公开(公告)号：CN109786325B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201811323040.4

申请日：2018-11-08

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 堀田秀儿 ,  松崎荣 ,  伊藤祝子 ,  有福法久 ,  冷雪青 ,  川合章仁 ,  小笠原舞

IPC: H01L21/78

Abstract: 提供新的小直径晶片的制造方法，能够提高生产率，同时也能够抑制品质的降低。该小直径晶片的制造方法包含如下的工序：保护部件包覆工序，在具有一个面和另一个面并且一个面被加工成镜面的晶片的一个面上包覆第1保护部件，在晶片的另一个面上包覆第2保护部件；切出工序，从包覆有第1保护部件和第2保护部件的晶片切出多个小直径晶片；倒角工序，对小直径晶片的外周部进行倒角；以及保护部件去除工序，将第1保护部件和第2保护部件从小直径晶片去除。

公开(公告)号：CN109786325A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811323040.4

申请日：2018-11-08

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 堀田秀儿 ,  松崎荣 ,  伊藤祝子 ,  有福法久 ,  冷雪青 ,  川合章仁 ,  小笠原舞

IPC: H01L21/78

Abstract: 提供新的小直径晶片的制造方法，能够提高生产率，同时也能够抑制品质的降低。该小直径晶片的制造方法包含如下的工序：保护部件包覆工序，在具有一个面和另一个面并且一个面被加工成镜面的晶片的一个面上包覆第1保护部件，在晶片的另一个面上包覆第2保护部件；切出工序，从包覆有第1保护部件和第2保护部件的晶片切出多个小直径晶片；倒角工序，对小直径晶片的外周部进行倒角；以及保护部件去除工序，将第1保护部件和第2保护部件从小直径晶片去除。