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公开(公告)号：CN105385995A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510536644.7
申请日：2015-08-27
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供在溅射成膜时、尤其是利用直流溅射法成膜时，在靶材的放电面不易产生结节的溅射靶材。一种溅射靶材，其为包含Zn、Sn、O以及Al的氧化物烧结体的溅射靶材，前述氧化物烧结体的用[(Al的质量)/(氧化物烧结体的总质量)×100(％)]表示的Al的含有比率为0.005％～0.2％，前述溅射靶材的放电面的电子探针显微分析仪(EPMA)的面分析结果的数码图像所显示的含Al区域各自收纳于[x]×[y](x＝75μm、y＝75μm)的范围。
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公开(公告)号：CN108950490B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810517955.2
申请日：2018-05-25
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/622 , C04B35/457 , C04B35/453
Abstract: 本发明提供一种氧化物靶材及其制造方法，所述氧化物靶材用于形成ZTO薄膜，所述ZTO薄膜为抑制阈值电压的不稳定性的、构成对高精细的显示器等进行驱动的TFT的沟道层的ZTO薄膜。相对于金属成分整体，含有20.0原子％～50.0％原子的Sn，余量由Zn及不可避免的杂质组成，面积10000μm2中的ZnO相的面积率为10.5面积％以下，更优选相对于金属成分整体，含有总计0.005原子％～4.000原子％的Al、Ga、Mo及W中的1种以上。
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公开(公告)号：CN105385995B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201510536644.7
申请日：2015-08-27
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供在溅射成膜时、尤其是利用直流溅射法成膜时，在靶材的放电面不易产生结节的溅射靶材。一种溅射靶材，其为包含含Zn、Sn、O以及Al的氧化物烧结体的溅射靶材，前述氧化物烧结体的用[(Al的质量)/(氧化物烧结体的总质量)×100(％)]表示的Al的含有比率为0.005％～0.2％，前述溅射靶材的放电面的电子探针显微分析仪(EPMA)的面分析结果的数码图像所显示的含Al区域各自收纳于[x]×[y](x＝75μm、y＝75μm)的范围。
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公开(公告)号：CN107849689A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042827.6
申请日：2016-07-26
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 提供用以抑制溅射时栅极电极的污染，且形成获得稳定的薄膜晶体管特性的栅极电极的靶材。本发明是一种如下的靶材，其是含有合计50原子％以下的选自由W、Nb、Ta、Ni、Ti、Cr所组成的群组的一种或两种以上的元素M，剩余部分包含Mo及不可避免的杂质的靶材，不可避免的杂质之一的K为0.4质量ppm～20.0质量ppm，且优选为含有10原子％～50原子％的W作为所述元素M。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106868459B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201611127906.5
申请日：2016-12-09
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种溅射靶材，其能够抑制在溅射靶材的机械加工时、焊接工序中的翻转作业等处理中的裂纹的产生。一种溅射靶材，其为相对于金属成分整体，含有20原子％～50原子％的Sn、50原子％～80原子％的Zn的氧化物烧结体，在每1050μm2中，具有超过2.0μm的圆当量直径的孔隙不足1个，优选相对密度的平均值为98.5％以上，更优选其的距平均值的离散度为0.3％以下。
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公开(公告)号：CN106435492A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610653744.2
申请日：2016-08-10
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/086
Abstract: 本发明提供一种氧化物溅射靶材，其能够抑制由氧化物溅射靶材的焊接作业工序、溅射工序中的热处理导致的裂纹的产生。一种氧化物溅射靶材，其金属成分具有如下组成：含有20～50原子％的Sn、余量由Zn和不可避免的杂质组成，22℃～400℃下的断裂弯曲应变为0.24％以上、或200℃下的抗弯强度为130MPa以上，相对密度的平均值优选为98.5％以上，其离散度更优选为0.3％以下。
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公开(公告)号：CN108950490A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810517955.2
申请日：2018-05-25
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/622 , C04B35/457 , C04B35/453
Abstract: 本发明提供一种氧化物靶材及其制造方法，所述氧化物靶材用于形成ZTO薄膜，所述ZTO薄膜为抑制阈值电压的不稳定性的、构成对高精细的显示器等进行驱动的TFT的沟道层的ZTO薄膜。相对于金属成分整体，含有20.0原子％～50.0％原子的Sn，余量由Zn及不可避免的杂质组成，面积10000μm2中的ZnO相的面积率为10.5面积％以下，更优选相对于金属成分整体，含有总计0.005原子％～4.000原子％的Al、Ga、Mo及W中的1种以上。
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公开(公告)号：CN107236877A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710192660.8
申请日：2017-03-28
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供溅射靶材及其制造方法，该溅射靶材为用于减少分割溅射靶中的分割数的长尺寸制品，且在均匀地控制氧化物半导体膜的厚度方面是适宜的。一种溅射靶材，其为相对于金属成分整体含有20～50原子％的Sn、余量为Zn和不可避免的杂质的氧化物烧结体，且该溅射靶材的长边为660mm以上，短边为200mm以上，厚度方向的相对密度的离散度[(最大值‑最小值)/平均值×100](％)为0.4％以下。
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公开(公告)号：CN106868459A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201611127906.5
申请日：2016-12-09
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/086
Abstract: 本发明提供一种溅射靶材，其能够抑制在溅射靶材的机械加工时、焊接工序中的翻转作业等处理中的裂纹的产生。一种溅射靶材，其为相对于金属成分整体，含有20原子％～50原子％的Sn、50原子％～80原子％的Zn的氧化物烧结体，在每1050μm2中，具有超过2.0μm的圆当量直径的孔隙不足1个，优选相对密度的平均值为98.5％以上，更优选其的距平均值的离散度为0.3％以下。
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