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公开(公告)号：CN110993525A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201910331457.3
申请日：2019-04-24
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于基板后清洗的流体控制装置和流体供应设备，该设备包括流体存储容器和用于控制流体存储容器的管路通断的执行部件，以及与执行部件连接的流体控制装置。该装置包括受控于主控模块的第一控制部件和受控于安全控制模块的第二控制部件；第一控制部件与第二控制部件串联至用于控制流体存储容器的管路通断的执行部件；在主控模块工作异常时，安全控制模块控制第二控制部件动作以使执行部件断开流体存储容器的管路。
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公开(公告)号：CN103676880B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310684501.1
申请日：2013-12-13
Applicant: 清华大学
IPC: G05B19/418
CPC classification number: Y02P90/02
Abstract: 本发明提出一种CMP集成控制系统的通讯模块，该CMP集成控制系统包括：主工控机、下位机组和二级工控机，该通讯模块用于实现主工控机与下位机组和二级工控机之间的通讯，其包括：OPC访问子模块和TCP/IP访问子模块，且两个子模块并行工作；主工控机通过OPC访问子模块从下位机组获取多个工艺单元的状态信息和过程参数，并向下位机组发送控制多个工艺单元运行的控制指令、工艺配方及工艺参数，以及通过TCP/IP访问子模块向二级工控机发送控制指令以便二级工控机控制被集成单元执行相应的动作，并接收二级工控机的反馈。本发明实施例的通讯模块具有安全、稳定及可靠的优点，且该通讯模块便于维护，可扩展性好。
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公开(公告)号：CN103231303B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310180314.X
申请日：2013-05-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种化学机械抛光设备。所述化学机械抛光设备包括：用于存放晶圆的晶盒装载装置；用于输送晶圆的晶圆转移装置；第一机械手；化学机械抛光机；用于放置晶圆的晶圆过渡装置；第二机械手；晶圆清洗装置，晶圆清洗装置包括具有第一容纳腔的第一本体、设在第一容纳腔内的第一晶圆支撑组件和设在第一本体上的晶圆清洗组件；晶圆刷洗装置，晶圆刷洗装置包括具有第二容纳腔的第二本体以及设在第二容纳腔内的晶圆刷洗组件和第二晶圆支撑组件；晶圆干燥装置，晶圆干燥装置包括具有第三容纳腔的第三本体以及设在第三容纳腔内的晶圆干燥组件和第三晶圆支撑组件；和第三机械手。根据本发明实施例的化学机械抛光设备具有清洗效果好等优点。
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公开(公告)号：CN109037101B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN201810770023.9
申请日：2018-07-13
Applicant: 清华大学 , 华海清科股份有限公司
Inventor： 许振杰 , 王剑 , 王国栋 , 陈映松 , 王同庆 , 赵德文 , 沈攀 , 郭振宇 , 李昆 , 路新春 , 裴召辉 , 贾弘源 , 郑家旺 , 庞伶伶 , 刘卫国 , 王春龙 , 韩宏飞 , 甄辉 , 时亚秋
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种晶圆加工设备，晶圆加工设备包括：晶圆缓存模块和两个晶圆加工系统，两个晶圆加工系统相对设置且可独立工作，每个晶圆加工系统包括：抛光单元、第一机械手、传输单元、第二机械手和清洗单元，抛光单元和清洗单元相邻设置，清洗单元邻近晶圆缓存模块，第一机械手在晶圆缓存模块和传输单元之间以及传输单元和清洗单元之间运动，传输单元在第一机械手和第二机械手之间传输，第二机械手用于为抛光单元传输晶圆。由此，通过晶圆缓存模块和两个晶圆加工系统配合，两个晶圆加工系统能够独立工作，互不影响，可以提高生产效率，并且，该晶圆加工设备的工艺更灵活，生产出的晶圆适应性更强。
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公开(公告)号：CN106439197B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201610859497.1
申请日：2016-09-27
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明提出一种模块化总线式电磁阀组的互锁装置，模块化总线式电磁阀组包括总线耦合器、电磁阀阀座及集成在电磁阀阀座上的多个电磁阀，互锁装置包括：输入接口，输入接口与总线耦合器相连，以接收总线耦合器传输的电磁阀控制指令；输出接口，输出接口与通过电磁阀阀座与多个电磁阀相连；控制器，控制器用于根据电磁阀控制指令从多个电磁阀中确定目标电磁阀，并控制目标电磁阀进行互锁。本发明能按照实际需求对目标电磁阀个体进行互锁，实现了指定电磁阀的互锁功能，从而能够满足不同的工艺需求。本发明还提出了一种模块化总线式电磁阀组。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109037101A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810770023.9
申请日：2018-07-13
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
Inventor： 许振杰 , 王剑 , 王国栋 , 陈映松 , 王同庆 , 赵德文 , 沈攀 , 郭振宇 , 李昆 , 路新春 , 裴召辉 , 贾弘源 , 郑家旺 , 庞伶伶 , 刘卫国 , 王春龙 , 韩宏飞 , 甄辉 , 时亚秋
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/67023
Abstract: 本发明公开了一种晶圆加工设备，晶圆加工设备包括：晶圆缓存模块和两个晶圆加工系统，两个晶圆加工系统相对设置且可独立工作，每个晶圆加工系统包括：抛光单元、第一机械手、传输单元、第二机械手和清洗单元，抛光单元和清洗单元相邻设置，清洗单元邻近晶圆缓存模块，第一机械手在晶圆缓存模块和传输单元之间以及传输单元和清洗单元之间运动，传输单元在第一机械手和第二机械手之间传输，第二机械手用于为抛光单元传输晶圆。由此，通过晶圆缓存模块和两个晶圆加工系统配合，两个晶圆加工系统能够独立工作，互不影响，可以提高生产效率，并且，该晶圆加工设备的工艺更灵活，生产出的晶圆适应性更强。
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公开(公告)号：CN106737055A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611092859.5
申请日：2016-12-01
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
CPC classification number: B24B37/345 , B24B27/0076
Abstract: 本发明公开了一种化学机械抛光机及用于其的抛光组件，所述抛光组件包括：下支架、上支架、驱动转塔和两个抛光头组件，下支架上设有工作台和抛光盘；上支架架设在下支架上；驱动转塔悬挂在上支架上且驱动转塔的至少一部分相对于下支架可枢转；两个抛光组件分别设在驱动转塔上，以在驱动转塔的枢转下在与工作台位置对应的装卸位置和与抛光盘位置对应的抛光位置之间可移动，其中，当两个抛光头组件中的其中一个位于装卸位置时，另一个位于抛光位置。根据本发明实施例的用于化学机械抛光机的抛光组件，一个抛光头组件进行抛光时，另一个抛光头组件可以执行装卸晶圆，两个抛光头组件可以交替抛光，从而可以持续不间断工作，进而可以提高工作效率。
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公开(公告)号：CN119578094A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411724516.0
申请日：2024-11-28
Applicant: 国网安徽省电力有限公司超高压分公司 , 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种高压直流输电系统动态相量模型开关函数的简化方法，其中，方法包括：建立目标高压直流输电系统的LCC‑HVDC动态相量模型；提取LCC‑HVDC动态相量模型中时域表达形式的开关函数；基于预设的开关函数动态向量简化原则，确定开关函数的目标阶次次数，并根据目标阶次次数建立LCC‑HVDC动态相量模型对应的简化LCC‑HVDC动态向量模型。由此，解决了现有的特高压直流系统动态向量模型利用无穷级数表达开关函数，并没有确切的开关函数的简化解析表达式，难以印证现有技术的物理意义，极大阻碍了动态相量时域法的拓展应用等问题。
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公开(公告)号：CN108709488B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201810270764.0
申请日：2018-03-29
Applicant: 清华大学 , 华海清科股份有限公司
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明公开了一种用于金属膜厚测量的多量程双探头装置，包括：激励源，用于提供振荡源；双探头，双探头具有第一线圈通道和第二线圈通道，且对应包括第一线圈和第二线圈，其中，第二线圈的穿透深度大于第一线圈的穿透深度；采集模块，用于在探头正下方产生磁场，且在探头正下方的被测金属薄膜的表面产生感应磁场时，采集探头的等效阻抗；中央处理模块，用于切换线圈通道，使得第一线圈或第二线圈工作，并且根据等效阻抗得到线圈阻抗的变化值，以根据线圈阻抗的变化值得到被测金属薄膜的厚度。该装置可以通过非接触式测量金属薄膜厚度，不仅可以进行定点式坐标测量，而且可以进行薄膜边缘测量，有效提高探头的分辨率和稳定性。
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公开(公告)号：CN108709488A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810270764.0
申请日：2018-03-29
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明公开了一种用于金属膜厚测量的多量程双探头装置，包括：激励源，用于提供振荡源；双探头，双探头具有第一线圈通道和第二线圈通道，且对应包括第一线圈和第二线圈，其中，第二线圈的穿透深度大于第一线圈的穿透深度；采集模块，用于在探头正下方产生磁场，且在探头正下方的被测金属薄膜的表面产生感应磁场时，采集探头的等效阻抗；中央处理模块，用于切换线圈通道，使得第一线圈或第二线圈工作，并且根据等效阻抗得到线圈阻抗的变化值，以根据线圈阻抗的变化值得到被测金属薄膜的厚度。该装置可以通过非接触式测量金属薄膜厚度，不仅可以进行定点式坐标测量，而且可以进行薄膜边缘测量，有效提高探头的分辨率和稳定性。
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