公开(公告)号：CN116179085A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211568712.4

申请日：2022-12-08

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 王如 ,  何彦刚 ,  牛新环 ,  王辰伟 ,  王帅 ,  刘彬 ,  郑涛 ,  董延伟

IPC: C09G1/02 ,  C11D1/88 ,  C11D3/33 ,  C11D3/04 ,  C11D3/12 ,  C11D3/32 ,  C11D3/28 ,  C11D3/22 ,  C11D3/34 ,  C11D3/60 ,  B08B3/08 ,  C23F11/14 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明为一种硅通孔钽阻挡层碱性化学机械抛光液。该抛光液的组成包括纳米二氧化硅、钽的络合剂、组氨酸、月桂烷基二羟乙基氧化胺、过氧化氢、去离子水；抛光液pH值为8‑10；其中，各组分所占抛光液的质量百分比分比为：3‑6％的纳米二氧化硅、0.01‑1％的组氨酸与月桂烷基二羟乙基氧化胺复配物、0.5‑1％过氧化氢、1‑3％的钽的络合剂；质量比为，组氨酸：月桂烷基二羟乙基氧化胺＝5：1～10：1。本发明可以有效降低晶圆表面张力，消除晶圆的有机沾污，并且绿色环保，简化抛光液的制备工艺。

公开(公告)号：CN110484387A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201910863092.9

申请日：2019-09-12

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 高宝红 ,  曲里京 ,  黄妍妍 ,  张保国 ,  何彦刚

IPC: C11D1/94 ,  C11D3/60 ,  C11D3/30 ,  C11D3/04 ,  B08B3/08 ,  B08B3/02 ,  B08B1/04

Abstract: 本发明为一种碱性集成电路布线抛光后低k介质清洗剂及其清洗方法。所述的清洗剂的组成包括非离子表面活性剂、两性表面活性剂、pH调节剂和去离子水，其中，非离子表面活性剂质量是水的质量的0.3％-2％；两性表面活性剂的质量为去离子水质量的0.1％-1.5％；清洗剂的pH值为9-10。清洗方法中，通过洗刷参数的设置，以及加热烘干、CVD处理步骤的增加，本发明可以对低k介质材料进行保护，改善刷子使用寿命，并能对低k材料结构破坏部分修复，实现k值的恢复。

公开(公告)号：CN103091278A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210308393.3

申请日：2012-08-28

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 潘国峰 ,  刘玉岭 ,  檀柏梅 ,  王娟 ,  何彦刚 ,  张培硕

IPC: G01N21/35

Abstract: 本发明公开了一种大尺寸硅单晶片表面有机物沾污的红外镜反射检测方法。本发明使用傅立叶变换红外光谱仪对300mm大尺寸硅单晶片进行表面检测，将经碱性抛光液处理后的300mm大尺寸硅单晶片作为样品放入镜反射附件样品台，对样品进行红外扫描，得到镜反射红外光谱图，与表面洁净的硅单晶片红外反射图谱进行对比，根据图谱峰出现的位置，在波数为3400cm-1-2800cm-1和1700cm-1-1460cm-1位置处出现强吸收，表明硅单晶片表面含有抛光液残留。本发明方法在整个检测过程中不需要对样品进行任何处理，对样品不会造成任何损坏，是一种先进的无损检测方法。

公开(公告)号：CN101908502A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010231680.X

申请日：2010-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  牛新环 ,  王辰伟 ,  何彦刚

IPC: H01L21/768 ,  B08B1/02 ,  B08B3/08

CPC classification number: B08B3/08 ,  C11D3/0073 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明涉及极大规模集成电路钨插塞表面高精密加工过程中钨插塞CMP后表面洁净方法。利用一种碱性介质的水抛液，该水抛液选用活性剂、螯合剂、阻蚀剂组成。当碱性抛光刚刚完成后，马上加入上述水抛液并采用大流量水抛的方法，可将残留的抛光液冲走，吸附易清洗物质迅速降低表面张力并阻止反应继续进行(物理吸附状态)、形成单分子钝化膜、并可使金属离子形成可溶的螯合物，从而达到洁净、完美的抛光表面。并且该水抛液具有成本低、不污染环境及腐蚀设备的优点。

公开(公告)号：CN101391192B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200810152433.3

申请日：2008-10-22

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 黎钢 ,  刘荣 ,  徐念 ,  杨芳 ,  祁健 ,  何彦刚 ,  张松梅

IPC: B01F17/42

Abstract: 本发明烷基酚聚氧乙烯醚三聚表面活性剂及其制备方法，涉及用作增溶剂、润湿剂、乳化剂和起泡剂的醚类物质表面活性剂，该表面活性剂具有以下结构式：上式中EO为氧乙烯基团(—CH2CH2O—)，其加成摩尔数m为4、7、10、15、20或30；n为8、9、10、12、14或16；制备步骤如下：第一步，2，6-二羟甲基-4-烷基苯酚的合成；第二步，中间体2-[3-(5-烷基水杨基)-5-烷基水杨基]-4-烷基苯酚的合成；第三步，产物烷基酚聚氧乙烯醚三聚表面活性剂的合成；由于在产品制备中采用的催化剂是固体，提高了产品的质量，同时又克服了含有酸性的水蒸汽对设备腐蚀的问题，免除了后续大量的废水处理，降低了产品的生产成本，又有效地克服了环境污染的问题。

公开(公告)号：CN110813891A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911116905.4

申请日：2019-11-15

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 檀柏梅 ,  杨柳 ,  殷达 ,  何彦刚 ,  王如 ,  孙晓琴 ,  张师浩

IPC: B08B3/08 ,  C11D1/02 ,  C11D1/66 ,  C11D3/00 ,  C11D3/04

Abstract: 本发明为一种用于铜CMP后清洗磨料颗粒的清洗液及清洗方法。该清洗液的组成包括活性剂、螯合剂、pH调节剂和去离子水；所述各组成所占清洗液的质量百分比为：活性剂0.01-0.5％，螯合剂0.01-0.05％，余量为去离子水；清洗液的pH值为9-12；所述活性剂为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂，二者质量比为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂＝1：1-3；所述的阴离子表面活性剂具体为ADS；所述的非离子表面活性剂具体为AEO。本发明为实现铜CMP后复合活性剂的刷片机的高效率清洗、低成本清洗奠定了基础。

公开(公告)号：CN104526539B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201410776195.9

申请日：2014-12-16

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 牛新环 ,  何彦刚 ,  王辰伟 ,  潘国峰 ,  刘玉岭

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/005 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明涉及一种陀螺光学元件石英衬底材料CMP抛光表面粗糙度的控制方法，选择两步抛光法进行化学机械抛光，第一步选用抛光液，第二步选用去离子水的水抛液，两步抛光在同一台抛光机上完成；所述第二步的抛光工艺条件为流量300g‑500g/min、温度20‑30℃、抛光压力0‑2psi；抛光液组分，包括磨料粒径15‑60nm、浓度≥40％、硬度≤7Mohs的SiO2 2‑50％，活性剂0.5‑1.0％，螯合剂0.5‑1.0％，pH调节剂0.5‑2％。有益效果：选用两步抛光法，在同一台抛光机上第一步抛光可实现高去除，第二步水抛可实现低粗糙的表面控制要求。减小了材料损伤层，有效提高其表面的光洁度。

公开(公告)号：CN104449398B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201410682284.7

申请日：2014-11-25

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 何彦刚 ,  王辰伟 ,  王如 ,  段波 ,  孙铭斌 ,  檀柏梅 ,  刘玉岭

IPC: H01L21/302

Abstract: 本发明公开了一种适用于钴阻挡层的碱性化学机械抛光液。本发明抛光液包括研磨颗粒、络合剂、氧化剂、表面活性剂、腐蚀抑制剂、抑菌剂和水；络合剂含量为重量百分比0.01～10％；研磨颗粒含量为重量百分比1～40％；所述的氧化剂为过氧化氢，含量为重量百分比0.1～10％；表面活性剂含量为重量百分比0.01～5％；腐蚀抑制剂含量为重量百分比0.1～5％；抑菌剂含量为重量百分比0.001～1％，用水补充含量至100％。此抛光液适用于钴阻挡层的抛光，抛光液呈碱性，解决了钴在含有氧化剂的酸性抛光液中易于溶解的问题，同时提高了钴的抛光速率，降低了表面粗糙度。

公开(公告)号：CN106590530A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611157145.8

申请日：2016-12-15

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 何彦刚 ,  周建伟 ,  王如 ,  高宝红

IPC: C09K3/14 ,  C08J5/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: C09K3/1436 ,  C08J5/00 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种水溶性高分子包覆异型硅溶胶、制备方法及应用，该异型硅溶胶的原料重量百分比组成为：聚多元醇，0.01‑1wt%，分子量在200‑20000之间；水溶性高分子，0.01‑5wt%，分子量在10000‑500000之间；硅溶胶原料，5‑50wt%；余量为去离子水。该异型硅溶胶的物理结构为不规则异型，且由水溶性高分子包覆构成。采用该硅溶胶制成的抛光液，由于水溶性高分子（聚丙烯酰胺、聚丙烯酸钠、聚丙烯酸）的加入可在晶片表面形成保护膜，有效降低抛光过程中晶片表面的微缺陷，从而显著降低晶片表面粗糙度，同时能够保证较高的抛光去除速率。

公开(公告)号：CN101906638A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010231455.6

申请日：2010-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  孙鸣 ,  杨金波 ,  何彦刚

IPC: C23G5/036

Abstract: 本发明涉及一种硅衬底材料抛光后表面清洗方法，其特征是：具体步骤如下，制备清洗液：按重量份数计(份)非离子型表面活性剂0.5-5、FA/OII型螯合剂0.1-5、FA/O II型复合阻蚀剂0.1-5、去离子水余量，搅拌均匀后制备成pH值为6.5-7.6水溶性表面清洗液；使用步骤(1)中得到的清洗液对碱性化学机械抛光后的硅衬底材料在4000Pa以下的低压力、400-5000ml/min的大流量条件下进行抛光清洗，抛光清洗时间至少30秒-3分钟，以使硅衬底材料表面洁净。有益效果：CMP工序中的抛光工艺后立即使用清洗液对硅衬底材料进行低压、大流量清洗，可获得洁净、完美的抛光表面。