Mo合金溅射靶材的制造方法以及Mo合金溅射靶材

    公开(公告)号:CN103173728B

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201210553086.1

    申请日:2012-12-18

    Abstract: 本发明提供可稳定且廉价地提供Mo合金溅射靶材的制造方法以及新型的Mo合金溅射靶材,所述Mo合金溅射靶材是低电阻的,耐热性、耐湿性、与基板的密合性优异,适合为电极和布线膜的高密度、高纯度且非磁性的靶材。所述Mo合金溅射靶材的制造方法中将Mo粉末与1种或2种以上的Ni合金粉末以满足下述组成的方式混合,接着进行加压烧结,所述组成为:含有10~49原子%的Ni、1~20原子%的Nb且Ni和Nb的总量为50原子%以下,余量为Mo以及无法避免的杂质。

    覆盖层形成用溅射靶材及其制造方法

    公开(公告)号:CN104419903A

    公开(公告)日:2015-03-18

    申请号:CN201410415769.X

    申请日:2014-08-21

    CPC classification number: C23C14/3407

    Abstract: 本发明提供能够稳定地形成能够确保与低电阻的Cu薄膜层的密合性、耐候性、耐氧化性并且进行稳定的湿蚀刻的新型的覆盖层的、新的覆盖层形成用溅射靶材及其制造方法。一种覆盖层形成用溅射靶材,由Cu或Cu合金形成的薄膜层的覆盖层形成用溅射靶材含有总计60原子%以下的Mn 5~25原子%以及选自Mo、Cu和Fe的一种以上元素,余量为Ni和不可避免的杂质,居里点为常温以下。

    电子部件用金属薄膜以及金属薄膜形成用Mo合金溅射靶材

    公开(公告)号:CN104046947A

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:CN201410090923.0

    申请日:2014-03-12

    Inventor: 村田英夫

    Abstract: 本发明提供耐湿性、耐氧化性得到改善、在与低电阻的主导电膜Al或Cu层叠时即使经过加热工序也能够维持低电阻值的电子部件用金属薄膜以及用于形成其的Mo合金溅射靶材。一种电子部件用金属薄膜,其中,原子比的组成式表示为Mo100-x-y-Nix-Wy、10≤x≤50、10≤y≤40、x+y≤65,余量由无法避免的杂质组成;以及一种金属薄膜形成用Mo合金溅射靶材,其中,原子比的组成式表示为Mo100-x-y-Nix-Wy、10≤x≤50、10≤y≤40、x+y≤65,余量由无法避免的杂质组成。

    电子部件用层叠布线膜以及覆盖层形成用溅射靶材

    公开(公告)号:CN102956158A

    公开(公告)日:2013-03-06

    申请号:CN201210293060.8

    申请日:2012-08-16

    Inventor: 村田英夫

    Abstract: 本发明提供一种使用了如下由Mo合金构成的覆盖层的电子部件用层叠布线膜以及用于形成覆盖层的溅射靶材,其中,所述覆盖层改善耐湿性、耐氧化性,进而在与低电阻的主导电层Al进行层叠时,即使经过加热工序也能维持低电阻值。所述电子部件用层叠布线膜是在基板上形成金属膜的电子部件用层叠布线膜,由以Al为主成分的主导电层和覆盖该主导电层的一面和/或另一面的覆盖层构成,该覆盖层为,原子比的组成式由Mo100-x-y-Nix-Tiy,10≤x≤30、3≤y≤20所表示,余量由不可避免的杂质构成。

    Ag合金膜以及Ag合金膜形成用喷溅靶材

    公开(公告)号:CN1226446C

    公开(公告)日:2005-11-09

    申请号:CN03107912.1

    申请日:2003-03-24

    Inventor: 村田英夫

    CPC classification number: C22C5/06 C23C14/14 C23C14/3414

    Abstract: 本发明公开了作为电子器件用的薄膜使用的Ag合金膜的组成、以及通过溅射法用于制造的靶材。Ag合金膜,实质上由选自Sm、Dy以及Tb的任意一种元素:0.1~0.5原子%;选自Au、Cu中至少一种元素:总量为0.1~1.0原子%;以及Ag和作为偶然含有的杂质的其余部分组成。Ag合金膜,例如可以用作平板型显示装置用的布线膜或反射膜。用于制造Ag合金膜的溅射用靶材,实质上由选自Sm、Dy以及Tb的任意一种元素:0.1~0.5原子%;选自Au、Cu中至少一种元素:总量为0.1~1.0原子%;以及Ag和作为偶然含有的杂质的其余部分组成。

    Ag合金膜以及Ag合金膜形成用喷溅靶材

    公开(公告)号:CN1446941A

    公开(公告)日:2003-10-08

    申请号:CN03107912.1

    申请日:2003-03-24

    Inventor: 村田英夫

    CPC classification number: C22C5/06 C23C14/14 C23C14/3414

    Abstract: 本发明公开了作为电子器件用的薄膜使用的Ag合金膜的组成、以及通过溅射法用于制造的靶材。Ag合金膜,实质上由选自Sm、Dy以及Tb的任意一种元素:0.1~0.5原子%;选自Au、Cu中至少一种元素:总量为0.1~1.0原子%;以及Ag和作为偶然含有的杂质的其余部分组成。Ag合金膜,例如可以用作平板型显示装置用的布线膜或反射膜。用于制造Ag合金膜的溅射用靶材,实质上由选自Sm、Dy以及Tb的任意一种元素:0.1~0.5原子%;选自Au、Cu中至少一种元素:总量为0.1~1.0原子%;以及Ag和作为偶然含有的杂质的其余部分组成。

    层叠布线膜及其制造方法以及Mo合金溅射靶材

    公开(公告)号:CN108242276A

    公开(公告)日:2018-07-03

    申请号:CN201711446069.7

    申请日:2017-12-27

    Inventor: 村田英夫

    Abstract: 本发明涉及一种层叠布线膜及其制造方法以及Mo合金溅射靶材,提供可以对应使高清晰的平面显示元件的显示品质提高所必要的、电极或布线膜的低反射的要求的层叠布线膜及其制造方法、以及用于形成担负低反射的中间膜的Mo合金膜的Mo合金溅射靶材。一种层叠布线膜和用于形成中间膜的Mo合金溅射靶材,所述层叠布线膜具有在透明基板上或在形成了透明膜的透明基板上以膜厚30~70nm形成由Mo合金形成的中间膜、在该中间膜正上方形成比电阻为15μΩ·cm以下的导电膜的层叠结构,从前述透明基板侧测定的可见光反射率为15%以下。

    层叠布线膜和其制造方法以及Ni合金溅射靶材

    公开(公告)号:CN104425416B

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201410459218.3

    申请日:2014-09-10

    Inventor: 村田英夫

    Abstract: 本发明涉及层叠布线膜和其制造方法以及Ni合金溅射靶材。本发明提供能够进行稳定的湿式蚀刻、且能够应对为了提高高精细的平面显示元件的显示品质所需的、电极或布线膜的低反射要求的、新型层叠布线膜、以及提供用于形成作为低反射的中间膜的Ni合金膜的Ni合金溅射靶材。一种层叠布线膜,其具有下述层叠结构:在透明基板上或形成有透明膜的透明基板上形成有包含Ni合金的膜厚为20~100nm的中间膜,直接在该中间膜上形成有电阻率为150μΩcm以下的导电膜,从前述透明基板侧测定的可见光反射率为20%以下。

    电子部件用层叠布线膜和覆盖层形成用溅射靶材

    公开(公告)号:CN105986233A

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201610159285.2

    申请日:2016-03-18

    Inventor: 村田英夫

    CPC classification number: C23C14/3407 C22C19/002 C22C19/005 C22C19/03

    Abstract: 本发明提供电子部件用层叠布线膜和覆盖层形成用溅射靶材,该电子部件用层叠布线膜具有以低电阻的Ag或Cu为导电层、能够在确保密合性、耐候性、耐氧化性的同时稳定地进行高精度的湿法蚀刻的新型覆盖层。一种电子部件用层叠布线膜,其包括由选自Ag、Ag合金、Cu和Cu合金中的一种制成的导电层和至少覆盖该导电层的一个面的覆盖层,所述覆盖层含有5~50原子%的Mo、含有合计为60原子%以下的该Mo和Cu、余量由Ni和不可避免的杂质组成;所述覆盖层可以用含有5~50原子%的Mo、含有合计为60原子%以下的该Mo和Cu、余量由Ni和不可避免的杂质组成、且居里点在常温以下的覆盖层形成用溅射靶材形成。

    电子部件用金属薄膜以及金属薄膜形成用Mo合金溅射靶材

    公开(公告)号:CN104046947B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201410090923.0

    申请日:2014-03-12

    Inventor: 村田英夫

    Abstract: 本发明提供耐湿性、耐氧化性得到改善、在与低电阻的主导电膜Al或Cu层叠时即使经过加热工序也能够维持低电阻值的电子部件用金属薄膜以及用于形成其的Mo合金溅射靶材。[解决手段]一种电子部件用金属薄膜,其中,原子比的组成式表示为Mo100?x?y?Nix?Wy、10≤x≤50、10≤y≤40、x+y≤65,余量由无法避免的杂质组成;以及一种金属薄膜形成用Mo合金溅射靶材,其中,原子比的组成式表示为Mo100?x?y?Nix?Wy、10≤x≤50、10≤y≤40、x+y≤65,余量由无法避免的杂质组成。

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