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公开(公告)号：CN110484386A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910863085.9
申请日：2019-09-12
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种集成电路低k介质抛光后清洗剂及其清洗方法。所述的清洗剂的组成包括非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、pH调节剂和去离子水，其中，非离子表面活性剂质量是去离子水的质量的0.3％-2％；阴离子表面活性剂的质量为去离子水质量的0.1％-1.5％；清洗剂的pH值为9-10。清洗方法中，通过洗刷参数的设置，以及加热烘干、CVD处理步骤的增加，本发明可以对低k介质材料进行保护，改善刷子使用寿命，并能对低k材料结构破坏部分修复，实现k值的恢复。
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