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公开(公告)号：CN1198317C
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN02101703.4
申请日：2002-01-11
Applicant: 矽统科技股份有限公司
Inventor： 李世达
IPC: H01L21/027 , H01L21/311
Abstract: 一种防止光致抗蚀剂去除液侵蚀的氧化膜的形成方法，通过将含氮元素注入于氧化膜的表层中，使多晶硅上的氧化膜形成具有-O-N成分的表层，在光致抗蚀剂去除过程中，具有抵抗光致抗蚀剂去除液中的氢氧化铵侵蚀的功效。
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公开(公告)号：CN1459836A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN02120608.2
申请日：2002-05-23
Applicant: 矽统科技股份有限公司
IPC: H01L21/321 , H01L21/302 , B24B1/00 , C09K3/14
Abstract: 一种可减少微刮痕的钨金属的化学机械研磨制程。提供一半导体基底，其包含有第一导电层且被介电层所覆盖，介层窗结构是穿越介电层且使第一导电层的表面暴露，以及一钨金属层是形成于介电层上且填满介层窗结构。钨金属的CMP制程的前段研磨是采用标准钨研磨浆，于钨插塞及介电层的研磨表面上进行；钨金属的CMP制程的后段研磨是采用氧化物研磨浆，于钨插塞及介电层的研磨表面上进行。使用氧化物研磨浆可有效减少介电层表面的微刮痕数量。避免组件中产生断路的情形，防止金属内连线之间产生高漏电流的问题，确保半导体组件的电性品质。
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公开(公告)号：CN1448995A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN02108497.1
申请日：2002-04-01
Applicant: 矽统科技股份有限公司
Inventor： 李世达
IPC: H01L21/31 , H01L21/285 , H01L21/469
Abstract: 本发明提供一种在具有金属图案的半导体基底形成堆叠式介电层的方法，包括下列步骤：在上述半导体基底表面形成第一介电层；以及在上述第一介电层上方形成第二介电层，以构成一复合介电层，其中上述第二介电层的介电常数(k)大于上述第一介电层的介电常数(k)，上述第二介电层的硬度大于上述第一介电层的硬度，并且上述第二介电层的厚度小于上述第一介电层的厚度。最好是重复第一介电层、第二介电层的堆叠2－3次。根据本发明的方法，能够避免在介电层中产生出气现象与破裂，并且，当内连导线间的电容必须缩小时，能够符合需求。
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公开(公告)号：CN1431696A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN02101544.9
申请日：2002-01-09
Applicant: 矽统科技股份有限公司
Inventor： 李世达
IPC: H01L21/70 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/316
Abstract: 一种复晶矽/复晶矽电容制造方法，适用于一具有绝缘区及主动区的基底，该基底表面已形成一第一绝缘层，在该第一绝缘层依序形成一第一导体层、一第二绝缘层及一第一导体层；同时蚀刻该第二导体层及该第二绝缘层，形成该电容的上电极板及介电层在该第一导体层；以及蚀刻该第一导体层及该第一绝缘层，形成该电容的下电极板于该绝缘区上及闸极结构于该主动区上。
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公开(公告)号：CN1431689A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN02101703.4
申请日：2002-01-11
Applicant: 矽统科技股份有限公司
Inventor： 李世达
IPC: H01L21/314 , H01L21/324 , H01L21/285 , H01L21/336
Abstract: 一种抗光阻去除液侵蚀的氧化膜形成方法，通过将含氮元素植入于氧化膜的表层中，使多晶硅上的氧化膜形成具有－O－N成分的表层，在光阻去除过程中，具有抵抗光阻去除液中的氢氧化铵侵蚀的功效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1430275A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN02100116.2
申请日：2002-01-04
Applicant: 矽统科技股份有限公司
IPC: H01L23/535 , H01L21/768 , H01L21/283 , H01L21/31 , H01L21/3205
Abstract: 一种覆盖有金属阻障层的内连线结构及其制作方法，包括有至少两个相邻的金属导线之间是隔着一开口；金属阻障层是形成于金属导线的侧壁上；介电层是覆盖金属阻障层与金属导线的曝露区域，且填满开口至一预定高度；接触插塞是贯通介电层而与金属导线的顶部形成电连接。具有通过覆盖层来增加内连线结构与内金属介电层之间的附着性及防止内金属介电层的出气现象的功效。
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公开(公告)号：CN1414622A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN01134239.0
申请日：2001-10-26
Applicant: 矽统科技股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/283 , H01L21/3205 , H01L21/31
Abstract: 一种使用金属硬罩幕的双镶嵌制程，半导体基底包含有一导线结构、介电分隔层、低介电常数的介电层、金属材质的第一硬罩幕以及第二硬罩幕；于第二硬罩幕中形成第一开口；于第一硬罩幕中形成第二开口，第二开口位于第一开口下方，且第二开口的口径小于第一开口的口径；将未被第一硬罩幕覆盖的介电层去除，直至曝露介电分隔层形成一介层洞；将未被第二硬罩幕覆盖的第一硬罩幕去除；将未被第一硬罩幕覆盖的介电层去除，直至到达一预定深度，于介层洞上方形成一渠沟，介层洞与渠沟构成一双镶嵌开口。具有提升导电层的填充双镶嵌开口的能力。缩短RC延迟时间、减少金属内连线之间的干扰频率，不需另外制作抗反射涂层，使制程简化及制作成本降低。
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公开(公告)号：CN1405877A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02107409.7
申请日：2002-03-14
Applicant: 矽统科技股份有限公司
Abstract: 一种在镶嵌制程中形成金属电容器的方法及其产品，是于形成金属薄膜电容器之前，利用铜金属镶嵌制程来制作其下的内连线；通过沉积第一金属层、绝缘层和第二金属层，并先利用蚀刻定义第二金属层、绝缘层和第一金属层以形成电容器和导线后，再针对第二金属层进行第二次蚀刻，以剥除导线上残留的第二金属层；继续利用铜金属镶嵌制程来制作其上的内连线；并提供一种金属电容器的镶嵌结构。具有降低形成内含电容器的积体电路的制造成本、容易控制制程和电容器具有较佳的电气特性的功效。
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公开(公告)号：CN1402326A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02100315.7
申请日：2002-01-07
Applicant: 矽统科技股份有限公司
IPC: H01L21/70 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/28
Abstract: 一种利用镶嵌制程形成金属电容器的方法及其产品，于形成金属薄膜电容器之前，先利用铜金属镶嵌制程来制作其下的内连线，之后沉积一层绝缘层，并于其中形成开口，接着依序沉积顺应性的第一金属层、介电层和第二金属层，再进行化学机械研磨制程，将开口外多余的第一金属层、介电层和第二金属层磨除，直至暴露出其下方的绝缘层为止，即于开口中形成电容器。在完成电容器之后，继续利用铜金属镶嵌制程来制作其上的内连线。具有内含电容器的积体电路的尺寸可以容易地达成缩小化、降低所需的微影蚀刻步骤、降低制造内含电容器的积体电路的制造成本及降低电容器区域和非电容器区域之间的高度落差的功效。
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公开(公告)号：CN1399314A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN01120661.6
申请日：2001-07-23
Applicant: 矽统科技股份有限公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/768 , H01L21/285
Abstract: 一种制备无孔洞的金属间介电层的方法。以高密度电浆化学气相沉积法沉积一氧化层覆盖住半导体基底上的金属导线，且其中氧化层在金属导线的上方形成隆起状；接着对氧化层施以一电浆处理程序，以去除氧化层中的隆起部分。经过电浆处理后的氧化层具有较平顺的表面，因此便可在其上沉积一层阶梯覆盖良好且无孔洞的牺牲介电层。具有可以防止杂质陷在孔洞中影响元件的可靠度，制造成本较低及提升产能的功效。
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