公开(公告)号：CN110819999A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911116898.8

申请日：2019-11-15

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 檀柏梅 ,  田思雨 ,  张男男 ,  王淇 ,  黄妍妍 ,  刘孟瑞 ,  王亚珍

IPC: C23G1/20 ,  C23G1/18

Abstract: 本发明为一种去除铜晶圆表面颗粒抑制电偶腐蚀的碱性清洗液。该清洗液的组成包括多元表面活性剂，以及螯合剂、抑制剂、pH调节剂和去离子水；各组分所占清洗液的质量百分比为：表面活性剂0.1～1wt％、螯合剂0.01～0.1wt％、抑制剂0.01～0.1wt％，余量为去离子水。所述的清洗液的pH值为10～12。所述的多元复配的表面活性剂的组成为非离子型表面活性剂和阴离子表面活性剂，质量比为非离子型表面活性剂：阴离子表面活性剂＝1:1～1:20。本发明的新型清洗液可以使清洗后的铜钴自腐蚀电位差降低到42mV，表面粗糙度降低到0.4nm以下。

公开(公告)号：CN111020610A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201911209700.0

申请日：2019-12-01

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 檀柏梅 ,  王淇 ,  王辰伟 ,  田思雨 ,  马腾达 ,  刘孟瑞 ,  张师浩

IPC: C23G1/20

Abstract: 本发明为一种用于Cu互连CMP后腐蚀抑制剂的清洗液及配制方法。该清洗液的组成包括螯合剂、络合剂、表面活性剂以及去离子水；清洗液的pH值为10~13；其中，各组分的质量百分配比为：螯合剂：0.0005~0.2wt%、络合剂：0.0005~0.1wt%、表面活性剂：0.001~0.5wt%，余量为去离子水。所述的清洗液还包括pH调节剂中的一种或多种。本发明低毒性，无有害物质的挥发，安全环保，可适用于大规模工业生产线，清洗效果优异。