公开(公告)号：CN119581410A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411754356.4

申请日：2024-12-02

Applicant: 河北工业大学 ,  北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 ,  河北工业大学创新研究院(石家庄)

Inventor： 罗翀 ,  康劲 ,  周建伟 ,  史万里 ,  孙纪元

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及集成电路多层布线工艺相关技术领域，公开了一种用于控制钌阻挡层铜布线蝶形坑和蚀坑的方法，包括：制备含有磷酸酯等活性剂的抛光液；取硅溶胶，加去离子水稀释，得硅溶胶溶液；将螯合剂、氧化剂、磷酸酯、杀菌剂、表面活性剂混合并加去离子水稀释，再加入硅溶胶溶液，用PH值调节剂调节到所需要的PH值，到搅拌均匀后得抛光液；再使用该抛光液对14nm以下集成电路钌阻挡层图形片进行抛光；本发明利用磷酸酯在铜布线上的吸附来实现适宜的铜高低速率差及选择比，从而达到较低的蝶形坑和蚀坑，达到平坦化的效果；相对传统的BTA等挫类抑制剂，磷酸酯绿色环保，对环境无污染。

公开(公告)号：CN119581409A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411754355.X

申请日：2024-12-02

Applicant: 河北工业大学 ,  北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 ,  河北工业大学创新研究院(石家庄)

Inventor： 罗翀 ,  康劲 ,  周建伟 ,  史万里 ,  何梓玮

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及集成电路多层布线工艺相关技术领域，公开了一种用于提高集成电路多层布线钌CMP速率的方法，包括：制备含有氨三乙酸三铵的抛光液；再使用该抛光液对14nm以下集成电路钌阻挡层图形片进行抛光。本发明在大规模集成电路的应用中通过NTA(NH4)3与氧化剂，硅溶胶间的三重协同作用即可在钌表面与钌氧化物(而非金属钌)反应生成大量络合物，增强了对钌及其氧化物的溶解腐蚀能力，同时伴随机械作用快速去除，从而使钌CMP去除效率更高。本发明提出了一种针对Ru的高效去除协同作用方法，能够兼顾Ru的高去除速率及低表面缺陷，使Ru阻挡层CMP性能显著提升，从而使集成电路性能增强。

公开(公告)号：CN119710708A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411794663.5

申请日：2024-12-09

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 罗翀 ,  周建伟 ,  史万里 ,  孙纪元 ,  张彤彤

IPC: C23F3/04 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明为一种用于降低钌阻挡层铜CMP缺陷的抛光液。该抛光液包括的组成包括：活性剂、硅溶胶、螯合剂、氧化剂、杀菌剂、PH值调节剂以及去离子水；其中，按质量百分比计，各组分含量为：活性剂0.001‑4％、硅溶胶0.5‑10％、螯合剂0.02‑2％、氧化剂0.02‑5％、杀菌剂0.03‑2％，去离子水余量；活性剂为磷酸酯和α‑烯基磺酸钠；质量比为，磷酸酯和α‑烯基磺酸钠＝1～5：1。本发明可以有效控制划伤、腐蚀、沾污等缺陷，从而降低先进技术节点集成电路CMP后缺陷。