Invention Grant
- Patent Title: 掩膜形成方法及去除方法、以及由该方法制造的半导体器件、电路、显示体模件、滤色器及发光元件
- Patent Title (English): Mask forming and removing method, and semiconductor device, electric circuit, display module, color filter and emissive device manufactured by the same method
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Application No.: CN02802973.9Application Date: 2002-12-06
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Publication No.: CN1238769CPublication Date: 2006-01-25
- Inventor: 森义明 , 宫川拓也 , 佐藤充 , 足助慎太郎 , 高木宪一
- Applicant: 精工爱普生株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 精工爱普生株式会社
- Current Assignee: 精工爱普生株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 李香兰
- Priority: 373081/01 2001.12.06 JP
- International Application: PCT/JP2002/012838 2002.12.06
- International Announcement: WO2003/048864 JA 2003.06.12
- Date entered country: 2003-05-20
- Main IPC: G03F7/36
- IPC: G03F7/36 ; H01L21/3205 ; H01L21/288 ; H01K3/00 ; C25D5/02 ; H05B33/10
Abstract:
本发明的目的在于提供可以减少制造成本的掩膜形成方法。一种为了采用液状的图案材料形成所需的图案，在被处理部件的表面形成掩膜的方法，具有：在整个被处理部件表面形成掩膜材料层的第1工序、加热掩膜材料层的第2工序、通过在电解液中去除图案形成部分的掩膜材料层进行图案形成的第3工序、对掩膜材料层进行加热处理的第4工序。
Public/Granted literature
- CN1473284A 掩膜形成方法及去除方法、以及由该方法制造的半导体器件、电路、显示体模件、滤色器及发光元件 Public/Granted day:2004-02-04
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IPC分类:
