公开(公告)号：CN101908503A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010232256.7

申请日：2010-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  黄妍妍 ,  檀柏梅 ,  高宝红 ,  周强

IPC: H01L21/768 ,  B08B1/02 ,  B08B3/08

CPC classification number: B08B3/12 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明涉及一种超大规模集成电路多层铜布线化学机械抛光后的洁净方法，步骤如下：制备水抛液，非离子表面活性剂0.1-5、阻蚀剂0.1-7、螯合剂0.1-0.6、余量为去离子水；用三乙醇胺调节其pH值等于7-8；使用水抛液进行水抛，流量500ml/min-5000ml/min，时间0.5-1分钟；使用超声波清洗机，在去离子水中对抛光后的Cu布线晶圆超声清洗。有益效果：活性剂分子在Cu表面和颗粒表面形成致密的保护层，不仅能有效地去除多层Cu布线化学机械抛光后表面沾污颗粒，而且防止Cu布线表面非均化腐蚀或进一步被氧化和腐蚀，可有效降低金属离子的污染，以及表面颗粒难以去除的化学吸附与键和的表面状态，使之转化为易于清洗的物理吸附。清洗效果明显优于使用单一的非离子表面活性剂的清洗效果。