公开(公告)号：CN115832017A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211122844.4

申请日：2022-09-15

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 小西红実子 ,  冲野泰之 ,  广冈泰典

IPC: H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明涉及碳化硅基板及其制造方法，通过提高在碳化硅基板内，将作为导致通电可靠性劣化的缺陷的基底面位错(BPD)转换为作为无害缺陷的贯通刃状位错(TED)的效率，进而防止向基板注入少数载流子，从而提高碳化硅基板的可靠性。在具有SiC基板(1)和依次形成于SiC基板(1)上的作为外延层的第一半导体层(11)、第二半导体层(2)以及漂移层(3)的碳化硅基板中，使第一半导体层(11)的杂质浓度低于SiC基板(1)及第二半导体层(2)的杂质浓度，第二半导体层(2)以高杂质浓度或厚膜形成。

公开(公告)号：CN115132818A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210257615.7

申请日：2022-03-16

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 三浦刚 ,  市川穂高 ,  木村直矢 ,  奥田裕之 ,  广冈泰典

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/34 ,  H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明提供能够使高品质的碳化硅单晶快速生长的碳化硅单晶的制造方法。碳化硅外延基板(10)包括具有第一面的碳化硅基板(20)和位于第一面的碳化硅外延层(30)，第一面(20a)为(000－1)C面，在碳化硅外延层的上表面(30a)，线状表面缺陷密度小于1.0cm‑2，并且叠层缺陷密度小于1.2cm‑2。