公开(公告)号：CN107849689A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042827.6

申请日：2016-07-26

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 上滩真史 ,  斉藤和也 ,  玉田悠 ,  上野英

IPC: C23C14/34 ,  C22C27/04 ,  B22F3/14

Abstract: 提供用以抑制溅射时栅极电极的污染，且形成获得稳定的薄膜晶体管特性的栅极电极的靶材。本发明是一种如下的靶材，其是含有合计50原子％以下的选自由W、Nb、Ta、Ni、Ti、Cr所组成的群组的一种或两种以上的元素M，剩余部分包含Mo及不可避免的杂质的靶材，不可避免的杂质之一的K为0.4质量ppm～20.0质量ppm，且优选为含有10原子％～50原子％的W作为所述元素M。

公开(公告)号：CN101161854A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710180108.3

申请日：2007-10-10

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 福冈淳 ,  高岛洋 ,  上野友典 ,  藤本光晴 ,  上野英

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  B22F3/12

CPC classification number: C22C1/0433 ,  B22F2998/10 ,  C23C14/3414 ,  B22F9/082 ,  B22F3/15

Abstract: 本发明涉及一种对用于垂直磁记录媒体的Co－Fe－Zr系合金的软磁性膜进行成膜的Co－Fe－Zr系合金溅射靶材，其目的在于提供一种具有良好的溅射特性的低导磁率的Co－Fe－Zr系合金溅射靶材及其制造方法。是原子比的组成式用(Cox－Fe100－x)100－(Y+Z)－ZrY－MZ、20≤X≤70；2≤Y≤15；2≤Z≤10表示的、所述组成式的M元素为从(Ti、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Si、Al、Mg)中选出的一种或两种以上的元素的溅射靶材；是显微组织中微细分散有由HCP－Co构成的相和以Fe为主体的合金相的溅射靶材。

公开(公告)号：CN105937020A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201610127385.7

申请日：2016-03-07

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 高岛洋 ,  藤本光晴 ,  上野英 ,  上滩真史 ,  陈宏亮 ,  邱建仁

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/35

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明提供一种即使使用矩形条状靶材，也能够扩大因溅射而形成的浸蚀区域，且利用效率高，制造成本低的新靶。该靶是靶材和垫板借助接合件接合而成的，该靶材呈矩形条状，其溅射面及所述溅射面的背面呈平坦的形状，该垫板的与该靶材相接合的面呈平坦的形状，在所述靶材的长边方向两端部且是在所述靶材和所述垫板之间，沿着所述靶材的长边方向两端部的外周部配置板状的分路件，所述靶材及所述垫板借助接合件与所述分路件相接合。

公开(公告)号：CN101161854B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200710180108.3

申请日：2007-10-10

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 福冈淳 ,  高岛洋 ,  上野友典 ,  藤本光晴 ,  上野英

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  B22F3/12

CPC classification number: C22C1/0433 ,  B22F2998/10 ,  C23C14/3414 ,  B22F9/082 ,  B22F3/15

Abstract: 本发明涉及一种对用于垂直磁记录媒体的Co-Fe-Zr系合金的软磁性膜进行成膜的Co-Fe-Zr系合金溅射靶材，其目的在于提供一种具有良好的溅射特性的低导磁率的Co-Fe-Zr系合金溅射靶材及其制造方法。是原子比的组成式用(Cox-Fe100-x)100-(Y+Z)-ZrY-MZ、20≤X≤70；2≤Y≤15；2≤Z≤10表示的、所述组成式的M元素为从(Ti、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Si、Al、Mg)中选出的一种或两种以上的元素的溅射靶材；是显微组织中微细分散有由HCP-Co构成的相和以Fe为主体的合金相的溅射靶材。

公开(公告)号：CN109207941B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201810723639.0

申请日：2018-07-04

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 福冈淳 ,  青木大辅 ,  齐藤和也 ,  上野英

IPC: C23C14/34 ,  C22C27/04 ,  C22C1/04 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14

Abstract: 一种MoNb靶材。【技术问题】提供一种能够解决布线薄膜、电极薄膜的基底膜、覆盖膜上出现的高电阻的问题以及起因于溅射中靶材的表面粗糙度的结节的问题，能够形成低电阻、且适合于获得稳定的TFT特性的平面图像显示装置的MoNb薄膜的靶材。【解決手段】一种MoNb靶材，其具有含有5原子％～30原子％的Nb、余量为Mo和不可避免的杂质的组成，每200000μm2的溅射面中，具有超过70μm的最大长度的Nb相不足1.0个，Nb相的平均圆当量直径优选为15μm～65μm。

公开(公告)号：CN109207941A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810723639.0

申请日：2018-07-04

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 福冈淳 ,  青木大辅 ,  齐藤和也 ,  上野英

IPC: C23C14/34 ,  C22C27/04 ,  C22C1/04 ,  B22F1/00 ,  B22F3/14

Abstract: 一种MoNb靶材。【技术问题】提供一种能够解决布线薄膜、电极薄膜的基底膜、覆盖膜上出现的高电阻的问题以及起因于溅射中靶材的表面粗糙度的结节的问题，能够形成低电阻、且适合于获得稳定的TFT特性的平面图像显示装置的MoNb薄膜的靶材。【解決手段】一种MoNb靶材，其具有含有5原子％～30原子％的Nb、余量为Mo和不可避免的杂质的组成，每200000μm2的溅射面中，具有超过70μm的最大长度的Nb相不足1.0个，Nb相的平均圆当量直径优选为15μm～65μm。