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公开(公告)号：CN119709023A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411919270.2
申请日：2024-12-25
Applicant: 河北工业大学创新研究院(石家庄) , 河北工业大学
IPC: C09G1/02 , B81C1/00 , H01L21/306 , C23F3/04
Abstract: 本发明为一种基于TSV的铜/钛/TEOS速率选择性控制的CMP抛光液。该抛光液的组成包括：纳米级二氧化硅、络合剂、抑制剂、表面活性剂、氧化剂和去离子水；所述碱性抛光液的pH值为8.0；该抛光液通过采用2,2’‑[[((甲基‑1H‑苯并三唑‑1‑基)甲基]亚氨基]双乙醇(TT‑LYK)，辛基异羟肟酸(OHA)为抑制剂二者单独作用或复配，在与络合剂的协同配合作用下，从而使抛光液具有较高的抛光速率和较好的表面质量的性能，同时可控制铜/钛/TEOS之间速率选择性控制，并且改善了抛光后的碟形凹陷和介质层侵蚀。本发明得到的抛光液的制备过程简单，易于大规模生产，符合工业应用的实际需求。
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公开(公告)号：CN119639353A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411919268.5
申请日：2024-12-25
Applicant: 河北工业大学创新研究院(石家庄) , 河北工业大学
IPC: C09G1/02 , H01L21/768 , B81C1/00 , C23F3/04
Abstract: 本发明为一种用于TSV钛阻挡层的碱性抛光液及其制备方法。该抛光液组成包括如下，硅溶胶：2‑20wt％、络合剂：0.2‑2wt％、氧化剂：0.2‑1.2wt％、抑制剂：0.01‑0.1wt％、表面活性剂：0.01‑0.1wt％、去离子水：余量；碱性抛光液的pH值范围为8.0‑10.0；络合剂采用了有机膦酸类，抑制剂为肟酸类。本发明的抛光液在铜、钛、TEOS抛光速率、选择性和表面质量上均表现出显著的优势。此外，本发明的制备方法简单，适合规模化工业生产的需要，具有重要的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN116179085A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211568712.4
申请日：2022-12-08
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02 , C11D1/88 , C11D3/33 , C11D3/04 , C11D3/12 , C11D3/32 , C11D3/28 , C11D3/22 , C11D3/34 , C11D3/60 , B08B3/08 , C23F11/14 , H01L21/306
Abstract: 本发明为一种硅通孔钽阻挡层碱性化学机械抛光液。该抛光液的组成包括纳米二氧化硅、钽的络合剂、组氨酸、月桂烷基二羟乙基氧化胺、过氧化氢、去离子水；抛光液pH值为8‑10；其中，各组分所占抛光液的质量百分比分比为：3‑6％的纳米二氧化硅、0.01‑1％的组氨酸与月桂烷基二羟乙基氧化胺复配物、0.5‑1％过氧化氢、1‑3％的钽的络合剂；质量比为，组氨酸：月桂烷基二羟乙基氧化胺＝5：1～10：1。本发明可以有效降低晶圆表面张力，消除晶圆的有机沾污，并且绿色环保，简化抛光液的制备工艺。
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公开(公告)号：CN110951400A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911128926.8
申请日：2019-11-18
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明属于抛光液领域，具体涉及一种用于降低多层钴互连阻挡层CMP中表面缺陷的抛光液及其制备方法。抛光液包括下述组分：硅溶胶1-10％，络合剂0.1-10％；复配型表面活性剂0.01-1％，抑制剂0.01-1％，氧化剂0.01-1％，去离子水和pH调节剂补足余量。本发明的创新之处在于本发明通过不同类型表面活性剂的复配使用，减少抛光液中的大颗粒聚集，从而降低了Co互连阻挡层抛光后表面的划伤缺陷。
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公开(公告)号：CN110484386A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910863085.9
申请日：2019-09-12
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种集成电路低k介质抛光后清洗剂及其清洗方法。所述的清洗剂的组成包括非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、pH调节剂和去离子水，其中，非离子表面活性剂质量是去离子水的质量的0.3％-2％；阴离子表面活性剂的质量为去离子水质量的0.1％-1.5％；清洗剂的pH值为9-10。清洗方法中，通过洗刷参数的设置，以及加热烘干、CVD处理步骤的增加，本发明可以对低k介质材料进行保护，改善刷子使用寿命，并能对低k材料结构破坏部分修复，实现k值的恢复。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106244028B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201610577468.6
申请日：2016-07-19
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明属于化学机械抛光领域，具体涉及一种碱性抛光液在抑制铜钽阻挡层电偶腐蚀的应用，所述的碱性抛光液以多羟基多氨基化合物作为螯合剂以及pH调节剂；所述的多羟基多氨基化合物在所述的碱性抛光液中的质量百分比为0.1％‑2％，所述的碱性抛光液的pH值为9‑10.5；所述的多羟基多氨基化合物为羟乙基乙二胺、四羟乙基乙二胺、三乙醇胺的一种或者几种进行混合。本发明采用在碱性抛光液中添加特殊的含有羟基及氨基的化合物作为螯合剂，该螯合剂使铜在抛光液中的电位降低，并在钽表面形成一层钝化层，使钽在抛光液中的电位较小程度的降低，从而达到降低两者之间电位差的目的，同时腐蚀电流降低，腐蚀速率得到控制。
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公开(公告)号：CN101908502A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010231680.X
申请日：2010-07-21
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/768 , B08B1/02 , B08B3/08
CPC classification number: B08B3/08 , C11D3/0073 , C11D11/0047 , H01L21/02074
Abstract: 本发明涉及极大规模集成电路钨插塞表面高精密加工过程中钨插塞CMP后表面洁净方法。利用一种碱性介质的水抛液，该水抛液选用活性剂、螯合剂、阻蚀剂组成。当碱性抛光刚刚完成后，马上加入上述水抛液并采用大流量水抛的方法，可将残留的抛光液冲走，吸附易清洗物质迅速降低表面张力并阻止反应继续进行(物理吸附状态)、形成单分子钝化膜、并可使金属离子形成可溶的螯合物，从而达到洁净、完美的抛光表面。并且该水抛液具有成本低、不污染环境及腐蚀设备的优点。
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公开(公告)号：CN111020592A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911127856.4
申请日：2019-11-18
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明属于抛光液领域，具体涉及一种用于提高集成电路钌互连线抛光去除速率的抛光液及其制备方法；抛光液包括下述组分：硅溶胶1-10％，氧化剂0.1-5％，活化剂0.1-10％，抑制剂0.001-0.5％，去离子水、pH调节剂，补足余量。本发明中通过氧化剂和活化剂复配来形成自活化氧化作用，使抛光速率显著加快，通过氧化剂的氧化作用将钌氧化成游离的钌氧化物，钌氧化物会将活化剂进行催化活化产生一种氧化性更强的中间产物，此中间产物会继续将钌进行氧化，形成类似正反馈的系统，从而使化学反应加剧，材料去除速率加快。
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公开(公告)号：CN110484380A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910863465.2
申请日：2019-09-12
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种碱性抛光后低k介质清洗剂及其清洗方法。所述的清洗剂其组成包括非离子表面活性剂、pH调节剂和去离子水，其中，非离子表面活性剂质量是去离子水的质量的1％-4％；清洗剂的pH值为9-10。所述的非离子表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚非离子活性剂O-20、AEO-9或AEO-15，pH调节剂为氨水或四乙基氢氧化铵。清洗方法中，通过洗刷参数的设置，以及加热烘干、CVD处理步骤的增加，本发明可以对低k介质材料进行保护，改善刷子使用寿命，并能对低k材料结构破坏部分修复，实现k值的恢复。
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公开(公告)号：CN106118491B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610541674.1
申请日：2016-07-11
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种用于铜布线阻挡层钴的碱性抛光液及其制备方法，所述抛光液由下述组分组成，按重量百分比计所述碱性抛光液的pH值为7.5—10.5；通过将非离子界表面活性剂、多羟多胺螯合剂和硅溶胶依次于去离子水中逐级混合方式获得；所述碱性抛光液，对设备无腐蚀，稳定性好易清洗，弱碱性环境下易生成可溶性的化合物，从而易脱离表面，有效减低环境污染。
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