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公开(公告)号：CN117506713A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310905291.8
申请日：2023-07-21
申请人： 株式会社迪思科
摘要： 本发明提供研磨垫和研磨方法，在对碳化硅的单晶基板进行研磨时，使研磨速率为规定值以上，并且兼顾被研磨面的划痕数量的减少和形成于被研磨面的起伏程度的降低。该研磨垫用于研磨碳化硅基板，其包含聚氨酯和由聚氨酯固定的磨粒，30℃的由损耗模量(E”)/储能模量(E’)表示的损耗角正切(tanδ)为0.1以上0.35以下，且玻璃化转变温度为40℃以上65℃以下。
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公开(公告)号：CN114058329A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110855336.6
申请日：2021-07-28
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： C09K3/14
摘要： [课题]本发明提供一种研磨液，与使用仅溶解有通过水解显示出碱性的有机盐的水溶液作为研磨液的情况相比，该研磨液可提高研磨速率，并且不含有金属。[解决手段]本发明提供一种研磨液，其是使用将磨粒固定于垫中而成的固定磨粒研磨垫对晶片的一个面进行研磨时所使用的研磨液，其中，该研磨液溶解有通过水解显示出碱性且不含有金属的有机盐、以及不含有金属的有机碱，并且不含有磨粒。优选的是，有机盐由强碱的阳离子和弱酸的阴离子构成，有机碱包含氨、胺以及碱性氨基酸中的一种以上。
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公开(公告)号：CN106409761A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610616617.5
申请日：2016-07-29
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/304
摘要： 提供被加工物的加工方法，防止磨粒对器件芯片的附着。一种被加工物的加工方法，包含如下的工序：分割工序，从被加工物(11)的正面(11a)沿着分割预定线形成相当于器件芯片(17)的完工厚度的深度的分割槽(15)，对被加工物的背面(11b)进行磨削而使分割槽在背面侧露出，由此将被加工物分割成一个个的器件芯片；以及研磨工序，在实施了分割工序之后，一边对被加工物提供不包含磨粒的研磨液一边使用包含磨粒的研磨垫(44)而对被加工物的背面进行研磨，由此将被加工物的背面的磨削畸变去除，并且将所分割的一个个的器件芯片的边缘部(17a)加工成曲面状。
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公开(公告)号：CN117637575A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311029885.3
申请日：2023-08-16
申请人： 株式会社迪思科
发明人： 有福法久
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明提供保护部件的设置方法，能够抑制设置后取下保护部件的工夫并且抑制保护部件的厚度精度的降低。保护部件的设置方法具有如下的步骤：拉出步骤(102)，从将包含热塑性树脂且形成为具有比被加工物的直径大的宽度的片状的保护部件呈卷状卷绕而得的片卷拉出保护部件；薄化步骤(103)，一边对拉出的保护部件进行加热而使保护部件软化或熔融，一边使保护部件沿卷的拉出方向延伸而薄化；以及一体化步骤(104)，使通过薄化步骤(103)而薄化的保护部件与被加工物紧贴，使被加工物与保护部件一体化，在保护部件保持着被薄化步骤(103)加热的热量的状态下，实施一体化步骤(104)。
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公开(公告)号：CN107895693B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201710872428.9
申请日：2017-09-25
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B57/02
摘要： 提供晶片的加工方法，在对背面具有环状加强部的晶片的凹部进行研磨时提高生产性和加工性。一种晶片(W)的加工方法，该晶片在正面上具有形成有多个器件的器件区域(W1)和围绕该器件区域的外周剩余区域(W2)，该晶片的加工方法具有如下工序：将晶片(W)的正面(WS)侧保持在卡盘工作台(22)上，对晶片(W)的背面(WR)的相当于器件区域的区域进行磨削而形成凹部(W3)，从而在该凹部(W3)的外周侧形成包含该外周剩余区域(W2)的环状加强部(W4)；以及一边对背面(WR)提供研磨液一边使卡盘工作台(22)和具有大于等于晶片(W)的直径的研磨垫(78b)进行旋转而使研磨垫(78b)按压在晶片(W)的背面上，从而对凹部(W3)进行研磨。
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公开(公告)号：CN108074841B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201711088371.X
申请日：2017-11-08
申请人： 株式会社迪思科
摘要： 提供封装基板切断用治具工作台，其能够提高封装基板的加工品质。封装基板切断用治具工作台在对封装基板进行切断加工时使用，其具有：治具基座；以及保持部件，其以能够取下的方式安装于治具基座上，保持部件具有：保持面，其对封装基板进行保持；多个切削刀具用退刀槽，它们与封装基板的分割预定线对应地形成于保持面侧；以及吸引孔，其形成于该保持面的由切削刀具用退刀槽划分的各区域中，该保持部件的动态粘弹性模量的值为0.16以上且0.41以下。
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公开(公告)号：CN110355682A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910220455.7
申请日：2019-03-22
申请人： 株式会社迪思科
摘要： 本发明提供一种新的SiC基板的研磨方法，能够同时实现高的研磨效率和充分的平坦性。该SiC基板的研磨方法是使含有磨粒的研磨垫与SiC基板接触而对SiC基板进行研磨的方法，其中，该SiC基板的研磨方法包括下述工序：第1研磨工序，一边向SiC基板与研磨垫接触的区域供给酸性研磨液一边对SiC基板进行研磨；以及第2研磨工序，在第1研磨工序之后，在停止供给酸性研磨液的状态下，一边向该区域仅供给水一边对SiC基板进行研磨。
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公开(公告)号：CN112802790A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011251102.2
申请日：2020-11-11
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明提供保护部件的设置方法和保护部件的制造方法，该保护部件即使从被加工物剥离也不会作为残渣而残留在被加工物上，减少在加工中成为垫层而使被加工物缺损或使芯片飞散的情况。保护部件的设置方法包含如下的步骤：树脂提供步骤，向支承工作台的平坦的支承面提供热塑性树脂；保护部件形成步骤，对热塑性树脂一边进行加热而软化一边沿着支承面推开而成型为片状，在支承面上形成片状的热塑性树脂的保护部件；保护部件粘接步骤，使作为被加工物的一个面的正面紧贴于片状的保护部件的一个面，对紧贴的保护部件进行加热而将保护部件粘接于被加工物；和粘接后冷却步骤，对通过保护部件粘接步骤进行了加热的保护部件进行冷却。
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公开(公告)号：CN108074841A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711088371.X
申请日：2017-11-08
申请人： 株式会社迪思科
CPC分类号： B28D7/046 , B25B11/005 , H01L21/67092 , H01L21/6838 , H01L21/68778 , H01L21/78
摘要： 提供封装基板切断用治具工作台，其能够提高封装基板的加工品质。封装基板切断用治具工作台在对封装基板进行切断加工时使用，其具有：治具基座；以及保持部件，其以能够取下的方式安装于治具基座上，保持部件具有：保持面，其对封装基板进行保持；多个切削刀具用退刀槽，它们与封装基板的分割预定线对应地形成于保持面侧；以及吸引孔，其形成于该保持面的由切削刀具用退刀槽划分的各区域中，该保持部件的动态粘弹性模量的值为0.16以上且0.41以下。
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公开(公告)号：CN107895693A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201710872428.9
申请日：2017-09-25
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B57/02
CPC分类号： H01L21/304 , B24B37/107 , B24B37/30 , B24B37/345 , B24B57/02
摘要： 提供晶片的加工方法，在对背面具有环状加强部的晶片的凹部进行研磨时提高生产性和加工性。一种晶片(W)的加工方法，该晶片在正面上具有形成有多个器件的器件区域(W1)和围绕该器件区域的外周剩余区域(W2)，该晶片的加工方法具有如下工序：将晶片(W)的正面(WS)侧保持在卡盘工作台(22)上，对晶片(W)的背面(WR)的相当于器件区域的区域进行磨削而形成凹部(W3)，从而在该凹部(W3)的外周侧形成包含该外周剩余区域(W2)的环状加强部(W4)；以及一边对背面(WR)提供研磨液一边使卡盘工作台(22)和具有大于等于晶片(W)的直径的研磨垫(78b)进行旋转而使研磨垫(78b)按压在晶片(W)的背面上，从而对凹部(W3)进行研磨。
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