公开(公告)号：CN1536634A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN200410032519.4

申请日：2004-04-08

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 关家一马 ,  荒井一尚

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00014

Abstract: 在制造由细丝键合形成突点的半导体晶片的情况下，在容易在键合焊盘上形成突点的同时，使突点的头部高度均一。提供一种半导体晶片的制造方法，其构成包含：用细丝键合在被形成于半导体晶片10表面上的键合焊盘11上形成突点14的工序；如埋入该突点14那样在该表面上被覆树脂形成树脂层15的树脂被覆工序；磨削该树脂层15使该突点14露出，使突点14的高度一致的磨削工序。

公开(公告)号：CN104516191B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201410520048.5

申请日：2014-09-30

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/26

Abstract: 本发明提供一种光掩模的制造方法，所述光掩模用于晶片加工，能够低价且容易地制造光掩模。所述制造方法的特征在于，其具备以下工序：准备工序，准备透光板和遮光板，所述透光板透光并具有与要加工的晶片同等以上的大小，所述遮光板遮挡光并具有与要加工的晶片同等以上的大小；槽形成工序，在该遮光板的应透过光的区域的正面形成不到达背面的槽；一体化工序，在该遮光板的形成有槽的正面夹着透光的黏合剂来粘贴该透光板从而形成为一体；以及磨削工序，在实施该一体化工序之后，将该透光板侧保持于卡盘工作台并对该遮光板的背面进行磨削，使该槽在背面露出。

公开(公告)号：CN104009002B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201410058232.2

申请日：2014-02-20

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  B23K26/38

Abstract: 本发明提供层叠晶片的加工方法,用于在晶片上层叠有芯片的层叠晶片中将芯片侧粘贴在粘合片上的状态下,也能够将晶片分割成各个芯片。该层叠晶片的加工方法的特征在于,至少在实施分割步骤之前具有如下固定步骤:在与外周剩余区域对应的区域上,在粘合片和晶片的表面的之间配设固定剂,将晶片的外周剩余区域固定在粘合片上。

公开(公告)号：CN101136313B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200710146695.4

申请日：2007-08-24

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L21/3221

Abstract: 本发明提供一种吸杂层形成装置，在经过磨削的半导体晶片的背面形成由多晶硅层或氮化硅层构成的吸杂层的情况下，能够使吸杂层产生充分的吸杂效果。本发明提供吸杂层形成装置(1)，其至少由以下部分构成：吸盘工作台(18)，其具有保持半导体晶片的保持面(180)；磨削单元(20、21)，其对表面侧保持在保持面(180)上的半导体晶片(W)的背面(W2)进行磨削；清洗单元(15)，其对背面(W2)被磨削了的半导体晶片(W)进行清洗；吸杂层形成单元(47)，其容纳清洗完的半导体晶片(W)，并在半导体晶片(W)的背面(W2)上，形成氮化硅层或多晶硅层中的任一层来作为吸杂层。吸杂层形成单元兼具有对半导体晶片的背面进行干刻蚀的干刻蚀单元的功能。

公开(公告)号：CN1991872B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200610164093.7

申请日：2006-12-07

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 关家一马 ,  梶山启一 ,  荒井一尚

IPC: G06K19/077 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  B23K26/00 ,  B26F1/26

Abstract: 本发明的目的在于高效率地形成用于确定存储卡的插入方向的异形部，提高生产率。提供一种存储卡的制造方法，该存储卡的制造方法包括异形部形成工序和分割工序；该异形部形成工序对多个存储卡统一地形成异形部(9)，该异形部(9)用于确定存储卡相对卡槽的插入方向；该分割工序使分离预定线(5)分离，分割成一个个的存储卡。这样，可对多个存储卡一次形成多个异形部，所以，效率高，可提高生产率。

公开(公告)号：CN101483142A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200910001453.5

申请日：2009-01-09

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚 ,  川合章仁

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/032 ,  B23K26/044 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/382 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/33 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14

Abstract: 可获得即使使晶片厚度变薄也不会破损地进行层叠且整体厚度薄的层叠器件的层叠器件制造方法，使用形成有环状加强部的加强晶片来制造层叠器件，包含：晶片层叠工序，准备基盘晶片，基盘晶片具有比加强晶片的环状加强部的内径稍小的直径，在表面上形成有与加强晶片的形成在器件区域内的多个间隔道和多个器件对应的多个间隔道和多个器件，使基盘晶片的表面面对加强晶片中的与器件区域对应的背面，使相互对应的间隔道一致来接合，形成层叠晶片；电极连接工序，在形成于构成层叠晶片的加强晶片的各器件上的电极所在的部位，形成到达形成在基盘晶片的各器件上的电极的通孔，在通孔内埋设导电体来将电极之间连接；分割工序，将层叠晶片沿间隔道切断，分割成各个层叠器件。

公开(公告)号：CN101456222A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200810186932.4

申请日：2008-12-10

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚

IPC: B28D5/04

Abstract: 本发明提供一种晶片的分割方法，其能够沿着呈格子状地形成的间隔道高效率地分割多个晶片。晶片在表面上通过呈格子状地形成的间隔道而划分出多个区域，并在该划分出的区域上形成有多个器件，上述晶片的分割方法沿着间隔道将上述晶片分割成一个个器件，在上述晶片的分割方法中，在将多个光器件晶片粘贴在安装于环状框架的切割带的表面上的状态下，实施以下工序：激光加工槽形成工序，沿着间隔道对多个晶片分别照射激光光线，从而在晶片上沿着间隔道形成激光加工槽；分割工序，将晶片沿着形成有激光加工槽的间隔道分割成一个个器件；和拾取工序，将分割成一个一个的器件从切割带剥离并进行拾取。

公开(公告)号：CN101136313A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710146695.4

申请日：2007-08-24

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L21/3221

Abstract: 本发明提供一种吸杂层形成装置，在经过磨削的半导体晶片的背面形成由多晶硅层或氮化硅层构成的吸杂层的情况下，能够使吸杂层产生充分的吸杂效果。本发明提供吸杂层形成装置(1)，其至少由以下部分构成：吸盘工作台(18)，其具有保持半导体晶片的保持面(180)；磨削单元(20、21)，其对表面侧保持在保持面(180)上的半导体晶片(W)的背面(W2)进行磨削；清洗单元(15)，其对背面(W2)被磨削了的半导体晶片(W)进行清洗；吸杂层形成单元(47)，其容纳清洗完的半导体晶片(W)，并在半导体晶片(W)的背面(W2)上，形成氮化硅层或多晶硅层中的任一层来作为吸杂层。

公开(公告)号：CN104282581B

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201410320031.5

申请日：2014-07-07

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚

IPC: H01L21/50

Abstract: 本发明提供树脂片粘贴方法，能够以均匀的厚度在被加工物上粘贴树脂片。在将树脂片粘贴到被加工物的树脂片粘贴方法中，包括：低分子量化处理步骤，对树脂片的表面照射真空紫外线，在树脂片的表面起至几十nm的深度范围内切断分子间键合，实施低分子量化处理来生成粘接力；以及树脂片粘贴步骤，将实施低分子量化处理后的树脂片的表面粘贴到被加工物。

公开(公告)号：CN103903974B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201310700716.8

申请日：2013-12-18

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 松崎荣 ,  川合章仁 ,  荒井一尚

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明是晶片的加工方法，能不使器件品质降低地将树脂膜装配到各器件的背面。该方法将晶片沿间隔道分割成一个个器件并将树脂膜装配到各器件的背面，包括：保护部件粘贴工序，将保护部件粘贴到晶片正面；背面磨削工序，对晶片背面进行磨削而形成为规定的厚度；树脂膜装配工序，将树脂膜装配到晶片背面；抗蚀剂膜覆盖工序，在树脂膜表面的规定的区域覆盖抗蚀剂膜；蚀刻工序，从晶片背面侧进行等离子蚀刻，沿间隔道对树脂膜进行蚀刻并对晶片进行蚀刻，沿着间隔道将树脂膜和晶片按一个个器件进行分割；抗蚀剂膜除去工序，除去覆盖在树脂膜表面的抗蚀剂膜；以及晶片支撑工序，将切割带粘贴到树脂膜侧，且通过环状框架支撑切割带外周部并剥离保护部件。