公开(公告)号：CN103579360A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310350174.6

申请日：2013-08-07

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 若菜裕纪 ,  内山博幸 ,  福岛英子

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/54 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明提供实现了阈值电压的稳定性和OLED显示装置的工作所需的5cm2/Vs以上的迁移率的氧化物半导体材料、使用该氧化物材料的溅射靶、TFT的保护膜和使用它们的氧化物半导体装置，其不会产生难以实现沟道蚀刻结构的选择比小的技术问题以及在膜中产生缺氧的保护膜形成时的技术问题。本发明为：在以Zn-Sn-O为主要成分的半导体材料中，分别在0.07～3.8原子％、0.5～4.7原子％、0.32～6.4原子％的范围内添加5d过渡金属氧化物的W、Ta、Hf中任一种或2种以上，将所得氧化物半导体材料烧结而制成氧化物半导体靶；使用该靶形成的半导体沟道层和TFT保护膜用的氧化物半导体材料，以及具有这些的半导体装置。

公开(公告)号：CN103579360B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310350174.6

申请日：2013-08-07

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 若菜裕纪 ,  内山博幸 ,  福岛英子

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/54 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/3244

Abstract: 提供实现了阈值电压的稳定性和OLED显示装置的工作所需的5cm2/Vs以上的迁移率的氧化物半导体材料、使用该氧化物材料的溅射靶、TFT的保护膜和使用它们的氧化物半导体装置，其不会产生难以实现沟道蚀刻结构的选择比小的技术问题以及在膜中产生缺氧的保护膜形成时的技术问题。本发明为：在以Zn‑Sn‑O为主要成分的半导体材料中，分别在0.07～3.8原子％、0.5～4.7原子％、0.32～6.4原子％的范围内添加5d过渡金属氧化物的W、Ta、Hf中任一种或2种以上，将所得氧化物半导体材料烧结而制成氧化物半导体靶；使用该靶形成的半导体沟道层和TFT保护膜用的氧化物半导体材料，以及具有这些的半导体装置。