-
公开(公告)号：CN102967576A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210308423.0
申请日：2012-08-28
Applicant: 河北工业大学
IPC: G01N21/35
Abstract: 本发明公开了一种红外反射法测硅基图形片表面苯并三唑（BTA）的方法。本发明按照下述步骤进行：将干燥后的苯并三唑分别配制成0.1mol/L-0.15mol/L、0.15mol/L-0.2mol/L、0.2mol/L-0.25mol/L、0.25mol/L-0.3mol/L、0.3mol/L-0.35mol/L的BTA；上述配制好的BTA按照五点法的位置滴加到十二吋的硅基图形片上，使用红外反射法测量其浓度；使用TQAnalyst（红外定量分析）建立模型曲线，保存为定量分析标准，检测其它样品的苯并三唑（BTA）溶液浓度时，首先进行检测生成谱图，然后调取上述步骤d的定量分析标准，进行定量分析。本发明方法解决了在十二吋晶圆样品台上进行苯并三唑（BTA）浓度测量的问题，其他方法均不能满足在十二吋晶圆上对BTA的无损测量。
-
公开(公告)号：CN1870217A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610014041.1
申请日：2006-06-02
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/30 , C23C14/00 , C23C16/00 , C30B25/02 , C30B23/02 , C30B29/06 , C30B33/12
Abstract: 本发明公开了一种控制和消除硅气相外延层雾状微缺陷的方法，旨在提供一种有效消除雾状微缺陷，而且不增加成本以及工艺和设备的复杂性的控制硅气相外延层雾状微缺陷的方法。包括下述步骤：采用常规的化学机械抛光方法对硅衬底片进行双面抛光处理和清洗，在清洗最后的纯水清洗后，向清洗槽内加入氧化剂处理1～15min，使整个硅片表面生成一层洁净的SiO2氧化层，氧化层的厚度一般为3～5nm，再将其放入外延炉中进行外延生长。生长中可控制外延层的厚度大于预定厚度，再用气相抛光去除预留厚度。该方法工艺简单，工作效率高，不需添加额外设备，与常规外延工艺完全兼容，而且消除雾状微缺陷的效果十分显著。
-
公开(公告)号：CN110819999A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911116898.8
申请日：2019-11-15
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种去除铜晶圆表面颗粒抑制电偶腐蚀的碱性清洗液。该清洗液的组成包括多元表面活性剂，以及螯合剂、抑制剂、pH调节剂和去离子水；各组分所占清洗液的质量百分比为：表面活性剂0.1～1wt％、螯合剂0.01～0.1wt％、抑制剂0.01～0.1wt％，余量为去离子水。所述的清洗液的pH值为10～12。所述的多元复配的表面活性剂的组成为非离子型表面活性剂和阴离子表面活性剂，质量比为非离子型表面活性剂：阴离子表面活性剂＝1:1～1:20。本发明的新型清洗液可以使清洗后的铜钴自腐蚀电位差降低到42mV，表面粗糙度降低到0.4nm以下。
-
公开(公告)号：CN104451691A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410686163.X
申请日：2014-11-25
Applicant: 河北工业大学
IPC: C23F3/04
Abstract: 本发明公开了一种适用于低下压力的铜化学机械精抛光液。本发明所述抛光液中包含研磨颗粒、络合剂、氧化剂，表面活性剂、抑菌剂和水，抑菌剂的含量为重量百分比0.001～1％；研磨颗粒含量为重量百分比3～15％；络合剂的含量为重量百分比1～5％；表面活性剂的含量为重量百分比0.01～1％；过氧化氢的含量为重量百分比0.5～3％；用水补足含量至重量百分比100％。本发明抛光液适用于下压力不大于5.516kPa时铜的精抛光，不包含腐蚀抑制剂。
-
公开(公告)号：CN1896340A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610014043.0
申请日：2006-06-02
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种厚度一致的硅气相外延层的生长装置及生长方法，旨在提供一种外延层厚度一致，便于操作，效率高的硅气相外延层的生长装置及生长方法。该生长装置包括基座本体，在基座本体上有安放槽，安放槽底部的边缘有宽度为1～3mm的台阶，台阶上有深度为1～3mm的环形沟槽，环形沟槽最上端的宽度为1～3mm，台阶下有深度为1～5mm的弧形凹坑。该生长方法包括下述步骤：将硅衬底片放入上述基座的安放槽中，并使硅衬底片上表面低于基座上表面0.1～1mm，之后生长外延层。本发明的工艺简单，既能使外延层厚度一致，同时又能控制滑移线的分布面积，并能消除沉积在表面的金属杂质污染层，提高了硅外延片的质量，保证了产品的性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101879509B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201010232556.5
申请日：2010-07-21
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种液晶屏的清洗方法，旨在提供一种能够消除有机物及清洗剂残留，消除水基清洗的环保隐患，满足环保要求的清洗方法。在第一槽中放入液晶屏清洗剂，加热到50-60℃，将装有液晶屏的花篮浸泡在第一槽中，配合超声波或兆声作用清洗3-5分钟；在第二槽中放入电化学氧化液，加热到50-60℃，将装有液晶屏的花篮从第一槽中取出放入第二槽中，配合超声波或兆声作用清洗。之后进行三次去离子水配合超声波清洗，再喷淋、烘干。由于在使用清洗剂清洗后采用电化学氧化液配合超声波清洗，能够避免产生大量含有清洗剂的废水，消除了水基清洗的环保隐患，满足环保要求。
-
公开(公告)号：CN100425744C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200610014043.0
申请日：2006-06-02
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种厚度一致的硅气相外延层的生长装置及生长方法，旨在提供一种外延层厚度一致，便于操作，效率高的硅气相外延层的生长装置及生长方法。该生长装置包括基座本体，在基座本体上有安放槽，安放槽底部的边缘有宽度为1～3mm的台阶，台阶上有深度为1～3mm的环形沟槽，环形沟槽最上端的宽度为1～3mm，台阶下有深度为1～5mm的弧形凹坑。该生长方法包括下述步骤：将硅衬底片放入上述基座的安放槽中，并使硅衬底片上表面低于基座上表面0.1～1mm，之后生长外延层。本发明的工艺简单，既能使外延层厚度一致，同时又能控制滑移线的分布面积，并能消除沉积在表面的金属杂质污染层，提高了硅外延片的质量，保证了产品的性能。
-
公开(公告)号：CN110484387A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910863092.9
申请日：2019-09-12
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种碱性集成电路布线抛光后低k介质清洗剂及其清洗方法。所述的清洗剂的组成包括非离子表面活性剂、两性表面活性剂、pH调节剂和去离子水，其中，非离子表面活性剂质量是水的质量的0.3％-2％；两性表面活性剂的质量为去离子水质量的0.1％-1.5％；清洗剂的pH值为9-10。清洗方法中，通过洗刷参数的设置，以及加热烘干、CVD处理步骤的增加，本发明可以对低k介质材料进行保护，改善刷子使用寿命，并能对低k材料结构破坏部分修复，实现k值的恢复。
-
公开(公告)号：CN101908503A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010232256.7
申请日：2010-07-21
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/768 , B08B1/02 , B08B3/08
CPC classification number: B08B3/12 , H01L21/02074 , H01L21/7684
Abstract: 本发明涉及一种超大规模集成电路多层铜布线化学机械抛光后的洁净方法，步骤如下：制备水抛液，非离子表面活性剂0.1-5、阻蚀剂0.1-7、螯合剂0.1-0.6、余量为去离子水；用三乙醇胺调节其pH值等于7-8；使用水抛液进行水抛，流量500ml/min-5000ml/min，时间0.5-1分钟；使用超声波清洗机，在去离子水中对抛光后的Cu布线晶圆超声清洗。有益效果：活性剂分子在Cu表面和颗粒表面形成致密的保护层，不仅能有效地去除多层Cu布线化学机械抛光后表面沾污颗粒，而且防止Cu布线表面非均化腐蚀或进一步被氧化和腐蚀，可有效降低金属离子的污染，以及表面颗粒难以去除的化学吸附与键和的表面状态，使之转化为易于清洗的物理吸附。清洗效果明显优于使用单一的非离子表面活性剂的清洗效果。
-
公开(公告)号：CN101879509A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010232556.5
申请日：2010-07-21
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种液晶屏的清洗方法，旨在提供一种能够消除有机物及清洗剂残留，消除水基清洗的环保隐患，满足环保要求的清洗方法。在第一槽中放入液晶屏清洗剂，加热到50-60℃，将装有液晶屏的花篮浸泡在第一槽中，配合超声波或兆声作用清洗3-5分钟；在第二槽中放入电化学氧化液，加热到50-60℃，将装有液晶屏的花篮从第一槽中取出放入第二槽中，配合超声波或兆声作用清洗。之后进行三次去离子水配合超声波清洗，再喷淋、烘干。由于在使用清洗剂清洗后采用电化学氧化液配合超声波清洗，能够避免产生大量含有清洗剂的废水，消除了水基清洗的环保隐患，满足环保要求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.017 seconds)
