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公开(公告)号：CN109390236A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810725388.X
申请日：2018-07-04
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，实现了使用薄膜晶体管的半导体装置的高移动度化、高开电流化，且容易控制阈电位，能低成本、高良品率的制造且特性稳定。所述半导体装置具备栅极电极、源极电极和漏极电极，栅极电极与源极电极之间和栅极电极与漏极电极之间具有栅绝缘膜和氧化物半导体通道层，栅绝缘膜存在于栅极电极与氧化物半导体通道层之间，氧化物半导体通道层具备至少含有锌而不含铟的第一氧化物层和至少含有铟的第二氧化物层。该制造方法的条件是，将使第一氧化物层成膜时的氧添加比例设为a、将使第二氧化物层成膜时的氧添加比例设为b时，a大于1.1b小于1.6b。
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公开(公告)号：CN109390236B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201810725388.X
申请日：2018-07-04
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，实现了使用薄膜晶体管的半导体装置的高移动度化、高开电流化，且容易控制阈电位，能低成本、高良品率的制造且特性稳定。所述半导体装置具备栅极电极、源极电极和漏极电极，栅极电极与源极电极之间和栅极电极与漏极电极之间具有栅绝缘膜和氧化物半导体通道层，栅绝缘膜存在于栅极电极与氧化物半导体通道层之间，氧化物半导体通道层具备至少含有锌而不含铟的第一氧化物层和至少含有铟的第二氧化物层。该制造方法的条件是，将使第一氧化物层成膜时的氧添加比例设为a、将使第二氧化物层成膜时的氧添加比例设为b时，a大于1.1b小于1.6b。
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公开(公告)号：CN107026208B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201710009742.4
申请日：2017-01-06
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置提高半导体装置(薄膜晶体管)的特性。半导体装置构成如下：具有形成在基板(SUB)上的栅电极(GE)、在其上面隔着栅绝缘膜(GI)形成的第1金属氧化物半导体膜(MO1)、形成在其上面的第2金属氧化物半导体膜(MO2)、以及形成在其上面的源、漏电极(SD)。并且，使第1金属氧化物半导体膜(MO1)的端部与第2金属氧化物半导体膜(MO2)的端部相比后退。根据这样的构成，能够确保下层的第1金属氧化物半导体膜(MO1)与源、漏电极(SD)的距离。由此，能够防止源、漏电极(SD)与下层的第1金属氧化物半导体膜(MO1)的短路，能够提高晶体管特性。
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公开(公告)号：CN107026208A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710009742.4
申请日：2017-01-06
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置提高半导体装置(薄膜晶体管)的特性。半导体装置构成如下：具有形成在基板(SUB)上的栅电极(GE)、在其上面隔着栅绝缘膜(GI)形成的第1金属氧化物半导体膜(MO1)、形成在其上面的第2金属氧化物半导体膜(MO2)、以及形成在其上面的源、漏电极(SD)。并且，使第1金属氧化物半导体膜(MO1)的端部与第2金属氧化物半导体膜(MO2)的端部相比后退。根据这样的构成，能够确保下层的第1金属氧化物半导体膜(MO1)与源、漏电极(SD)的距离。由此，能够防止源、漏电极(SD)与下层的第1金属氧化物半导体膜(MO1)的短路，能够提高晶体管特性。
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