公开(公告)号：CN101906638B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201010231455.6

申请日：2010-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  孙鸣 ,  杨金波 ,  何彦刚

IPC: C23G5/036

Abstract: 本发明涉及一种硅衬底材料抛光后表面清洗方法，其特征是：具体步骤如下，制备清洗液：按重量份数计(份)非离子型表面活性剂0.5-5、FA/OII型螯合剂0.1-5、FA/O II型复合阻蚀剂0.1-5、去离子水余量，搅拌均匀后制备成p H值为6.5-7.6水溶性表面清洗液；使用步骤(1)中得到的清洗液对碱性化学机械抛光后的硅衬底材料在4000Pa以下的低压力、400-5000ml/min的大流量条件下进行抛光清洗，抛光清洗时间至少30秒-3分钟，以使硅衬底材料表面洁净。有益效果：CMP工序中的抛光工艺后立即使用清洗液对硅衬底材料进行低压、大流量清洗，可获得洁净、完美的抛光表面。

公开(公告)号：CN101906638A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010231455.6

申请日：2010-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  孙鸣 ,  杨金波 ,  何彦刚

IPC: C23G5/036

Abstract: 本发明涉及一种硅衬底材料抛光后表面清洗方法，其特征是：具体步骤如下，制备清洗液：按重量份数计(份)非离子型表面活性剂0.5-5、FA/OII型螯合剂0.1-5、FA/O II型复合阻蚀剂0.1-5、去离子水余量，搅拌均匀后制备成pH值为6.5-7.6水溶性表面清洗液；使用步骤(1)中得到的清洗液对碱性化学机械抛光后的硅衬底材料在4000Pa以下的低压力、400-5000ml/min的大流量条件下进行抛光清洗，抛光清洗时间至少30秒-3分钟，以使硅衬底材料表面洁净。有益效果：CMP工序中的抛光工艺后立即使用清洗液对硅衬底材料进行低压、大流量清洗，可获得洁净、完美的抛光表面。