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公开(公告)号：CN119581409A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411754355.X
申请日：2024-12-02
Applicant: 河北工业大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 , 河北工业大学创新研究院(石家庄)
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及集成电路多层布线工艺相关技术领域，公开了一种用于提高集成电路多层布线钌CMP速率的方法，包括：制备含有氨三乙酸三铵的抛光液；再使用该抛光液对14nm以下集成电路钌阻挡层图形片进行抛光。本发明在大规模集成电路的应用中通过NTA(NH4)3与氧化剂，硅溶胶间的三重协同作用即可在钌表面与钌氧化物(而非金属钌)反应生成大量络合物，增强了对钌及其氧化物的溶解腐蚀能力，同时伴随机械作用快速去除，从而使钌CMP去除效率更高。本发明提出了一种针对Ru的高效去除协同作用方法，能够兼顾Ru的高去除速率及低表面缺陷，使Ru阻挡层CMP性能显著提升，从而使集成电路性能增强。
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公开(公告)号：CN119581410A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411754356.4
申请日：2024-12-02
Applicant: 河北工业大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 , 河北工业大学创新研究院(石家庄)
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及集成电路多层布线工艺相关技术领域，公开了一种用于控制钌阻挡层铜布线蝶形坑和蚀坑的方法，包括：制备含有磷酸酯等活性剂的抛光液；取硅溶胶，加去离子水稀释，得硅溶胶溶液；将螯合剂、氧化剂、磷酸酯、杀菌剂、表面活性剂混合并加去离子水稀释，再加入硅溶胶溶液，用PH值调节剂调节到所需要的PH值，到搅拌均匀后得抛光液；再使用该抛光液对14nm以下集成电路钌阻挡层图形片进行抛光；本发明利用磷酸酯在铜布线上的吸附来实现适宜的铜高低速率差及选择比，从而达到较低的蝶形坑和蚀坑，达到平坦化的效果；相对传统的BTA等挫类抑制剂，磷酸酯绿色环保，对环境无污染。
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公开(公告)号：CN112355884A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011220177.4
申请日：2020-11-05
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法，旨在提供一种能控制不同材料的去除速率，从而实现对蝶形坑和蚀坑控制的方法。将抛光液加入抛光机中，在工作压力为1‑2PSI、抛盘转速为80‑100转/分、抛头转速为78‑98转/分、抛光液流量为200‑300ml/min的条件下抛光；所述抛光液由下述组分组成：硅溶胶5‑20％，功能型组分0.001‑10％，表面活性剂0.001‑10％，去离子水余量；功能型组分由A剂、B剂及C剂组成，A剂为FA/O螯合剂、四羟基乙基乙二胺、乙二胺及三乙醇胺中的任一种，B剂为硫酸铜、甘氨酸铜、柠檬酸铜及柠檬酸螯合铜中的任一种；C剂为硝酸钾、柠檬酸钾、酒石酸钾中的一种或者任意混合。该方法能提高芯片成品率和良率。
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公开(公告)号：CN112175756A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011219974.0
申请日：2020-11-05
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于去除多层铜互连阻挡层CMP后表面残留物的清洗液，旨在而提供一种成分简单，能够有效去除多层铜互连阻挡层CMP后表面残留物的清洗液。按质量百分比计由下述组分组成：螯合剂0.1‑5％，表面活性剂0.1‑15％，消泡剂1％，pH调节剂，去离子水余量；所述清洗液的pH值为7‑7.5；所述表面活性剂由阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂及阴离子表面活性剂复配而成。本发明的清洗液选用阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂和阴离子表面活性剂复配，通过空间位阻作用，能有效去除多层铜互连阻挡层CMP后表面的大颗粒数及表面残留，从而提高器件的可靠性、电能性等性能，有利于提高器件的成品率。
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公开(公告)号：CN111826089B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010735582.3
申请日：2020-07-28
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
IPC: H01L21/304 , C09G1/00 , C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用，为化学机械抛光平坦化提高稳定性提供一种新技术。所述多层布线高价金属的化合物替代氧化剂。CMP所用抛光液中含有与布线金属种类相同的布线高价金属化合物。采用本发明技术方案的抛光液可以稳定6个月以上，直接使用。使用时，不用专用设备的配置，简化了工艺，大大提高了抛光液的稳定性。而且，运输保存安全，不对设备产生腐蚀，使用更安全。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112322190A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011220168.5
申请日：2020-11-05
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种多层铜互连阻挡层抛光液及其制备方法，旨在提供一种能够延长抛光液的使用期限，有利于增强器件可靠性的多层铜互连阻挡层抛光液及其制备方法。按质量百分比计由下述组分组成：硅溶胶5‑20％，螯合剂0.1‑5％，杀菌剂0.15‑5％，表面活性剂0.001‑5％，pH值调节剂，去离子水余量；所述抛光液的pH值为7.5—11；所述杀菌剂为二价铜离子。本发明的抛光液通过各种组分的协同作用及合理配比，抛光效果好，稳定性强，能够满足微电子行业的需要。而且，本发明的抛光液呈碱性，pH为7.5‑11，不腐蚀设备，不污染环境。同时，原材料全部国产，生产成本低。
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公开(公告)号：CN119710708A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411794663.5
申请日：2024-12-09
Applicant: 河北工业大学
IPC: C23F3/04 , H01L21/321
Abstract: 本发明为一种用于降低钌阻挡层铜CMP缺陷的抛光液。该抛光液包括的组成包括：活性剂、硅溶胶、螯合剂、氧化剂、杀菌剂、PH值调节剂以及去离子水；其中，按质量百分比计，各组分含量为：活性剂0.001‑4％、硅溶胶0.5‑10％、螯合剂0.02‑2％、氧化剂0.02‑5％、杀菌剂0.03‑2％，去离子水余量；活性剂为磷酸酯和α‑烯基磺酸钠；质量比为，磷酸酯和α‑烯基磺酸钠＝1～5：1。本发明可以有效控制划伤、腐蚀、沾污等缺陷，从而降低先进技术节点集成电路CMP后缺陷。
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公开(公告)号：CN112355884B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011220177.4
申请日：2020-11-05
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法，旨在提供一种能控制不同材料的去除速率，从而实现对蝶形坑和蚀坑控制的方法。将抛光液加入抛光机中，在工作压力为1‑2PSI、抛盘转速为80‑100转/分、抛头转速为78‑98转/分、抛光液流量为200‑300ml/min的条件下抛光；所述抛光液由下述组分组成：硅溶胶5‑20％，功能型组分0.001‑10％，表面活性剂0.001‑10％，去离子水余量；功能型组分由A剂、B剂及C剂组成，A剂为FA/O螯合剂、四羟基乙基乙二胺、乙二胺及三乙醇胺中的任一种，B剂为硫酸铜、甘氨酸铜、柠檬酸铜及柠檬酸螯合铜中的任一种；C剂为硝酸钾、柠檬酸钾、酒石酸钾中的一种或者任意混合。该方法能提高芯片成品率和良率。
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公开(公告)号：CN111004579B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201911184055.1
申请日：2019-11-27
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/304 , C09G1/02
Abstract: 本发明属于抛光液领域，具体涉及一种用于降低多层铜互连阻挡层CMP缺陷的碱性抛光液及其制备方法。抛光液由下述组分组成，按质量份百分比计：硅溶胶5‑20％，螯合剂0.1‑5％，表面活性剂0.001‑5％，氧化剂0.001‑10％，去离子水余量；其中，所述的表面活性剂为非离子活性剂和阴离子活性剂进行复配获得。本发明抛光液呈碱性，pH为7.5‑11，不腐蚀设备，不污染环境。本发明使用纳米SiO2溶胶作为抛光液磨料，其浓度高，分散度好、硬度小。本发明由硅溶胶、螯合剂、表面活性剂、助溶剂、氧化剂和去离子水组成，成分简单，稳定性好，价格便宜。
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公开(公告)号：CN112340739A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011220164.7
申请日：2020-11-05
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅溶胶在微电子领域的应用，而提供一种新型硅溶胶在微电子领域的应用。本发明的硅溶胶在微电子领域的应用，所述硅溶胶由湖北金伟新材料有限公司生产，所述硅溶胶中的原料为澳砂，所述硅溶胶在封闭式全自动条件下生产；在千级无尘条件下灌装及包装；采用0.2微米过滤系统过滤。本发明通过对湖北金伟新材料有限公司所生产的硅溶胶的改进，使其生产的硅溶胶的各方面性能满足微电子领域的使用需要，为国内硅溶胶广泛应用于微电子领域开辟了新途径。本发明精选原材料质量，所使用原材料为进口澳砂，从源头降低产品金属离子含量。
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