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公开(公告)号：CN110637366A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201880032261.8
申请日：2018-07-02
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种在陶瓷层中形成有配线层的半导体器件，其能够使半导体开关元件的栅极端子与配线层之间可靠地导通。本发明的半导体器件在形成于绝缘层上的陶瓷层的内部具有配线层，并且具有与半导体开关元件的栅极端子以外的端子连接的金属层，所述半导体开关元件的栅极端子与所述配线层经由用导电材料形成的连接部电连接，与所述金属层相比，所述连接部更加向所述半导体开关元件突出(参照图1)。
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公开(公告)号：CN108605417A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780010364.X
申请日：2017-03-10
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明着眼于机械强度、热传导性等高的氮化硅基板，提供一种发挥其特性、并且能够提高陶瓷层与氮化硅基板的接合性的陶瓷基板以及其制造方法，前述陶瓷层使用能同时与低熔点金属Ag、Cu等低电阻的导体材料烧结的电介质陶瓷。本发明的陶瓷基板是由氮化硅基板和陶瓷层层叠并接合而成的陶瓷基板，并且所述陶瓷层是由电介质陶瓷形成的，前述电介质陶瓷作为主成分含有Mg、Al以及Si，作为副成分含有Bi或B，前述陶瓷层在与前述氮化硅基板的接合界面处具有Si元素浓度高的区域。
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公开(公告)号：CN110637366B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201880032261.8
申请日：2018-07-02
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种在陶瓷层中形成有配线层的半导体器件，其能够使半导体开关元件的栅极端子与配线层之间可靠地导通。本发明的半导体器件在形成于绝缘层上的陶瓷层的内部具有配线层，并且具有与半导体开关元件的栅极端子以外的端子连接的金属层，所述半导体开关元件的栅极端子与所述配线层经由用导电材料形成的连接部电连接，与所述金属层相比，所述连接部更加向所述半导体开关元件突出(参照图1)。
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公开(公告)号：CN1249846C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN01119264.X
申请日：2001-03-27
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01P1/387
Abstract: 一种不可逆电路元件，包括：相互电绝缘且以规定的角度重叠起来的多个中心导体(11a～11c)；与所述中心导体紧密相接或靠近的磁性体(12)；匹配用电容器；为对中心导体(11a～11c)和磁性体(12)施加直流磁场而配置的永久磁铁(3)；以及容纳这些零部件并兼作磁性轭铁的金属盒体(1、2)；至少匹配用电容器由底面实质上平坦的叠层模块(5)一体地构成，所述叠层模块(5)配置在绝缘部件(19)和导体板构成的复合体基板的大致平面上。
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公开(公告)号：CN1720205A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200380105063.3
申请日：2003-12-08
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C04B35/195 , H05K3/46
CPC classification number: C03C3/062 , C04B35/195 , C04B35/6262 , C04B35/632 , C04B35/6342 , C04B2235/3201 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3262 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/3481 , C04B2235/36 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/76 , C04B2235/767 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , H05K1/0306 , Y10T428/24926
Abstract: 一种高强度低温烧成陶瓷组合物，在组织中具有SrAl2Si2O8结晶和Al2O3结晶，SrAl2Si2O8结晶由六方晶SrAl2Si2O8单独构成，或由六方晶SrAl2Si2O8以及单斜晶SrAl2Si2O8构成，在基于Cu－Kα线的X射线衍射测定中，当六方晶SrAl2Si2O8的(101)面的峰值强度为I101，单斜晶SrAl2Si2O8的(002)面的峰值强度为IO02时，由I101/(I101+I002)×100表示的峰值强度比为5％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105706188A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480060848.1
申请日：2014-12-05
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01C7/112 , B32B18/00 , B32B2307/206 , B32B2457/00 , C04B35/453 , C04B35/64 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3263 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/656 , C04B2235/72 , C04B2237/34 , C04B2237/62 , H01C1/14 , H01C17/06546 , H01C17/30 , H05K1/0254 , H05K2201/0738
Abstract: 本发明提供不使用稀土元素而具有充分的特性的氧化锌系变阻器以及使用其的多层基板。所述变阻器用烧结体以氧化锌为主成分，包含以铋(Bi)换算为0.6～3.0mol％的氧化铋、以钴(Co)换算a为0.2～1.4mol％的氧化钴、以铬(Cr)换算为0.1～1.5mol％的氧化铬和以锰(Mn)换算为0.1～1.5mol％的氧化锰，锑(Sb)、稀土元素和锡(Sn)的含量为杂质水平以下。
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公开(公告)号：CN101304960A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200680041431.6
申请日：2006-11-07
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F1/346 , C04B35/2675 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3286 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/764 , H01L23/64 , H01L25/16 , H01L2924/0002 , H01P1/32 , H01P1/36 , H01P1/387 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种多晶陶瓷磁性材料，其特征在于，具有由通式：(Y3－x－y－zBixCayGdz)(Fe5－α－β－γ－εInαAlβVγZrε) O12(其中，以原子比分别为：0.4＜x≤1.5，0.5≤y≤1，0≤z≤0.5，y+z＜1.3，0≤α≤0.6，0≤β≤0.45，0.25≤γ≤0.5，0≤ε≤0.25，和0.15≤α+β≤0.75)表示的基本组成，主要由具有石榴石结构的相构成，可以在850～1050℃的温度下烧成。
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公开(公告)号：CN105706188B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201480060848.1
申请日：2014-12-05
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供不使用稀土元素而具有充分的特性的氧化锌系变阻器以及使用其的多层基板。所述变阻器用烧结体以氧化锌为主成分，包含以铋(Bi)换算为0.6～3.0mol％的氧化铋、以钴(Co)换算a为0.2～1.4mol％的氧化钴、以铬(Cr)换算为0.1～1.5mol％的氧化铬和以锰(Mn)换算为0.1～1.5mol％的氧化锰，锑(Sb)、稀土元素和锡(Sn)的含量为杂质水平以下。
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公开(公告)号：CN100541977C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN03818685.3
申请日：2003-08-07
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H02K3/26
CPC classification number: H02K3/26 , Y10T29/49071
Abstract: 一种层叠线圈，是在由多个绝缘体层构成的层叠体内具有由导体图案形成的线圈构成的多个电极的一体的n相电机用(n为2以上的自然数)的层叠线圈，其特征在于其中具备：在层叠体的外面形成的输入端子和输出端子，连接输入端子与线圈极的第一连接线路，和串联连接同相线圈极的第二连接线路，事先由导体图案形成第一连接线路与第二连接线路，线圈极是在第一连接线路与第二连接线路夹持的多个绝缘体层上形成的。
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公开(公告)号：CN1257574C
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN01801272.8
申请日：2001-04-06
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01P1/387
Abstract: 不可逆电路模块包括：(a)永久磁铁，对磁性体施加直流磁场，(b)组合体，将一端为公共端、另一端为高频信号输入输出端的多个中心导体配置到磁性体上，(c)多个负载电容，形成于具有导体层的多个介质层构成的叠层体中，被连接到中心导体上，(d)第1传输线路，被连接到中心导体的某一个上，以及(e)第2传输线路，与第1传输线路磁耦合；第1传输线路及第2传输线路被叠层形成于叠层体内。在叠层体的大致中央具有容纳组合体的孔部。
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