分外的区域中形成种子层。
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