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公开(公告)号：CN111719125A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010200455.3
申请日：2020-03-20
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明涉及Mo合金靶材及其制造方法。本申请提供一种Mo合金靶材，其能够同时达成抑制夹持、接合等操作中的靶材变形、切削工具的刀头磨耗、破损，并且抑制溅射时的异常放电。一种Mo合金靶材，其含有10～49原子％的Ni、1～30原子％的Ti并且Ni和Ti的总量为50原子％以下，余量为Mo以及不可避免的杂质；所述Mo合金靶材的维氏硬度为340～450HV，以9个测定点进行测定而得到的维氏硬度的标准偏差为20HV以下。
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公开(公告)号：CN109207941B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201810723639.0
申请日：2018-07-04
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 一种MoNb靶材。【技术问题】提供一种能够解决布线薄膜、电极薄膜的基底膜、覆盖膜上出现的高电阻的问题以及起因于溅射中靶材的表面粗糙度的结节的问题，能够形成低电阻、且适合于获得稳定的TFT特性的平面图像显示装置的MoNb薄膜的靶材。【解決手段】一种MoNb靶材，其具有含有5原子％～30原子％的Nb、余量为Mo和不可避免的杂质的组成，每200000μm2的溅射面中，具有超过70μm的最大长度的Nb相不足1.0个，Nb相的平均圆当量直径优选为15μm～65μm。
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公开(公告)号：CN109207941A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810723639.0
申请日：2018-07-04
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 一种MoNb靶材。【技术问题】提供一种能够解决布线薄膜、电极薄膜的基底膜、覆盖膜上出现的高电阻的问题以及起因于溅射中靶材的表面粗糙度的结节的问题，能够形成低电阻、且适合于获得稳定的TFT特性的平面图像显示装置的MoNb薄膜的靶材。【解決手段】一种MoNb靶材，其具有含有5原子％～30原子％的Nb、余量为Mo和不可避免的杂质的组成，每200000μm2的溅射面中，具有超过70μm的最大长度的Nb相不足1.0个，Nb相的平均圆当量直径优选为15μm～65μm。
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公开(公告)号：CN111719126A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010200463.8
申请日：2020-03-20
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明涉及Mo合金靶材及其制造方法。本发明提供一种能够同时达成抑制夹持、接合等操作中的靶材变形、切削工具的刀头磨耗、破损，并且抑制溅射时的异常放电的对于FPD等的制造有用的Mo合金靶材。一种Mo合金靶材，其含有10～49原子％的Ni、1～30原子％的Nb并且Ni和Nb的总量为50原子％以下，余量为Mo以及不可避免的杂质；所述Mo合金靶材的维氏硬度为290～460HV，其的偏差[(最大值-最小值)/(最大值+最小值)]×100(％)为20％以下。
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