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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101688117B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200880022953.0
申请日：2008-07-01
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C09K11/778 , C30B9/10 , C30B29/24 , G01T1/202
Abstract: 本发明的单晶闪烁体材料具有以组成式(CexLu1-x)BO3表示、Ce的组成比例x满足0.0001≤x≤0.05的单晶部。
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公开(公告)号：CN115132818A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210257615.7
申请日：2022-03-16
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明提供能够使高品质的碳化硅单晶快速生长的碳化硅单晶的制造方法。碳化硅外延基板(10)包括具有第一面的碳化硅基板(20)和位于第一面的碳化硅外延层(30)，第一面(20a)为(000－1)C面，在碳化硅外延层的上表面(30a)，线状表面缺陷密度小于1.0cm‑2，并且叠层缺陷密度小于1.2cm‑2。
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公开(公告)号：CN102165107A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980138423.7
申请日：2009-09-28
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: G01T1/202 , C09K11/778 , C30B9/10 , C30B11/00 , C30B11/14 , C30B17/00 , C30B29/10 , C30B29/22 , G21K4/00
Abstract: 本发明的单晶闪烁体材料的制造方法包括：在含有选自Li、Na、K、Rb、Cs中的1种以上、W和/或Mo、B和氧的熔剂中混合Ce化合物和Lu化合物，在800℃以上、1350℃以下的温度中加热而使上述化合物熔融的工序；和通过对熔融的上述化合物进行冷却，使组成式(CexLu1-x)BO3所示且Ce的组成比例x满足0.0001≤x≤0.05的单晶析出成长的工序。
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公开(公告)号：CN102165107B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN200980138423.7
申请日：2009-09-28
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: G01T1/202 , C09K11/778 , C30B9/10 , C30B11/00 , C30B11/14 , C30B17/00 , C30B29/10 , C30B29/22 , G21K4/00
Abstract: 本发明的单晶闪烁体材料的制造方法包括：在含有选自Li、Na、K、Rb、Cs中的1种以上、W和/或Mo、B和氧的熔剂中混合Ce化合物和Lu化合物，在800℃以上、1350℃以下的温度中加热而使上述化合物熔融的工序；和通过对熔融的上述化合物进行冷却，使组成式(CexLu1-x)BO3所示且Ce的组成比例x满足0.0001≤x≤0.05的单晶析出成长的工序。
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公开(公告)号：CN101688117A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880022953.0
申请日：2008-07-01
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C09K11/778 , C30B9/10 , C30B29/24 , G01T1/202
Abstract: 本发明的单晶闪烁体材料具有以组成式(Ce x Lu 1-x )BO 3 表示、Ce的组成比例x满足0.0001≤x≤0.05的单晶部。
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