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公开(公告)号：CN113969107A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111211279.4
申请日：2021-10-18
Applicant: 江苏山水半导体科技有限公司 , 河北工业大学
Abstract: 本发明属于化学机械抛光领域，尤其涉及一种用于大尺寸硅边抛的化学机械抛光液及其制备方法和应用，所述抛光液包括如下重量份组分：硅溶胶650份；金属螯合剂2‑4份；钾盐速率促进剂5‑20份；碱性速率促进剂60‑90份；表面活性剂1‑10份；杀菌剂3‑5份％；pH调节剂5‑10份；去离子水213‑386份。本发明的抛光液通过加入钾离子可以有效提高大尺寸硅边缘的抛光速率、降低大尺寸硅边缘的表面粗糙度，能够满足微电子行业的精度要求。
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公开(公告)号：CN113969107B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202111211279.4
申请日：2021-10-18
Applicant: 江苏山水半导体科技有限公司 , 河北工业大学
Abstract: 本发明属于化学机械抛光领域，尤其涉及一种用于大尺寸硅边抛的化学机械抛光液及其制备方法和应用，所述抛光液包括如下重量份组分：硅溶胶650份；金属螯合剂2‑4份；钾盐速率促进剂5‑20份；碱性速率促进剂60‑90份；表面活性剂1‑10份；杀菌剂3‑5份％；pH调节剂5‑10份；去离子水213‑386份。本发明的抛光液通过加入钾离子可以有效提高大尺寸硅边缘的抛光速率、降低大尺寸硅边缘的表面粗糙度，能够满足微电子行业的精度要求。
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公开(公告)号：CN104451691A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410686163.X
申请日：2014-11-25
Applicant: 河北工业大学
IPC: C23F3/04
Abstract: 本发明公开了一种适用于低下压力的铜化学机械精抛光液。本发明所述抛光液中包含研磨颗粒、络合剂、氧化剂，表面活性剂、抑菌剂和水，抑菌剂的含量为重量百分比0.001～1％；研磨颗粒含量为重量百分比3～15％；络合剂的含量为重量百分比1～5％；表面活性剂的含量为重量百分比0.01～1％；过氧化氢的含量为重量百分比0.5～3％；用水补足含量至重量百分比100％。本发明抛光液适用于下压力不大于5.516kPa时铜的精抛光，不包含腐蚀抑制剂。
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公开(公告)号：CN115703944B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202110909765.7
申请日：2021-08-09
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02 , C23F3/04 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种复合抑制剂在CMP中的应用，旨在提供一种能够有效抑制Cu的去除速率，增强抛光液对碟形坑和蚀坑的修正能力，有利于增强器件可靠性的复合抑制剂在CMP中的应用。所用抛光液中的抑制剂由TTA、BTA或CBT与KOH按照质量比为1‑3:1的比例配置而成。所用抛光液按质量百分比的组成为：硅溶胶5‑20％，氧化剂1‑15％，络合剂0.1‑5％，复合抑制剂0.25‑0.5％，表面活性剂为0.001‑5％，pH值调节剂适量，余量为去离子水。本发明的抛光液通过各种组分的合理配比，在保障抛光效果的情况下，能有效抑制铜的去除速率，对碟形坑和蚀坑修正能力强，增强了抛光的稳定性，提升了芯片的良率。同时，降低了抛光液的配置难度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112355884A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011220177.4
申请日：2020-11-05
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法，旨在提供一种能控制不同材料的去除速率，从而实现对蝶形坑和蚀坑控制的方法。将抛光液加入抛光机中，在工作压力为1‑2PSI、抛盘转速为80‑100转/分、抛头转速为78‑98转/分、抛光液流量为200‑300ml/min的条件下抛光；所述抛光液由下述组分组成：硅溶胶5‑20％，功能型组分0.001‑10％，表面活性剂0.001‑10％，去离子水余量；功能型组分由A剂、B剂及C剂组成，A剂为FA/O螯合剂、四羟基乙基乙二胺、乙二胺及三乙醇胺中的任一种，B剂为硫酸铜、甘氨酸铜、柠檬酸铜及柠檬酸螯合铜中的任一种；C剂为硝酸钾、柠檬酸钾、酒石酸钾中的一种或者任意混合。该方法能提高芯片成品率和良率。
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公开(公告)号：CN100383209C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200610013980.4
申请日：2006-05-31
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种对硼酸锂铯晶体有效的无水抛光液及抛光方法。本发明用于硼酸锂铯晶体的化学机械无水抛光液的组成成分wt%如下：(a)纳米SiO2磨料4-8、(b)有机溶剂72-95、(c)有机碱0.5-10、(d)表面活性剂0.5-10。对硼酸锂铯晶体进行抛光，抛光压力设定在0.05MPa至0.1MPa之间；抛光盘转速为30r/min至60r/min之间；时间设定5至10分钟之间。本发明为流动性好，无毒、无污染，无腐蚀，浓度适中，悬浮性好的无水抛光液，避免了抛光过程中由于潮解致使CLBO晶体开裂的问题，且抛光后表面的光洁度高。
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公开(公告)号：CN102830144B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210308317.2
申请日：2012-08-28
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于检测铜互联线是否产生碟形坑的电路版图结构。本发明所述版图结构包括一条折弯结构的铜线和一条设置梳齿的铜线，所述梳齿设置于所述折弯空隙间；折弯结构的铜线两端分别设置两个输入或输出端头，设置梳齿的铜线的两端分别设置输入或输出端头。采用本发明结构来测量，不受线条尺寸的影响，可以方便地对整个芯片进行测量，很好地验证芯片CMP的均匀性。
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公开(公告)号：CN104449404A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410781702.8
申请日：2014-12-16
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种锗晶体化学机械抛光的抛光液及使用方法，包括粗抛液和精抛液，所述粗抛液按重量％计主要由下列原料组成：磨料粒径15-110nm、浓度≥40wt％、硬度≤7 Mohs的SiO2水溶胶磨料10-50％、氧化剂0.2-1.5％、pH调节剂0.5-2％、螯合剂0.2-1.5％、表面活性剂0.1-1％；精抛液主要有表面活性剂0.1-0.5％，余量为去离子水。选择两步抛光法进行化学机械抛光，第一步选用粗抛液，第二步选用精抛液，两步抛光在同一台抛光机上完成。有益效果：可以解决锗晶体材料化学机械抛光过程中速率低、粗糙度高、金属离子及颗粒沾污等问题。
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