Invention Publication
CN1518060A 金属元件、半导体器件、电子器件和电子设备及其制法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 金属元件、半导体器件、电子器件和电子设备及其制法
- Patent Title (English): Metal element, semiconductor device, electronic device and electronic equipment and its manufacturing method
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Application No.: CN200410001557.3Application Date: 2004-01-13
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Publication No.: CN1518060APublication Date: 2004-08-04
- Inventor: 宫川拓也
- Applicant: 精工爱普生株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 精工爱普生株式会社
- Current Assignee: 精工爱普生株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 王新华
- Priority: 2003－007047 2003.01.15 JP
- Main IPC: H01L21/00
- IPC: H01L21/00 ; H01L21/288 ; H01L21/3205 ; H01L21/768 ; C25D3/38
Abstract:
一种金属元件的形成方法，其包括：在基底的处理表面上形成种子层的种子层形成步骤和在种子层上形成镀层的镀层形成步骤，其中，在种子层形成步骤中，在处理表面上形成排斥液体材料的抗液部分，用液相法在抗液部分外的区域中形成种子层。
Public/Granted literature
- CN1305109C 金属元件、半导体器件、电子器件和电子设备及其制法 Public/Granted day:2007-03-14
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IPC分类:
