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公开(公告)号：CN105121694A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480020520.7
申请日：2014-04-10
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明提供一种氧化物半导体靶材，其由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体包含锌、锡、氧、以及相对于氧化物烧结体的总质量的含有比为0.005质量％～0.2质量％的铝，且硅相对于所述氧化物烧结体的总质量的含有比小于0.03质量％。
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公开(公告)号：CN103579360A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310350174.6
申请日：2013-08-07
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L51/54 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/3244
Abstract: 本发明提供实现了阈值电压的稳定性和OLED显示装置的工作所需的5cm2/Vs以上的迁移率的氧化物半导体材料、使用该氧化物材料的溅射靶、TFT的保护膜和使用它们的氧化物半导体装置，其不会产生难以实现沟道蚀刻结构的选择比小的技术问题以及在膜中产生缺氧的保护膜形成时的技术问题。本发明为：在以Zn-Sn-O为主要成分的半导体材料中，分别在0.07～3.8原子％、0.5～4.7原子％、0.32～6.4原子％的范围内添加5d过渡金属氧化物的W、Ta、Hf中任一种或2种以上，将所得氧化物半导体材料烧结而制成氧化物半导体靶；使用该靶形成的半导体沟道层和TFT保护膜用的氧化物半导体材料，以及具有这些的半导体装置。
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公开(公告)号：CN108950490B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810517955.2
申请日：2018-05-25
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/622 , C04B35/457 , C04B35/453
Abstract: 本发明提供一种氧化物靶材及其制造方法，所述氧化物靶材用于形成ZTO薄膜，所述ZTO薄膜为抑制阈值电压的不稳定性的、构成对高精细的显示器等进行驱动的TFT的沟道层的ZTO薄膜。相对于金属成分整体，含有20.0原子％～50.0％原子的Sn，余量由Zn及不可避免的杂质组成，面积10000μm2中的ZnO相的面积率为10.5面积％以下，更优选相对于金属成分整体，含有总计0.005原子％～4.000原子％的Al、Ga、Mo及W中的1种以上。
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公开(公告)号：CN109390236A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810725388.X
申请日：2018-07-04
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，实现了使用薄膜晶体管的半导体装置的高移动度化、高开电流化，且容易控制阈电位，能低成本、高良品率的制造且特性稳定。所述半导体装置具备栅极电极、源极电极和漏极电极，栅极电极与源极电极之间和栅极电极与漏极电极之间具有栅绝缘膜和氧化物半导体通道层，栅绝缘膜存在于栅极电极与氧化物半导体通道层之间，氧化物半导体通道层具备至少含有锌而不含铟的第一氧化物层和至少含有铟的第二氧化物层。该制造方法的条件是，将使第一氧化物层成膜时的氧添加比例设为a、将使第二氧化物层成膜时的氧添加比例设为b时，a大于1.1b小于1.6b。
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公开(公告)号：CN105321826B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510257183.X
申请日：2015-05-19
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/24
Abstract: 在对以锌为主要成分的氧化物半导体进行蚀刻加工时，氧化物半导体表面层被蚀刻，从而招致过大的侧面蚀刻。事先采用仅能选择性地蚀刻在氧化物半导体表面存在的氧化锌相的前处理液对氧化物半导体表面进行处理，由此抑制在光致抗蚀剂和氧化物半导体界面形成的空隙，从而抑制氧化物半导体蚀刻加工后的侧面蚀刻量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108950490A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810517955.2
申请日：2018-05-25
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/622 , C04B35/457 , C04B35/453
Abstract: 本发明提供一种氧化物靶材及其制造方法，所述氧化物靶材用于形成ZTO薄膜，所述ZTO薄膜为抑制阈值电压的不稳定性的、构成对高精细的显示器等进行驱动的TFT的沟道层的ZTO薄膜。相对于金属成分整体，含有20.0原子％～50.0％原子的Sn，余量由Zn及不可避免的杂质组成，面积10000μm2中的ZnO相的面积率为10.5面积％以下，更优选相对于金属成分整体，含有总计0.005原子％～4.000原子％的Al、Ga、Mo及W中的1种以上。
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公开(公告)号：CN105121694B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201480020520.7
申请日：2014-04-10
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明提供一种氧化物半导体靶材，其由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体包含锌、锡、氧、以及相对于氧化物烧结体的总质量的含有比为0.005质量％～0.2质量％的铝，且硅相对于所述氧化物烧结体的总质量的含有比小于0.03质量％。
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公开(公告)号：CN103579360B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310350174.6
申请日：2013-08-07
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L51/54 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/3244
Abstract: 提供实现了阈值电压的稳定性和OLED显示装置的工作所需的5cm2/Vs以上的迁移率的氧化物半导体材料、使用该氧化物材料的溅射靶、TFT的保护膜和使用它们的氧化物半导体装置，其不会产生难以实现沟道蚀刻结构的选择比小的技术问题以及在膜中产生缺氧的保护膜形成时的技术问题。本发明为：在以Zn‑Sn‑O为主要成分的半导体材料中，分别在0.07～3.8原子％、0.5～4.7原子％、0.32～6.4原子％的范围内添加5d过渡金属氧化物的W、Ta、Hf中任一种或2种以上，将所得氧化物半导体材料烧结而制成氧化物半导体靶；使用该靶形成的半导体沟道层和TFT保护膜用的氧化物半导体材料，以及具有这些的半导体装置。
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公开(公告)号：CN109390236B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201810725388.X
申请日：2018-07-04
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，实现了使用薄膜晶体管的半导体装置的高移动度化、高开电流化，且容易控制阈电位，能低成本、高良品率的制造且特性稳定。所述半导体装置具备栅极电极、源极电极和漏极电极，栅极电极与源极电极之间和栅极电极与漏极电极之间具有栅绝缘膜和氧化物半导体通道层，栅绝缘膜存在于栅极电极与氧化物半导体通道层之间，氧化物半导体通道层具备至少含有锌而不含铟的第一氧化物层和至少含有铟的第二氧化物层。该制造方法的条件是，将使第一氧化物层成膜时的氧添加比例设为a、将使第二氧化物层成膜时的氧添加比例设为b时，a大于1.1b小于1.6b。
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公开(公告)号：CN107026208B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201710009742.4
申请日：2017-01-06
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置提高半导体装置(薄膜晶体管)的特性。半导体装置构成如下：具有形成在基板(SUB)上的栅电极(GE)、在其上面隔着栅绝缘膜(GI)形成的第1金属氧化物半导体膜(MO1)、形成在其上面的第2金属氧化物半导体膜(MO2)、以及形成在其上面的源、漏电极(SD)。并且，使第1金属氧化物半导体膜(MO1)的端部与第2金属氧化物半导体膜(MO2)的端部相比后退。根据这样的构成，能够确保下层的第1金属氧化物半导体膜(MO1)与源、漏电极(SD)的距离。由此，能够防止源、漏电极(SD)与下层的第1金属氧化物半导体膜(MO1)的短路，能够提高晶体管特性。
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