公开(公告)号：CN110813891A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911116905.4

申请日：2019-11-15

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 檀柏梅 ,  杨柳 ,  殷达 ,  何彦刚 ,  王如 ,  孙晓琴 ,  张师浩

IPC: B08B3/08 ,  C11D1/02 ,  C11D1/66 ,  C11D3/00 ,  C11D3/04

Abstract: 本发明为一种用于铜CMP后清洗磨料颗粒的清洗液及清洗方法。该清洗液的组成包括活性剂、螯合剂、pH调节剂和去离子水；所述各组成所占清洗液的质量百分比为：活性剂0.01-0.5％，螯合剂0.01-0.05％，余量为去离子水；清洗液的pH值为9-12；所述活性剂为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂，二者质量比为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂＝1：1-3；所述的阴离子表面活性剂具体为ADS；所述的非离子表面活性剂具体为AEO。本发明为实现铜CMP后复合活性剂的刷片机的高效率清洗、低成本清洗奠定了基础。

公开(公告)号：CN110712119A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201911116899.2

申请日：2019-11-15

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 檀柏梅 ,  高宝红 ,  杨柳 ,  殷达 ,  马腾达 ,  孙晓琴 ,  王亚珍

IPC: B24B37/04 ,  B24B49/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明为一种利用CMP设备进行硅片后清洗的方法。该方法包括如下步骤：在CMP设备上，将清洗液通入当化学机械抛光机完成常规硅片抛光工序的抛光工作后，更换抛光盘，打开清洗液管路，关闭抛光液管路，进入清洗工序；完成清洗工序后，关闭清洗液管路，打开去离子水管路，通入去离子水，进行去离子清洗；最后取出硅片，氮气吹干15-30s，完成抛光及清洗工序。本发明清洗方法工艺简单，无二次污染，实现了抛光与清洗一体化，减少专门清洗设备的投入，并提高了清洗效率。

公开(公告)号：CN110813891B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201911116905.4

申请日：2019-11-15

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 檀柏梅 ,  杨柳 ,  殷达 ,  何彦刚 ,  王如 ,  孙晓琴 ,  张师浩

IPC: B08B3/08 ,  C11D1/02 ,  C11D1/66 ,  C11D3/00 ,  C11D3/04

Abstract: 本发明为一种用于铜CMP后清洗磨料颗粒的清洗液及清洗方法。该清洗液的组成包括活性剂、螯合剂、pH调节剂和去离子水；所述各组成所占清洗液的质量百分比为：活性剂0.01‑0.5％，螯合剂0.01‑0.05％，余量为去离子水；清洗液的pH值为9‑12；所述活性剂为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂，二者质量比为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂＝1：1‑3；所述的阴离子表面活性剂具体为ADS；所述的非离子表面活性剂具体为AEO。本发明为实现铜CMP后复合活性剂的刷片机的高效率清洗、低成本清洗奠定了基础。

公开(公告)号：CN110712119B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201911116899.2

申请日：2019-11-15

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 檀柏梅 ,  高宝红 ,  杨柳 ,  殷达 ,  马腾达 ,  孙晓琴 ,  王亚珍

IPC: B24B37/04 ,  B24B49/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明为一种利用CMP设备进行硅片后清洗的方法。该方法包括如下步骤：在CMP设备上，将清洗液通入当化学机械抛光机完成常规硅片抛光工序的抛光工作后，更换抛光盘，打开清洗液管路，关闭抛光液管路，进入清洗工序；完成清洗工序后，关闭清洗液管路，打开去离子水管路，通入去离子水，进行去离子清洗；最后取出硅片，氮气吹干15‑30s，完成抛光及清洗工序。本发明清洗方法工艺简单，无二次污染，实现了抛光与清洗一体化，减少专门清洗设备的投入，并提高了清洗效率。