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发明公开
碳化硅基板及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN115832017A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211122844.4

申请日：2022-09-15

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 小西红実子 , 冲野泰之 , 广冈泰典

IPC: H01L29/16 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/36

Abstract: 本发明涉及碳化硅基板及其制造方法，通过提高在碳化硅基板内，将作为导致通电可靠性劣化的缺陷的基底面位错(BPD)转换为作为无害缺陷的贯通刃状位错(TED)的效率，进而防止向基板注入少数载流子，从而提高碳化硅基板的可靠性。在具有SiC基板(1)和依次形成于SiC基板(1)上的作为外延层的第一半导体层(11)、第二半导体层(2)以及漂移层(3)的碳化硅基板中，使第一半导体层(11)的杂质浓度低于SiC基板(1)及第二半导体层(2)的杂质浓度，第二半导体层(2)以高杂质浓度或厚膜形成。

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