公开(公告)号：CN112309848A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010736081.7

申请日：2020-07-28

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 松崎荣

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供湿蚀刻方法，在湿蚀刻时，抑制清洗水的飞散。要进行湿蚀刻的晶片(W)支承于具有间隙的晶片支承件(3)。在通过清洗水对晶片支承件(3)所支承的晶片(W)的上表面进行清洗时，通过配置于晶片支承件(3)的下方的清洗液用瓶(32)对从晶片支承件(3)的间隙流下的清洗水进行回收。由此，能够一边抑制清洗水向晶片(W)的周围飞散一边良好地回收清洗水。

公开(公告)号：CN110052958A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201910035875.8

申请日：2019-01-15

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 松崎荣

IPC: B24B41/06

Abstract: 提供支承基台，能够掌握加工点的温度。支承基台(1)对板状的被加工物(200)进行支承。支承基台(1)包含：平板状的箱体(10)，其具有支承面(11)和载置面(12)，该支承面(11)对被加工物(200)进行支承，该载置面(12)载置在卡盘工作台的保持面上，是与支承面(11)相反的一侧的面；温度测定单元(20)，其收纳于箱体(10)；以及电池(30)，其作为温度测定单元(20)的电源。温度测定单元(20)具有：温度测定器(21)，其对支承面(11)的温度进行测定；以及记录部(22)，其对温度测定器(21)所测定出的温度进行记录。

公开(公告)号：CN108931203A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810486422.2

申请日：2018-05-21

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 松崎荣

IPC: G01B11/24 ,  G01B7/28

Abstract: 提供测量芯片的曲率的方法和测量芯片的曲率的装置，测量芯片破坏时的曲率。该方法对在芯片的弯折试验中芯片被破坏时的芯片的曲率进行测量，具有：芯片保持步骤，将芯片的一端侧的第一区域保持在第一保持单元的支承面上，将芯片的另一端侧的第二区域保持在第二保持单元的支承面上；第一移动步骤，使第一保持单元与第二保持单元相对移动，以便使芯片的第一区域与第二区域之间的测量区域的剖面形状成为圆弧状，从而使第一保持单元的支承面与第二保持单元的支承面面对；第二移动步骤，使第一保持单元与第二保持单元向相互接近的方向相对移动；芯片破坏检测步骤，检测芯片被破坏的情况；和曲率检测步骤，对检测到芯片破坏时的测量区域的曲率进行检测。

公开(公告)号：CN108242421A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711326311.7

申请日：2017-12-13

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 松崎荣

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6833

Abstract: 提供静电卡盘装置和静电吸附方法，在大气压环境下也能够对半导体或绝缘体等被保持物进行静电吸附。一种静电卡盘装置，器在大气压环境下对被保持物进行静电吸附，其中，该静电卡盘装置具有：静电卡盘工作台，其具有电极和保持面；以及离子化空气提供单元，其对保持在该保持面上的该被保持物的露出面提供离子化空气，该电极具有在被保持物的静电吸附时被提供电荷的功能，该离子化空气提供单元具有如下的功能：对该被保持物的露出面提供电荷的极性与提供给该电极的电荷的极性相反的离子，来维持该被保持物的该露出面侧的电荷。可以在该被保持物的一个面上设置保护部件，也可以将该被保持物隔着该保护部件静电吸附在该保持面上。

公开(公告)号：CN103903974B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201310700716.8

申请日：2013-12-18

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 松崎荣 ,  川合章仁 ,  荒井一尚

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明是晶片的加工方法，能不使器件品质降低地将树脂膜装配到各器件的背面。该方法将晶片沿间隔道分割成一个个器件并将树脂膜装配到各器件的背面，包括：保护部件粘贴工序，将保护部件粘贴到晶片正面；背面磨削工序，对晶片背面进行磨削而形成为规定的厚度；树脂膜装配工序，将树脂膜装配到晶片背面；抗蚀剂膜覆盖工序，在树脂膜表面的规定的区域覆盖抗蚀剂膜；蚀刻工序，从晶片背面侧进行等离子蚀刻，沿间隔道对树脂膜进行蚀刻并对晶片进行蚀刻，沿着间隔道将树脂膜和晶片按一个个器件进行分割；抗蚀剂膜除去工序，除去覆盖在树脂膜表面的抗蚀剂膜；以及晶片支撑工序，将切割带粘贴到树脂膜侧，且通过环状框架支撑切割带外周部并剥离保护部件。

公开(公告)号：CN105242491A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510390436.0

申请日：2015-07-06

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 松崎荣

IPC: G03F1/68

Abstract: 提供曝光掩模的制造方法，该曝光掩模的制造方法与现有的方法相比，能够以简单的工序廉价地制造曝光掩模。该曝光掩模的制造方法是晶片加工用的曝光掩模的制造方法，该曝光掩模的制造方法具备如下工序：准备工序，准备遮光板(25)，其在透光并具有要加工的晶片(11)以上的大小的板状部件(21)的正面上覆盖有遮挡光的遮光膜(23)；槽形成工序，在与晶片的间隔道(17)相对应的遮光板的正面侧的区域形成去除遮光膜并且深度未达到遮光板的背面的槽(27)；以及树脂埋设工序，在槽中埋设透明的树脂(31)而填埋在槽形成工序中形成于槽的底部(27a)的凹凸。

公开(公告)号：CN103871944A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310681004.6

申请日：2013-12-12

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 松崎荣 ,  川合章仁 ,  荒井一尚

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，包括：分割槽形成步骤，从晶片的表面侧沿着间隔道形成相当于器件的成品厚度的深度的分割槽；保护部件粘贴步骤，在晶片的表面粘贴保护部件；晶片分割步骤，磨削晶片的背面而使该分割槽露出于背面，从而将晶片分割成一个个器件；晶片支承步骤，在晶片的背面装配树脂膜，并且通过装配于环状框的切割带来支承树脂膜侧；保护部件剥离步骤，将粘贴于晶片的表面的保护部件剥离；以及蚀刻步骤，使对装配在晶片的背面的树脂膜进行蚀刻的蚀刻气等离子化，并使其从晶片的表面侧侵入到分割槽内，从而对在该分割槽内露出的树脂膜进行蚀刻去除。

公开(公告)号：CN109786325B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201811323040.4

申请日：2018-11-08

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 堀田秀儿 ,  松崎荣 ,  伊藤祝子 ,  有福法久 ,  冷雪青 ,  川合章仁 ,  小笠原舞

IPC: H01L21/78

Abstract: 提供新的小直径晶片的制造方法，能够提高生产率，同时也能够抑制品质的降低。该小直径晶片的制造方法包含如下的工序：保护部件包覆工序，在具有一个面和另一个面并且一个面被加工成镜面的晶片的一个面上包覆第1保护部件，在晶片的另一个面上包覆第2保护部件；切出工序，从包覆有第1保护部件和第2保护部件的晶片切出多个小直径晶片；倒角工序，对小直径晶片的外周部进行倒角；以及保护部件去除工序，将第1保护部件和第2保护部件从小直径晶片去除。

公开(公告)号：CN107611074B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201710555572.X

申请日：2017-07-10

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 松崎荣 ,  伊藤祝子 ,  富樫谦 ,  古田健次

IPC: H01L21/683 ,  B23K26/53

Abstract: 提供静电卡盘工作台、激光加工装置和被加工物的加工方法，在使形成有金属层和器件的被加工物的正面侧露出而利用保持面对背面侧进行保持的状态下从保持面侧进行激光加工。静电卡盘工作台(1)包含：板状的基座部(2)，其对于规定波长的激光光线(L)具有透过性并具有第一面(2a)和与第一面相反一侧的第二面(2b)，规定波长的激光光线对于被加工物具有透过性；静电吸附用的电极部(3)，其对于规定波长的激光光线具有透过性并层叠于基座部的第一面；和PET膜(4)，其对于规定波长的激光光线具有透过性，覆盖电极部并构成对被加工物(W)进行保持的保持面(1a)。在从基座部的第二面侧照射激光光线而在保持面所保持的被加工物内部形成改质层(K)时使用静电卡盘工作台。

公开(公告)号：CN108231577B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN201711257763.4

申请日：2017-12-04

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 松崎荣

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/265

Abstract: 提供晶片的制造方法，能够以短时间制造具有去疵层的晶片。该晶片的制造方法对在正面侧具有器件的晶片进行加工而制造在背面侧具有去疵层的晶片，该晶片的制造方法包含如下的步骤：保持步骤，隔着粘贴于正面上的保护部件而利用具有呈凸状弯曲的保持面的保持工作台的保持面对晶片进行保持；以及去疵层形成步骤，在保持步骤之后，使将氩气等离子化而得的氩离子与沿着保持面的形状呈凸状弯曲的晶片的背面侧碰撞，从而在晶片的背面侧形成去疵层。