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公开(公告)号：CN119639353A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411919268.5
申请日：2024-12-25
Applicant: 河北工业大学创新研究院(石家庄) , 河北工业大学
IPC: C09G1/02 , H01L21/768 , B81C1/00 , C23F3/04
Abstract: 本发明为一种用于TSV钛阻挡层的碱性抛光液及其制备方法。该抛光液组成包括如下，硅溶胶：2‑20wt％、络合剂：0.2‑2wt％、氧化剂：0.2‑1.2wt％、抑制剂：0.01‑0.1wt％、表面活性剂：0.01‑0.1wt％、去离子水：余量；碱性抛光液的pH值范围为8.0‑10.0；络合剂采用了有机膦酸类，抑制剂为肟酸类。本发明的抛光液在铜、钛、TEOS抛光速率、选择性和表面质量上均表现出显著的优势。此外，本发明的制备方法简单，适合规模化工业生产的需要，具有重要的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN119581410A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411754356.4
申请日：2024-12-02
Applicant: 河北工业大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 , 河北工业大学创新研究院(石家庄)
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及集成电路多层布线工艺相关技术领域，公开了一种用于控制钌阻挡层铜布线蝶形坑和蚀坑的方法，包括：制备含有磷酸酯等活性剂的抛光液；取硅溶胶，加去离子水稀释，得硅溶胶溶液；将螯合剂、氧化剂、磷酸酯、杀菌剂、表面活性剂混合并加去离子水稀释，再加入硅溶胶溶液，用PH值调节剂调节到所需要的PH值，到搅拌均匀后得抛光液；再使用该抛光液对14nm以下集成电路钌阻挡层图形片进行抛光；本发明利用磷酸酯在铜布线上的吸附来实现适宜的铜高低速率差及选择比，从而达到较低的蝶形坑和蚀坑，达到平坦化的效果；相对传统的BTA等挫类抑制剂，磷酸酯绿色环保，对环境无污染。
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公开(公告)号：CN119709023A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411919270.2
申请日：2024-12-25
Applicant: 河北工业大学创新研究院(石家庄) , 河北工业大学
IPC: C09G1/02 , B81C1/00 , H01L21/306 , C23F3/04
Abstract: 本发明为一种基于TSV的铜/钛/TEOS速率选择性控制的CMP抛光液。该抛光液的组成包括：纳米级二氧化硅、络合剂、抑制剂、表面活性剂、氧化剂和去离子水；所述碱性抛光液的pH值为8.0；该抛光液通过采用2,2’‑[[((甲基‑1H‑苯并三唑‑1‑基)甲基]亚氨基]双乙醇(TT‑LYK)，辛基异羟肟酸(OHA)为抑制剂二者单独作用或复配，在与络合剂的协同配合作用下，从而使抛光液具有较高的抛光速率和较好的表面质量的性能，同时可控制铜/钛/TEOS之间速率选择性控制，并且改善了抛光后的碟形凹陷和介质层侵蚀。本发明得到的抛光液的制备过程简单，易于大规模生产，符合工业应用的实际需求。
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公开(公告)号：CN119581409A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411754355.X
申请日：2024-12-02
Applicant: 河北工业大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 , 河北工业大学创新研究院(石家庄)
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及集成电路多层布线工艺相关技术领域，公开了一种用于提高集成电路多层布线钌CMP速率的方法，包括：制备含有氨三乙酸三铵的抛光液；再使用该抛光液对14nm以下集成电路钌阻挡层图形片进行抛光。本发明在大规模集成电路的应用中通过NTA(NH4)3与氧化剂，硅溶胶间的三重协同作用即可在钌表面与钌氧化物(而非金属钌)反应生成大量络合物，增强了对钌及其氧化物的溶解腐蚀能力，同时伴随机械作用快速去除，从而使钌CMP去除效率更高。本发明提出了一种针对Ru的高效去除协同作用方法，能够兼顾Ru的高去除速率及低表面缺陷，使Ru阻挡层CMP性能显著提升，从而使集成电路性能增强。
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公开(公告)号：CN119710708A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411794663.5
申请日：2024-12-09
Applicant: 河北工业大学
IPC: C23F3/04 , H01L21/321
Abstract: 本发明为一种用于降低钌阻挡层铜CMP缺陷的抛光液。该抛光液包括的组成包括：活性剂、硅溶胶、螯合剂、氧化剂、杀菌剂、PH值调节剂以及去离子水；其中，按质量百分比计，各组分含量为：活性剂0.001‑4％、硅溶胶0.5‑10％、螯合剂0.02‑2％、氧化剂0.02‑5％、杀菌剂0.03‑2％，去离子水余量；活性剂为磷酸酯和α‑烯基磺酸钠；质量比为，磷酸酯和α‑烯基磺酸钠＝1～5：1。本发明可以有效控制划伤、腐蚀、沾污等缺陷，从而降低先进技术节点集成电路CMP后缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115703944A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110909765.7
申请日：2021-08-09
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02 , C23F3/04 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种复合抑制剂在CMP中的应用，旨在提供一种能够有效抑制Cu的去除速率，增强抛光液对碟形坑和蚀坑的修正能力，有利于增强器件可靠性的复合抑制剂在CMP中的应用。所用抛光液中的抑制剂由TTA、BTA或CBT与KOH按照质量比为1‑3:1的比例配置而成。所用抛光液按质量百分比的组成为：硅溶胶5‑20％，氧化剂1‑15％，络合剂0.1‑5％，复合抑制剂0.25‑0.5％，表面活性剂为0.001‑5％，pH值调节剂适量，余量为去离子水。本发明的抛光液通过各种组分的合理配比，在保障抛光效果的情况下，能有效抑制铜的去除速率，对碟形坑和蚀坑修正能力强，增强了抛光的稳定性，提升了芯片的良率。同时，降低了抛光液的配置难度。
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公开(公告)号：CN113969107B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202111211279.4
申请日：2021-10-18
Applicant: 江苏山水半导体科技有限公司 , 河北工业大学
Abstract: 本发明属于化学机械抛光领域，尤其涉及一种用于大尺寸硅边抛的化学机械抛光液及其制备方法和应用，所述抛光液包括如下重量份组分：硅溶胶650份；金属螯合剂2‑4份；钾盐速率促进剂5‑20份；碱性速率促进剂60‑90份；表面活性剂1‑10份；杀菌剂3‑5份％；pH调节剂5‑10份；去离子水213‑386份。本发明的抛光液通过加入钾离子可以有效提高大尺寸硅边缘的抛光速率、降低大尺寸硅边缘的表面粗糙度，能够满足微电子行业的精度要求。
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公开(公告)号：CN112340739A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011220164.7
申请日：2020-11-05
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅溶胶在微电子领域的应用，而提供一种新型硅溶胶在微电子领域的应用。本发明的硅溶胶在微电子领域的应用，所述硅溶胶由湖北金伟新材料有限公司生产，所述硅溶胶中的原料为澳砂，所述硅溶胶在封闭式全自动条件下生产；在千级无尘条件下灌装及包装；采用0.2微米过滤系统过滤。本发明通过对湖北金伟新材料有限公司所生产的硅溶胶的改进，使其生产的硅溶胶的各方面性能满足微电子领域的使用需要，为国内硅溶胶广泛应用于微电子领域开辟了新途径。本发明精选原材料质量，所使用原材料为进口澳砂，从源头降低产品金属离子含量。
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公开(公告)号：CN106590530A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611157145.8
申请日：2016-12-15
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: C09K3/1436 , C08J5/00 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种水溶性高分子包覆异型硅溶胶、制备方法及应用，该异型硅溶胶的原料重量百分比组成为：聚多元醇，0.01‑1wt%，分子量在200‑20000之间；水溶性高分子，0.01‑5wt%，分子量在10000‑500000之间；硅溶胶原料，5‑50wt%；余量为去离子水。该异型硅溶胶的物理结构为不规则异型，且由水溶性高分子包覆构成。采用该硅溶胶制成的抛光液，由于水溶性高分子（聚丙烯酰胺、聚丙烯酸钠、聚丙烯酸）的加入可在晶片表面形成保护膜，有效降低抛光过程中晶片表面的微缺陷，从而显著降低晶片表面粗糙度，同时能够保证较高的抛光去除速率。
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公开(公告)号：CN100400722C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200610014061.9
申请日：2006-06-06
Applicant: 河北工业大学
IPC: C30B33/00
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02
Abstract: 本发明属于半导体加工工艺，尤其涉及一种消除半导体硅晶片表面应力的方法，其特征是：在初加工后的硅片表面划出损伤应力环。本发明的有益效果：通过制作损伤应力环，可有效地减少并除去硅晶片表面应力，避免晶片出现滑移线、位错排和造成集成电路p-n结导通或导致漏电流增大。其方法简便，易操作，不需要改变现有设备。
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