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公开(公告)号：CN105385995A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510536644.7
申请日：2015-08-27
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供在溅射成膜时、尤其是利用直流溅射法成膜时，在靶材的放电面不易产生结节的溅射靶材。一种溅射靶材，其为包含Zn、Sn、O以及Al的氧化物烧结体的溅射靶材，前述氧化物烧结体的用[(Al的质量)/(氧化物烧结体的总质量)×100(％)]表示的Al的含有比率为0.005％～0.2％，前述溅射靶材的放电面的电子探针显微分析仪(EPMA)的面分析结果的数码图像所显示的含Al区域各自收纳于[x]×[y](x＝75μm、y＝75μm)的范围。
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公开(公告)号：CN108950490B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810517955.2
申请日：2018-05-25
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/622 , C04B35/457 , C04B35/453
Abstract: 本发明提供一种氧化物靶材及其制造方法，所述氧化物靶材用于形成ZTO薄膜，所述ZTO薄膜为抑制阈值电压的不稳定性的、构成对高精细的显示器等进行驱动的TFT的沟道层的ZTO薄膜。相对于金属成分整体，含有20.0原子％～50.0％原子的Sn，余量由Zn及不可避免的杂质组成，面积10000μm2中的ZnO相的面积率为10.5面积％以下，更优选相对于金属成分整体，含有总计0.005原子％～4.000原子％的Al、Ga、Mo及W中的1种以上。
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公开(公告)号：CN102803527B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201180014738.8
申请日：2011-03-07
Applicant: 日立金属株式会社 , 泰科纳等离子系统有限公司
CPC classification number: C23C16/06 , C22B34/1272 , F27B17/00 , F27D2099/0015 , Y02P10/253
Abstract: 本发明提供一种金属钛制造装置，其包括：(a)使固体镁蒸发的镁蒸发部及与蒸发部连通的供应气体状的镁的第一流路；(b)供应气体状的四氯化钛的第二流路；(c)与第一流路及第二流路连通的混合气体状的镁和四氯化钛的气体混合部，其绝对压力控制为50kPa～500kPa，温度控制为1600℃以上；(d)与气体混合部连通，并配置有至少一部分处于715～1500℃的温度范围的析出用基材，且绝对压力为50kPa～500kPa的金属钛析出部；(e)与金属钛析出部连通的混合气体的排出部。
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公开(公告)号：CN103221558A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180056148.1
申请日：2011-11-17
Applicant: 日立金属株式会社 , 泰科纳等离子系统有限公司
CPC classification number: C22B34/129 , C22B34/1272 , F27D11/06 , F27D11/08 , Y02P10/253
Abstract: 金属钛制造装置，包括：（a）用于对镁进行加热而使其成为气体状的第1加热部和用于供给该气体状的镁的第1流路，（b）第2加热部和第2流路，第2加热部用于对四氯化钛进行加热而使其成为1600℃以上的气体状，第2流路用于供给该气体状的四氯化钛；（c）文丘里部，第2流路与其入口流路相连结，第1流路与其喉部汇合，由此，镁和四氯化钛在喉部汇合，且在出口流路内形成混合气体，喉部和出口流路的温度被控制在1600℃以上；（d）金属钛析出部，其与出口流路相连通，并具有处于715℃～1500℃的温度范围内的析出用基材；（e）混合气体的排出部，其与金属钛析出部相连通。
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公开(公告)号：CN105385995B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201510536644.7
申请日：2015-08-27
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供在溅射成膜时、尤其是利用直流溅射法成膜时，在靶材的放电面不易产生结节的溅射靶材。一种溅射靶材，其为包含含Zn、Sn、O以及Al的氧化物烧结体的溅射靶材，前述氧化物烧结体的用[(Al的质量)/(氧化物烧结体的总质量)×100(％)]表示的Al的含有比率为0.005％～0.2％，前述溅射靶材的放电面的电子探针显微分析仪(EPMA)的面分析结果的数码图像所显示的含Al区域各自收纳于[x]×[y](x＝75μm、y＝75μm)的范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103221558B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201180056148.1
申请日：2011-11-17
Applicant: 日立金属株式会社 , 泰科纳等离子系统有限公司
CPC classification number: C22B34/129 , C22B34/1272 , F27D11/06 , F27D11/08 , Y02P10/253
Abstract: 金属钛制造装置，包括：（a）用于对镁进行加热而使其成为气体状的第1加热部和用于供给该气体状的镁的第1流路，（b）第2加热部和第2流路，第2加热部用于对四氯化钛进行加热而使其成为1600℃以上的气体状，第2流路用于供给该气体状的四氯化钛；（c）文丘里部，第2流路与其入口流路相连结，第1流路与其喉部汇合，由此，镁和四氯化钛在喉部汇合，且在出口流路内形成混合气体，喉部和出口流路的温度被控制在1600℃以上；（d）金属钛析出部，其与出口流路相连通，并具有处于715℃～1500℃的温度范围内的析出用基材；（e）混合气体的排出部，其与金属钛析出部相连通。
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公开(公告)号：CN102428195A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021606.3
申请日：2010-05-28
Applicant: 日立金属株式会社 , 泰科纳等离子系统有限公司
CPC classification number: C22B34/1272 , C22B4/005 , C22B4/08 , C22B5/04
Abstract: 本发明涉及一种金属钛的制造方法，其包括：(a)将四氯化钛以及镁供应给绝对压力50kPa～500kPa、温度1700℃以上的混合空间中，形成混合气体的工序；(b)将混合气体导入析出空间的工序；(c)使金属钛在析出用基材上析出成长的工序；(d)将经过工序(c)之后的混合气体排出的工序。在此，析出空间具有50kPa～500kPa的绝对压力，在析出空间中配置析出用基材，析出用基材的至少一部分处于715～1500℃的温度范围。
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公开(公告)号：CN106868459B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201611127906.5
申请日：2016-12-09
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种溅射靶材，其能够抑制在溅射靶材的机械加工时、焊接工序中的翻转作业等处理中的裂纹的产生。一种溅射靶材，其为相对于金属成分整体，含有20原子％～50原子％的Sn、50原子％～80原子％的Zn的氧化物烧结体，在每1050μm2中，具有超过2.0μm的圆当量直径的孔隙不足1个，优选相对密度的平均值为98.5％以上，更优选其的距平均值的离散度为0.3％以下。
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公开(公告)号：CN106435492A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610653744.2
申请日：2016-08-10
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/086
Abstract: 本发明提供一种氧化物溅射靶材，其能够抑制由氧化物溅射靶材的焊接作业工序、溅射工序中的热处理导致的裂纹的产生。一种氧化物溅射靶材，其金属成分具有如下组成：含有20～50原子％的Sn、余量由Zn和不可避免的杂质组成，22℃～400℃下的断裂弯曲应变为0.24％以上、或200℃下的抗弯强度为130MPa以上，相对密度的平均值优选为98.5％以上，其离散度更优选为0.3％以下。
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公开(公告)号：CN102428195B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201080021606.3
申请日：2010-05-28
Applicant: 日立金属株式会社 , 泰科纳等离子系统有限公司
CPC classification number: C22B34/1272 , C22B4/005 , C22B4/08 , C22B5/04
Abstract: 本发明涉及一种金属钛的制造方法，其包括：(a)将四氯化钛以及镁供应给绝对压力50kPa～500kPa、温度1700℃以上的混合空间中，形成混合气体的工序；(b)将混合气体导入析出空间的工序；(c)使金属钛在析出用基材上析出成长的工序；(d)将经过工序(c)之后的混合气体排出的工序。在此，析出空间具有50kPa～500kPa的绝对压力，在析出空间中配置析出用基材，析出用基材的至少一部分处于715～1500℃的温度范围。
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