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公开(公告)号：CN105937020A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610127385.7
申请日：2016-03-07
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种即使使用矩形条状靶材，也能够扩大因溅射而形成的浸蚀区域，且利用效率高，制造成本低的新靶。该靶是靶材和垫板借助接合件接合而成的，该靶材呈矩形条状，其溅射面及所述溅射面的背面呈平坦的形状，该垫板的与该靶材相接合的面呈平坦的形状，在所述靶材的长边方向两端部且是在所述靶材和所述垫板之间，沿着所述靶材的长边方向两端部的外周部配置板状的分路件，所述靶材及所述垫板借助接合件与所述分路件相接合。
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公开(公告)号：CN104419903B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201410415769.X
申请日：2014-08-21
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供能够稳定地形成能够确保与低电阻的Cu薄膜层的密合性、耐候性、耐氧化性并且进行稳定的湿蚀刻的新型的覆盖层的、新的覆盖层形成用溅射靶材及其制造方法。一种覆盖层形成用溅射靶材，由Cu或Cu合金形成的薄膜层的覆盖层形成用溅射靶材含有总计60原子％以下的Mn 5～25原子％以及选自Mo、Cu和Fe的一种以上元素，余量为Ni和不可避免的杂质，居里点为常温以下。
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公开(公告)号：CN107849689A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042827.6
申请日：2016-07-26
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 提供用以抑制溅射时栅极电极的污染，且形成获得稳定的薄膜晶体管特性的栅极电极的靶材。本发明是一种如下的靶材，其是含有合计50原子％以下的选自由W、Nb、Ta、Ni、Ti、Cr所组成的群组的一种或两种以上的元素M，剩余部分包含Mo及不可避免的杂质的靶材，不可避免的杂质之一的K为0.4质量ppm～20.0质量ppm，且优选为含有10原子％～50原子％的W作为所述元素M。
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公开(公告)号：CN103140600B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201180047007.3
申请日：2011-09-14
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C23C14/14 , B22F3/14 , B22F2998/10 , C22C1/045 , C23C14/3414 , B22F9/20 , B22F9/04
Abstract: 提供可以活用各钼(Mo)原料粉末的特征并且能够高效地得到低氧且高密度的钼靶的制造方法。本发明是一种钼靶的制造方法，其将混合钼粉末A以及钼粉末B而成的混合粉加压烧结，该钼粉末A为还原氧化钼后接着进行破碎而将平均粒径调整为2～15μm的钼粉末，该钼粉末B为以密度6.64×10(kg/m3)以上的钼块状体作为原料，通过粉碎将平均粒径调整为50～2000μm的钼粉末。
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公开(公告)号：CN102756126A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210128871.2
申请日：2012-04-27
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明涉及MoCr靶材的制造方法及MoCr靶材。本发明的目的是提供简单且低成本地、通过不进一步添加第三元素的方法来制造低氧的MoCr靶材的方法以及MoCr靶材。将Mo烧结体粉碎成平均粒径为20～500μm而制成Mo粉末后，在还原性气氛中进行热处理而制成还原处理Mo粉末，将其与Cr原料粉末混合，进行加压烧结。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103173728B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201210553086.1
申请日：2012-12-18
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供可稳定且廉价地提供Mo合金溅射靶材的制造方法以及新型的Mo合金溅射靶材，所述Mo合金溅射靶材是低电阻的，耐热性、耐湿性、与基板的密合性优异，适合为电极和布线膜的高密度、高纯度且非磁性的靶材。所述Mo合金溅射靶材的制造方法中将Mo粉末与1种或2种以上的Ni合金粉末以满足下述组成的方式混合，接着进行加压烧结，所述组成为：含有10~49原子%的Ni、1~20原子%的Nb且Ni和Nb的总量为50原子%以下，余量为Mo以及无法避免的杂质。
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公开(公告)号：CN104419903A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410415769.X
申请日：2014-08-21
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3407
Abstract: 本发明提供能够稳定地形成能够确保与低电阻的Cu薄膜层的密合性、耐候性、耐氧化性并且进行稳定的湿蚀刻的新型的覆盖层的、新的覆盖层形成用溅射靶材及其制造方法。一种覆盖层形成用溅射靶材，由Cu或Cu合金形成的薄膜层的覆盖层形成用溅射靶材含有总计60原子％以下的Mn 5～25原子％以及选自Mo、Cu和Fe的一种以上元素，余量为Ni和不可避免的杂质，居里点为常温以下。
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公开(公告)号：CN103140600A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201180047007.3
申请日：2011-09-14
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C23C14/14 , B22F3/14 , B22F2998/10 , C22C1/045 , C23C14/3414 , B22F9/20 , B22F9/04
Abstract: 本发明提供可以活用各钼(Mo)原料粉末的特征并且能够高效地得到低氧且高密度的钼靶的制造方法。本发明是一种钼靶的制造方法，其将混合钼粉末A以及钼粉末B而成的混合粉加压烧结，该钼粉末A为还原氧化钼后接着进行破碎而将平均粒径调整为2～15μm的钼粉末，该钼粉末B为以密度6.64×10(kg/m3)以上的钼块状体作为原料，通过粉碎将平均粒径调整为50～2000μm的钼粉末。
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公开(公告)号：CN103014638A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210364164.3
申请日：2012-09-26
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供可以改善膜剥离的问题且可以维持低电阻值的MoTi靶材及其制造方法。本发明的MoTi靶材具有含有Ti 20~80原子%且剩余部分由Mo和不可避免的杂质构成的组成，作为所述不可避免的杂质之一的氢为10质量ppm以下。另外，本发明的MoTi靶材可以通过在低于100Pa的压力、800℃以上、0.5小时以上的条件下对MoTi烧结体进行热处理的工序而得到。
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公开(公告)号：CN104212997B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201410239491.5
申请日：2014-05-30
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供能够应对使高清晰的平面显示元件的显示品质提升所需的、电极膜或布线膜中低反射的新要求的Cu‑Mn合金膜和用于形成它的Cu‑Mn合金溅射靶材以及Cu‑Mn合金膜的成膜方法。该Cu‑Mn合金膜如下：将金属成分总体视为100原子％时，金属成分含有32～45原子％的Mn、余量由Cu和不可避免的杂质组成，所述Cu‑Mn合金膜的可见光反射率为30％以下，适合为平面显示元件用的电极膜或布线膜。
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