公开(公告)号：CN110819999A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911116898.8

申请日：2019-11-15

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 檀柏梅 ,  田思雨 ,  张男男 ,  王淇 ,  黄妍妍 ,  刘孟瑞 ,  王亚珍

IPC: C23G1/20 ,  C23G1/18

Abstract: 本发明为一种去除铜晶圆表面颗粒抑制电偶腐蚀的碱性清洗液。该清洗液的组成包括多元表面活性剂，以及螯合剂、抑制剂、pH调节剂和去离子水；各组分所占清洗液的质量百分比为：表面活性剂0.1～1wt％、螯合剂0.01～0.1wt％、抑制剂0.01～0.1wt％，余量为去离子水。所述的清洗液的pH值为10～12。所述的多元复配的表面活性剂的组成为非离子型表面活性剂和阴离子表面活性剂，质量比为非离子型表面活性剂：阴离子表面活性剂＝1:1～1:20。本发明的新型清洗液可以使清洗后的铜钴自腐蚀电位差降低到42mV，表面粗糙度降低到0.4nm以下。

公开(公告)号：CN110712119A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201911116899.2

申请日：2019-11-15

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 檀柏梅 ,  高宝红 ,  杨柳 ,  殷达 ,  马腾达 ,  孙晓琴 ,  王亚珍

IPC: B24B37/04 ,  B24B49/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明为一种利用CMP设备进行硅片后清洗的方法。该方法包括如下步骤：在CMP设备上，将清洗液通入当化学机械抛光机完成常规硅片抛光工序的抛光工作后，更换抛光盘，打开清洗液管路，关闭抛光液管路，进入清洗工序；完成清洗工序后，关闭清洗液管路，打开去离子水管路，通入去离子水，进行去离子清洗；最后取出硅片，氮气吹干15-30s，完成抛光及清洗工序。本发明清洗方法工艺简单，无二次污染，实现了抛光与清洗一体化，减少专门清洗设备的投入，并提高了清洗效率。

公开(公告)号：CN110712119B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201911116899.2

申请日：2019-11-15

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 檀柏梅 ,  高宝红 ,  杨柳 ,  殷达 ,  马腾达 ,  孙晓琴 ,  王亚珍

IPC: B24B37/04 ,  B24B49/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明为一种利用CMP设备进行硅片后清洗的方法。该方法包括如下步骤：在CMP设备上，将清洗液通入当化学机械抛光机完成常规硅片抛光工序的抛光工作后，更换抛光盘，打开清洗液管路，关闭抛光液管路，进入清洗工序；完成清洗工序后，关闭清洗液管路，打开去离子水管路，通入去离子水，进行去离子清洗；最后取出硅片，氮气吹干15‑30s，完成抛光及清洗工序。本发明清洗方法工艺简单，无二次污染，实现了抛光与清洗一体化，减少专门清洗设备的投入，并提高了清洗效率。