公开(公告)号：CN1168106C

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN98114701.1

申请日：1998-06-10

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 福岛英子 ,  佐藤直行 ,  伊藤博之 ,  小川共三

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01F17/0013 ,  H01F17/04 ,  H01F41/043 ,  H01F41/046 ,  H01F41/16 ,  H01G4/30 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/4611 ,  H05K3/4629 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24926 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种在陶瓷体中有最少银扩散的多层电子元件。该电子元件是由多层的陶瓷坯片组成的陶瓷体烧结而成，陶瓷体由主晶相和晶界相组成，至少一个坯片片上印有含银的内部电极图案，该图案可以被用作指示元件的生产号码、厂商名称及电路种类等，其中在陶瓷体的离开内部电极图案边缘10μm或更远的部分的银的量占在陶瓷体的离开内部电极图案边缘10μm或更远的部分的金属元素的总量的0.5wt%或更少。利用本发明的生产方法可有效地防止内部电极中的银向陶瓷体内的扩散，从而避免了元件的性能恶化；同时也可避免陶瓷体表面的黑化，保证陶瓷体的高光亮度进而提高了直观区分和鉴别标识的可靠性。

公开(公告)号：CN101151384A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200580049340.2

申请日：2005-10-25

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 福岛英子

IPC: C22C1/10 ,  B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F3/02 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  B22F3/18 ,  B22F3/24 ,  C01B31/04

CPC classification number: C22C1/10 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C22C32/0084 ,  Y10T428/249927 ,  Y10T428/256 ,  Y10T428/266 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/31 ,  B22F3/04 ,  B22F3/02 ,  B22F3/18 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  B22F1/025 ,  B22F2003/248 ,  B22F3/105

Abstract: 本发明提供一种石墨粒子分散型复合体，其由用银、铜、铝等高热导率金属进行被覆的石墨粒子固化而成，其中，所述石墨粒子的平均粒径为20～500μm，所述石墨粒子和所述金属的体积比为60/40～95/5，所述复合体的至少一方向的热导率为150W/mK以上。

公开(公告)号：CN1219743A

公开(公告)日：1999-06-16

申请号：CN98114701.1

申请日：1998-06-10

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 福岛英子 ,  佐藤直行 ,  伊藤博之 ,  小川共三

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01F17/0013 ,  H01F17/04 ,  H01F41/043 ,  H01F41/046 ,  H01F41/16 ,  H01G4/30 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/4611 ,  H05K3/4629 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24926 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种在陶瓷体中有最少银扩散的多层电子元件。该电子元件是由多层的陶瓷坯片组成的陶瓷体烧结而成,陶瓷体由主晶相和晶界相组成,至少一个坯片片上印有含银的内部电极图案,该图案可以被用作指示元件的生产号码、厂商名称及电路种类等。利用本发明的生产方法可有效地防止内部电极中的银向陶瓷体内的扩散,从而避免了元件的性能恶化;同时也可避免陶瓷体表面的黑化,保证陶瓷体的高光亮度进而提高了直观区分和鉴别标识的可靠性。

公开(公告)号：CN105121694B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201480020520.7

申请日：2014-04-10

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 内山博幸 ,  福岛英子

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种氧化物半导体靶材，其由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体包含锌、锡、氧、以及相对于氧化物烧结体的总质量的含有比为0.005质量％～0.2质量％的铝，且硅相对于所述氧化物烧结体的总质量的含有比小于0.03质量％。

公开(公告)号：CN103579360B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310350174.6

申请日：2013-08-07

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 若菜裕纪 ,  内山博幸 ,  福岛英子

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/54 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/3244

Abstract: 提供实现了阈值电压的稳定性和OLED显示装置的工作所需的5cm2/Vs以上的迁移率的氧化物半导体材料、使用该氧化物材料的溅射靶、TFT的保护膜和使用它们的氧化物半导体装置，其不会产生难以实现沟道蚀刻结构的选择比小的技术问题以及在膜中产生缺氧的保护膜形成时的技术问题。本发明为：在以Zn‑Sn‑O为主要成分的半导体材料中，分别在0.07～3.8原子％、0.5～4.7原子％、0.32～6.4原子％的范围内添加5d过渡金属氧化物的W、Ta、Hf中任一种或2种以上，将所得氧化物半导体材料烧结而制成氧化物半导体靶；使用该靶形成的半导体沟道层和TFT保护膜用的氧化物半导体材料，以及具有这些的半导体装置。

公开(公告)号：CN102549191B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201080041823.9

申请日：2010-07-15

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 福岛英子

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/453 ,  H01L31/04

CPC classification number: C23C14/086 ,  C04B35/453 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供具有高烧结密度的、添加了硼(B)及钒(V)两者的ZnO系透明导电膜用靶及其制造方法。本发明的靶的特征在于，其为ZnO系透明导电膜用靶，所述靶是硼量以B2O3/(ZnO+B2O3+V2O3)×100的氧化物换算为0.5～10质量％、钒量以V2O3/(ZnO+B2O3+V2O3)×100的氧化物换算为0.05～5质量％、密度以相对密度计为90％以上的氧化物烧结体。本发明的制造方法使用H3BO3粉末作为硼源，使用V2O3粉末作为钒源。制造方法中，优选将混合H3BO3粉末和ZnO粉末或进一步混合V2O3粉末并预烧结而得到的预烧结粉末作为烧结原料进行烧结。

公开(公告)号：CN105385995B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201510536644.7

申请日：2015-08-27

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 福岛英子 ,  上坂修治郎 ,  玉田悠

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明提供在溅射成膜时、尤其是利用直流溅射法成膜时，在靶材的放电面不易产生结节的溅射靶材。一种溅射靶材，其为包含含Zn、Sn、O以及Al的氧化物烧结体的溅射靶材，前述氧化物烧结体的用[(Al的质量)/(氧化物烧结体的总质量)×100(％)]表示的Al的含有比率为0.005％～0.2％，前述溅射靶材的放电面的电子探针显微分析仪(EPMA)的面分析结果的数码图像所显示的含Al区域各自收纳于[x]×[y](x＝75μm、y＝75μm)的范围。

公开(公告)号：CN103443297B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180069426.7

申请日：2011-12-19

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 佐藤奈翁也 ,  印藤雄辉 ,  福岛英子 ,  片冈公太 ,  绫部阳介 ,  谷口彻 ,  三木贵博

IPC: C21C7/04 ,  C22C38/00 ,  C22C38/52

CPC classification number: C21C7/0006 ,  C22C38/00 ,  C22C38/002 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/44 ,  C22C38/46 ,  C22C38/52

Abstract: 本发明提供一种可以成品率良好地且简便地向钢水中添加锌的方法。是一种向钢水中添加锌的方法，其中，将Zn与Al和/或Si的复合氧化物投入到钢水中。而且，是一种向钢水中添加锌的方法，其中，将Ca的氧化物投入到前述钢水中。钢水优选为热加工工具钢的钢水。而且，是锌添加钢的制造方法，其中，将通过这些向钢水中添加锌的方法添加有锌的钢水进行铸造。铸造后的锌添加钢中包含的Zn的含量优选为0.001质量%以上。

公开(公告)号：CN102549191A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080041823.9

申请日：2010-07-15

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 福岛英子

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/453 ,  H01L31/04

CPC classification number: C23C14/086 ,  C04B35/453 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供具有高烧结密度的、添加了硼(B)及钒(V)两者的ZnO系透明导电膜用靶及其制造方法。本发明的靶的特征在于，其为ZnO系透明导电膜用靶，所述靶是硼量以B2O3/(ZnO+B2O3+V2O3)×100的氧化物换算为0.5～10质量％、钒量以V2O3/(ZnO+B2O3+V2O3)×100的氧化物换算为0.05～5质量％、密度以相对密度计为90％以上的氧化物烧结体。本发明的制造方法使用H3BO3粉末作为硼源，使用V2O3粉末作为钒源。制造方法中，优选将混合H3BO3粉末和ZnO粉末或进一步混合V2O3粉末并预烧结而得到的预烧结粉末作为烧结原料进行烧结。

公开(公告)号：CN105385995A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510536644.7

申请日：2015-08-27

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 福岛英子 ,  上坂修治郎 ,  玉田悠

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明提供在溅射成膜时、尤其是利用直流溅射法成膜时，在靶材的放电面不易产生结节的溅射靶材。一种溅射靶材，其为包含Zn、Sn、O以及Al的氧化物烧结体的溅射靶材，前述氧化物烧结体的用[(Al的质量)/(氧化物烧结体的总质量)×100(％)]表示的Al的含有比率为0.005％～0.2％，前述溅射靶材的放电面的电子探针显微分析仪(EPMA)的面分析结果的数码图像所显示的含Al区域各自收纳于[x]×[y](x＝75μm、y＝75μm)的范围。