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Invention Publication
CN1399314A 制备无孔洞的金属间介电层的方法 无效 - 撤回

制备无孔洞的金属间介电层的方法
Abstract:
一种制备无孔洞的金属间介电层的方法。以高密度电浆化学气相沉积法沉积一氧化层覆盖住半导体基底上的金属导线，且其中氧化层在金属导线的上方形成隆起状；接着对氧化层施以一电浆处理程序，以去除氧化层中的隆起部分。经过电浆处理后的氧化层具有较平顺的表面，因此便可在其上沉积一层阶梯覆盖良好且无孔洞的牺牲介电层。具有可以防止杂质陷在孔洞中影响元件的可靠度，制造成本较低及提升产能的功效。
Abstract(English):

The present of pore-free intermetallic dielectrical layer includes high-density plasma chemical deposition process to deposit one oxide layer to cover metal wires on semiconductor substrate with raised part; and plasma treating process of the oxide layer to eliminate the raised oxide layer part. The oxide layer after plasma treamtent has flat surface, on which one well covering and no-hole sacrificial dielectrical layer can be deposited. The present invention can avoid impurity trapped in the holes to affect the reliability of element and lower manufacture cost.

IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314 ......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/316 .......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
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