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公开(公告)号：CN112018043A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010434451.1
申请日：2020-05-21
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的制造方法和层叠器件芯片的制造方法，能够抑制层叠器件芯片的成品率降低。该晶片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备晶片，该晶片在由相互交叉的多条间隔道划分的多个区域内分别形成有半导体器件；挖除步骤，分别判别形成于晶片的多个半导体器件是良品还是次品，将包含被判别为次品的半导体器件的次品器件区域从晶片挖除；以及嵌入步骤，将具有良品的半导体器件且尺寸能够嵌入至通过挖除次品器件区域而形成的间隙中的器件芯片嵌入至间隙中，该良品的半导体器件具有与被判别为次品的半导体器件相同的功能。
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公开(公告)号：CN109786325A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811323040.4
申请日：2018-11-08
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78
Abstract: 提供新的小直径晶片的制造方法，能够提高生产率，同时也能够抑制品质的降低。该小直径晶片的制造方法包含如下的工序：保护部件包覆工序，在具有一个面和另一个面并且一个面被加工成镜面的晶片的一个面上包覆第1保护部件，在晶片的另一个面上包覆第2保护部件；切出工序，从包覆有第1保护部件和第2保护部件的晶片切出多个小直径晶片；倒角工序，对小直径晶片的外周部进行倒角；以及保护部件去除工序，将第1保护部件和第2保护部件从小直径晶片去除。
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公开(公告)号：CN105990208B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201610139782.6
申请日：2016-03-11
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/683
Abstract: 层叠器件的制造方法。在本发明中，借助临时粘合材料(4)临时粘合于第1器件晶片(1)的正面(1a)的支承晶片(3)由硅晶片构成，在实施贴合晶片形成工序之后，实施临时粘合材料露出工序使临时粘合材料(4)露出时，由于不对临时粘合材料(4)进行加热，对支承晶片(3)至少进行磨削而将其去除，因此，能够容易地将支承晶片(3)从第1器件晶片(1)去除，层叠的状态的第1器件晶片(1)和第2器件晶片(2)不会产生偏移。在临时粘合材料露出工序之后，实施临时粘合材料去除工序，由于将临时粘合材料(4)从第1器件晶片(1)的器件(D)去除，因此，能够同时进行临时粘合材料(4)的去除和器件(D)的清洗。
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公开(公告)号：CN110233129A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910159654.1
申请日：2019-03-04
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/683 , H01L33/48
Abstract: 提供器件的移设方法，能够高效地将器件从晶片移设至安装基板。一种器件的移设方法，将多个器件移设至具有多个电极的安装基板，其中，该器件的移设方法包含如下的步骤：向在基板的正面侧隔着缓冲层形成的多个器件粘贴具有扩展性的带的步骤；从基板的背面侧向缓冲层照射对于基板具有透过性且对于缓冲层具有吸收性的波长的激光束，从而破坏缓冲层的步骤；通过使带向远离基板的方向移动而使基板与多个器件分离，从而将形成于基板的多个器件转印至带的步骤；对带进行扩展以使粘贴于带的多个器件的配置与多个电极的配置对应的步骤；以及将粘贴在扩展后的带上的多个器件一并键合到多个电极的步骤。
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公开(公告)号：CN101483142A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910001453.5
申请日：2009-01-09
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/032 , B23K26/044 , B23K26/0853 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K2103/50 , H01L21/6836 , H01L24/33 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/14
Abstract: 可获得即使使晶片厚度变薄也不会破损地进行层叠且整体厚度薄的层叠器件的层叠器件制造方法，使用形成有环状加强部的加强晶片来制造层叠器件，包含：晶片层叠工序，准备基盘晶片，基盘晶片具有比加强晶片的环状加强部的内径稍小的直径，在表面上形成有与加强晶片的形成在器件区域内的多个间隔道和多个器件对应的多个间隔道和多个器件，使基盘晶片的表面面对加强晶片中的与器件区域对应的背面，使相互对应的间隔道一致来接合，形成层叠晶片；电极连接工序，在形成于构成层叠晶片的加强晶片的各器件上的电极所在的部位，形成到达形成在基盘晶片的各器件上的电极的通孔，在通孔内埋设导电体来将电极之间连接；分割工序，将层叠晶片沿间隔道切断，分割成各个层叠器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115700901A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210778357.7
申请日：2022-07-04
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供层叠器件晶片的形成方法，无需在与器件芯片对应的矩形状的区域内形成对位用的对准标记而能够将器件晶片彼此对位来进行贴合。该层叠器件晶片的形成方法具有将第1器件晶片与第2器件晶片贴合的贴合步骤，贴合步骤包含如下的位置调整步骤：利用拍摄单元拍摄形成于第1器件晶片的正面侧的外周部且位于与器件对应的矩形状的区域外的第1规定线和形成于第2器件晶片的正面侧的外周部且位于与器件对应的矩形状的区域外的第2规定线，利用第1规定线和第2规定线来调整第1器件晶片和第2器件晶片的相对位置。
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公开(公告)号：CN103042449A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210382038.0
申请日：2012-10-10
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B24B7/22
Abstract: 本发明提供一种晶片磨削方法，在对在表面具有凹凸的半导体晶片的背面进行磨削的时候使背面的平坦度提高。以没过凸块（11）的方式在晶片（1）的表面（1a）涂布树脂（2），在使该树脂（2）半硬化后，通过以未到达凸块（11）的深度进行切削而使树脂（2）的表面平坦化，从而使树脂的表面不会显现出与凸块（11）对应的凹凸。接着，将支承基板贴附在平坦化的树脂的表面，在支承着平坦的支承基板侧的状态下对晶片背面进行磨削，从而不受晶片表面的凹凸的影响地使磨削后的晶片背面高精度地平坦化。
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公开(公告)号：CN118116836A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311526526.9
申请日：2023-11-15
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 川合章仁
Abstract: 本发明提供晶片的加工装置，其能够避免将晶片在磨削装置与蚀刻装置之间搬送时使晶片破损的危险，并且消除伴随装置间的移动的损失时间从而提高生产率。晶片的加工装置包含：卡盘工作台，其对晶片进行保持；磨削单元，其安装有磨削磨轮并且该磨削磨轮能够旋转，将对卡盘工作台所保持的晶片进行磨削的多个磨削磨具呈环状配设于该磨削磨轮；清洗单元，其对磨削完成的晶片进行清洗；以及蚀刻单元，其从进行了磨削的磨削面去除应变。安装于磨削单元的磨削磨轮比晶片的直径小，在晶片的外周残留环状的加强部而使内侧薄化，蚀刻单元向形成于晶片的外周的环状的加强部的内侧提供蚀刻液而从磨削面去除应变。
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公开(公告)号：CN110233129B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201910159654.1
申请日：2019-03-04
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/683 , H01L33/48
Abstract: 提供器件的移设方法，能够高效地将器件从晶片移设至安装基板。一种器件的移设方法，将多个器件移设至具有多个电极的安装基板，其中，该器件的移设方法包含如下的步骤：向在基板的正面侧隔着缓冲层形成的多个器件粘贴具有扩展性的带的步骤；从基板的背面侧向缓冲层照射对于基板具有透过性且对于缓冲层具有吸收性的波长的激光束，从而破坏缓冲层的步骤；通过使带向远离基板的方向移动而使基板与多个器件分离，从而将形成于基板的多个器件转印至带的步骤；对带进行扩展以使粘贴于带的多个器件的配置与多个电极的配置对应的步骤；以及将粘贴在扩展后的带上的多个器件一并键合到多个电极的步骤。
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公开(公告)号：CN108206150B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201711317672.5
申请日：2017-12-12
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供芯片接合机，其将LED、IC、LSI等器件高效地接合在基板上。芯片接合机至少包含：基板保持单元(42)，其具有对在外延基板(201、221、241)的上表面上隔着剥离层(30)层叠LED层而供器件接合的基板进行保持的由X轴方向、Y轴方向规定的保持面；晶片保持单元(50)，其对在正面上隔着剥离层配设有多个器件的晶片(LED晶片20、22、24)的外周进行保持；面对单元，其使晶片保持单元所保持的晶片的正面面对基板保持单元所保持的基板的上表面；器件定位单元，其使基板保持单元与晶片保持单元在X方向、Y方向上相对地移动而将配设在晶片上的器件定位于基板的规定位置；和激光照射单元，其从晶片的背面照射激光光线，将对应的器件的剥离层破坏而将器件接合在基板的规定位置上。
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