公开(公告)号：CN105321826A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510257183.X

申请日：2015-05-19

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 内山博幸 ,  谷口隆文 ,  矢之部秀隆

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 在对以锌为主要成分的氧化物半导体进行蚀刻加工时，氧化物半导体表面层被蚀刻，从而招致过大的侧面蚀刻。事先采用仅能选择性地蚀刻在氧化物半导体表面存在的氧化锌相的前处理液对氧化物半导体表面进行处理，由此抑制在光致抗蚀剂和氧化物半导体界面形成的空隙，从而抑制氧化物半导体蚀刻加工后的侧面蚀刻量。

公开(公告)号：CN105321826B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201510257183.X

申请日：2015-05-19

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 内山博幸 ,  谷口隆文 ,  矢之部秀隆

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24

Abstract: 在对以锌为主要成分的氧化物半导体进行蚀刻加工时，氧化物半导体表面层被蚀刻，从而招致过大的侧面蚀刻。事先采用仅能选择性地蚀刻在氧化物半导体表面存在的氧化锌相的前处理液对氧化物半导体表面进行处理，由此抑制在光致抗蚀剂和氧化物半导体界面形成的空隙，从而抑制氧化物半导体蚀刻加工后的侧面蚀刻量。