抗光阻去除液侵蚀的氧化膜形成方法

Invention Publication

CN1431689A 抗光阻去除液侵蚀的氧化膜形成方法失效 - 权利终止转让

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Patent Title: 抗光阻去除液侵蚀的氧化膜形成方法
Patent Title (English): Method for forming oxide film to resist corrosion of photo resistive removing liquor
Application No.: CN02101703.4

Application Date: 2002-01-11
Publication No.: CN1431689A

Publication Date: 2003-07-23
Inventor: 李世达
Applicant: 矽统科技股份有限公司
Applicant Address: 台湾省新竹科学园区
Assignee: 矽统科技股份有限公司
Current Assignee: 台湾省新竹科学工业园区
Current Assignee Address: 台湾省新竹科学园区
Agency: 北京三友知识产权代理有限公司
Agent 刘朝华
Main IPC: H01L21/314
IPC: H01L21/314 ; H01L21/324 ; H01L21/285 ; H01L21/336

Abstract:

一种抗光阻去除液侵蚀的氧化膜形成方法，通过将含氮元素植入于氧化膜的表层中，使多晶硅上的氧化膜形成具有－O－N成分的表层，在光阻去除过程中，具有抵抗光阻去除液中的氢氧化铵侵蚀的功效。

Abstract(English):

Implanting the azotic element to the surface layer of the oxide film makes the oxide film on the crystal silicon form the surface layer containing-O-N component. In the procedure of removing photoresistive layers, the said surface layer has the function of resisting the corrosion of ammonium hydroxide in the photoresistive remover.

Public/Granted literature

CN1198317C 防止光致抗蚀剂去除液侵蚀的氧化膜的形成方法 Public/Granted day:2005-04-20

Information query

Chinese Patent Announcement Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314	......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）