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公开(公告)号：CN101801883A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880108158.3
申请日：2008-09-19
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C04B35/478 , B01D39/20
CPC classification number: C04B35/478 , C04B35/62665 , C04B38/0006 , C04B2111/00793 , C04B2235/3418 , C04B2235/3463 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , Y10T428/24149 , C04B35/185 , C04B38/0054 , C04B38/0074 , C04B38/067 , C04B38/0675 , C04B38/068 , C04B38/10
Abstract: 本发明提供一种蜂窝结构体及其制造方法，所述蜂窝结构体是将由含有二氧化钛粉末、氧化铝粉末、二氧化硅粉末及莫来石粉末的混合物制成的蜂窝成型体烧结而成的、结晶相包含钛酸铝及莫来石的蜂窝结构体，其中，在所述混合物中，相对于上述二氧化钛粉末及上述氧化铝粉末的合计100质量份含有二氧化硅粉末1～10质量份及莫来石粉末5～30质量份，并且，在上述莫来石粉末中，直径10～50μm的粒子的比例为40～60质量％且直径3μm以下的粒子的比例为5～30质量％。
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公开(公告)号：CN108950490B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810517955.2
申请日：2018-05-25
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/622 , C04B35/457 , C04B35/453
Abstract: 本发明提供一种氧化物靶材及其制造方法，所述氧化物靶材用于形成ZTO薄膜，所述ZTO薄膜为抑制阈值电压的不稳定性的、构成对高精细的显示器等进行驱动的TFT的沟道层的ZTO薄膜。相对于金属成分整体，含有20.0原子％～50.0％原子的Sn，余量由Zn及不可避免的杂质组成，面积10000μm2中的ZnO相的面积率为10.5面积％以下，更优选相对于金属成分整体，含有总计0.005原子％～4.000原子％的Al、Ga、Mo及W中的1种以上。
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公开(公告)号：CN101861288A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200880116297.0
申请日：2008-11-14
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: B29C71/02 , C03C14/00 , C03C2214/20 , C04B35/478 , C04B38/0006 , C04B41/009 , C04B41/5089 , C04B41/85 , C04B2111/00793 , C04B2111/0081 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3232 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , F01N3/0222 , C04B38/0054 , C04B38/0074 , C04B38/068 , C04B41/5041
Abstract: 本发明提供一种钛酸铝质陶瓷蜂窝状结构体及其制造方法，所述钛酸铝质陶瓷蜂窝状结构体具有用多孔的间壁隔开的多个通路，其特征在于，所述间壁至少由固溶有MgO及SiO2的钛酸铝的主结晶和玻璃相构成，所述玻璃相含有40～80质量％的SiO2及1～20质量％的MgO，所述间壁中的剖面的玻璃相的平均尺寸为30μm以下，所述间壁的剖面中的所述玻璃相相对于所述钛酸铝的主结晶及所述玻璃相的合计面积的面积比率为2～12％。
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公开(公告)号：CN101553445A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200780045679.4
申请日：2007-12-25
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C04B35/478 , B29C47/0028 , C04B35/6365 , C04B38/0006 , C04B2111/00793 , C04B2111/0081 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3232 , C04B2235/3272 , C04B2235/3418 , C04B2235/3463 , C04B2235/3472 , C04B2235/401 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/6021 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C04B2235/9607 , C04B38/0054 , C04B38/0074 , C04B38/067 , C04B38/0675 , C04B38/068 , C04B38/08 , C04B35/195 , C04B38/0051 , C04B38/02
Abstract: 钛酸铝质陶瓷蜂窝状结构体的制造方法，其为将配制好的TiO2和Al2O3的摩尔比为45∶55～55∶45范围的TiO2源粉末及Al2O3源粉末、助烧剂及/或助形剂进行混合及混炼，将形成的可塑性坯土挤压成形后，进行干燥及烧结的钛酸铝质陶瓷蜂窝状结构体的制造方法，其特征在于，上述TiO2源粉末具有如下粒度分布，即：在0.2～4μm粒径范围的频率的最大值及在10～100μm粒径范围的频率的最大值，均比在上述2个粒径范围以外的频率的最大值大(相对于[log(粒径)]的质量基准的频率分布)。
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公开(公告)号：CN106868459B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201611127906.5
申请日：2016-12-09
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种溅射靶材，其能够抑制在溅射靶材的机械加工时、焊接工序中的翻转作业等处理中的裂纹的产生。一种溅射靶材，其为相对于金属成分整体，含有20原子％～50原子％的Sn、50原子％～80原子％的Zn的氧化物烧结体，在每1050μm2中，具有超过2.0μm的圆当量直径的孔隙不足1个，优选相对密度的平均值为98.5％以上，更优选其的距平均值的离散度为0.3％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106435492A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610653744.2
申请日：2016-08-10
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/086
Abstract: 本发明提供一种氧化物溅射靶材，其能够抑制由氧化物溅射靶材的焊接作业工序、溅射工序中的热处理导致的裂纹的产生。一种氧化物溅射靶材，其金属成分具有如下组成：含有20～50原子％的Sn、余量由Zn和不可避免的杂质组成，22℃～400℃下的断裂弯曲应变为0.24％以上、或200℃下的抗弯强度为130MPa以上，相对密度的平均值优选为98.5％以上，其离散度更优选为0.3％以下。
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公开(公告)号：CN101553445B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200780045679.4
申请日：2007-12-25
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C04B35/478 , B29C47/0028 , C04B35/6365 , C04B38/0006 , C04B2111/00793 , C04B2111/0081 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3232 , C04B2235/3272 , C04B2235/3418 , C04B2235/3463 , C04B2235/3472 , C04B2235/401 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/6021 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C04B2235/9607 , C04B38/0054 , C04B38/0074 , C04B38/067 , C04B38/0675 , C04B38/068 , C04B38/08 , C04B35/195 , C04B38/0051 , C04B38/02
Abstract: 钛酸铝质陶瓷蜂窝状结构体的制造方法，其为将配制好的TiO2和Al2O3的摩尔比为45∶55～55∶45范围的TiO2源粉末及Al2O3源粉末、助烧剂及/或助形剂进行混合及混炼，将形成的可塑性坯土挤压成形后，进行干燥及烧结的钛酸铝质陶瓷蜂窝状结构体的制造方法，其特征在于，上述TiO2源粉末具有如下粒度分布，即：在0.2～4μm粒径范围的频率的最大值及在10～100μm粒径范围的频率的最大值，均比在上述2个粒径范围以外的频率的最大值大(相对于[log(粒径)]的质量基准的频率分布)。
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公开(公告)号：CN108950490A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810517955.2
申请日：2018-05-25
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/622 , C04B35/457 , C04B35/453
Abstract: 本发明提供一种氧化物靶材及其制造方法，所述氧化物靶材用于形成ZTO薄膜，所述ZTO薄膜为抑制阈值电压的不稳定性的、构成对高精细的显示器等进行驱动的TFT的沟道层的ZTO薄膜。相对于金属成分整体，含有20.0原子％～50.0％原子的Sn，余量由Zn及不可避免的杂质组成，面积10000μm2中的ZnO相的面积率为10.5面积％以下，更优选相对于金属成分整体，含有总计0.005原子％～4.000原子％的Al、Ga、Mo及W中的1种以上。
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公开(公告)号：CN107236877A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710192660.8
申请日：2017-03-28
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供溅射靶材及其制造方法，该溅射靶材为用于减少分割溅射靶中的分割数的长尺寸制品，且在均匀地控制氧化物半导体膜的厚度方面是适宜的。一种溅射靶材，其为相对于金属成分整体含有20～50原子％的Sn、余量为Zn和不可避免的杂质的氧化物烧结体，且该溅射靶材的长边为660mm以上，短边为200mm以上，厚度方向的相对密度的离散度[(最大值‑最小值)/平均值×100](％)为0.4％以下。
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公开(公告)号：CN106868459A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201611127906.5
申请日：2016-12-09
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/086
Abstract: 本发明提供一种溅射靶材，其能够抑制在溅射靶材的机械加工时、焊接工序中的翻转作业等处理中的裂纹的产生。一种溅射靶材，其为相对于金属成分整体，含有20原子％～50原子％的Sn、50原子％～80原子％的Zn的氧化物烧结体，在每1050μm2中，具有超过2.0μm的圆当量直径的孔隙不足1个，优选相对密度的平均值为98.5％以上，更优选其的距平均值的离散度为0.3％以下。
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