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公开(公告)号：CN102165107A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980138423.7
申请日：2009-09-28
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: G01T1/202 , C09K11/778 , C30B9/10 , C30B11/00 , C30B11/14 , C30B17/00 , C30B29/10 , C30B29/22 , G21K4/00
Abstract: 本发明的单晶闪烁体材料的制造方法包括：在含有选自Li、Na、K、Rb、Cs中的1种以上、W和/或Mo、B和氧的熔剂中混合Ce化合物和Lu化合物，在800℃以上、1350℃以下的温度中加热而使上述化合物熔融的工序；和通过对熔融的上述化合物进行冷却，使组成式(CexLu1-x)BO3所示且Ce的组成比例x满足0.0001≤x≤0.05的单晶析出成长的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102165107B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN200980138423.7
申请日：2009-09-28
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: G01T1/202 , C09K11/778 , C30B9/10 , C30B11/00 , C30B11/14 , C30B17/00 , C30B29/10 , C30B29/22 , G21K4/00
Abstract: 本发明的单晶闪烁体材料的制造方法包括：在含有选自Li、Na、K、Rb、Cs中的1种以上、W和/或Mo、B和氧的熔剂中混合Ce化合物和Lu化合物，在800℃以上、1350℃以下的温度中加热而使上述化合物熔融的工序；和通过对熔融的上述化合物进行冷却，使组成式(CexLu1-x)BO3所示且Ce的组成比例x满足0.0001≤x≤0.05的单晶析出成长的工序。
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公开(公告)号：CN101688117A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880022953.0
申请日：2008-07-01
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C09K11/778 , C30B9/10 , C30B29/24 , G01T1/202
Abstract: 本发明的单晶闪烁体材料具有以组成式(Ce x Lu 1-x )BO 3 表示、Ce的组成比例x满足0.0001≤x≤0.05的单晶部。
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公开(公告)号：CN105706188A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480060848.1
申请日：2014-12-05
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01C7/112 , B32B18/00 , B32B2307/206 , B32B2457/00 , C04B35/453 , C04B35/64 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3263 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/656 , C04B2235/72 , C04B2237/34 , C04B2237/62 , H01C1/14 , H01C17/06546 , H01C17/30 , H05K1/0254 , H05K2201/0738
Abstract: 本发明提供不使用稀土元素而具有充分的特性的氧化锌系变阻器以及使用其的多层基板。所述变阻器用烧结体以氧化锌为主成分，包含以铋(Bi)换算为0.6～3.0mol％的氧化铋、以钴(Co)换算a为0.2～1.4mol％的氧化钴、以铬(Cr)换算为0.1～1.5mol％的氧化铬和以锰(Mn)换算为0.1～1.5mol％的氧化锰，锑(Sb)、稀土元素和锡(Sn)的含量为杂质水平以下。
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公开(公告)号：CN105706188B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201480060848.1
申请日：2014-12-05
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供不使用稀土元素而具有充分的特性的氧化锌系变阻器以及使用其的多层基板。所述变阻器用烧结体以氧化锌为主成分，包含以铋(Bi)换算为0.6～3.0mol％的氧化铋、以钴(Co)换算a为0.2～1.4mol％的氧化钴、以铬(Cr)换算为0.1～1.5mol％的氧化铬和以锰(Mn)换算为0.1～1.5mol％的氧化锰，锑(Sb)、稀土元素和锡(Sn)的含量为杂质水平以下。
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公开(公告)号：CN101688117B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200880022953.0
申请日：2008-07-01
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C09K11/778 , C30B9/10 , C30B29/24 , G01T1/202
Abstract: 本发明的单晶闪烁体材料具有以组成式(CexLu1-x)BO3表示、Ce的组成比例x满足0.0001≤x≤0.05的单晶部。
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