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公开(公告)号：CN117203762A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202280030858.5
申请日：2022-03-04
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H01L23/40
Abstract: 在电路体中，分别固定在第1半导体模块和第2半导体模块的两面上的冷却构件中的至少一方具有：第1散热区域，其经由热传导构件与所述第1半导体模块抵接；第2散热区域，其经由热传导构件与所述第2半导体模块抵接；以及低刚性部，其在所述第1散热区域和所述第2散热区域之间形成为刚性比所述第1散热区域和所述第2散热区域小，固定构件在所述冷却构件的所述低刚性部，将所述冷却构件固定在所述第1半导体模块和所述第2半导体模块的两面上。
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公开(公告)号：CN116783707A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202180092589.0
申请日：2021-12-24
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明的功率半导体器件的第1功率半导体元件和第2功率半导体元件，在所述第1功率半导体元件的发热量大于所述第2功率半导体元件的发热量的情况下，作为从所述第1功率半导体元件的端部到所述导体板的端部的距离的第1距离大于作为从所述第2功率半导体元件的端部到与所述第2功率半导体元件连接的第2导体板的端部的距离的第2距离。
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公开(公告)号：CN115943554A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202180046154.2
申请日：2021-08-11
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H02M7/48
Abstract: 本发明为一种电力变换装置，其具备：半导体装置；第1水路及第2水路，它们将所述半导体装置夹在中间而在规定的层叠方向上层叠设置；以及连接水路，其连接所述第1水路与所述第2水路，其中，所述连接水路是通过与所述第1水路及所述第2水路接合的接合构件和与所述接合构件为不同个体的盖构件相互接合固定而形成，所述第1水路及所述第2水路与所述接合构件由与所述层叠方向平行的面上形成的接合部加以接合，所述盖构件将所述接合部覆盖而与所述接合构件接合固定。
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公开(公告)号：CN115702482A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202180040316.1
申请日：2021-02-26
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 一种半导体装置，其具备：半导体元件；以及第一导体及第二导体，其隔着Sn系焊料分别与所述半导体元件的第一面和第二面接合，在该半导体装置中，在所述第一导体和所述第二导体的与所述Sn系焊料相对的面、以及所述半导体元件的所述第一面和所述第二面上形成Ni系镀层，在所述Ni系镀层与所述Sn系焊料的界面上形成由(Cu、Ni)6Sn5构成的具有1.2～4.0μm的层厚的界面反应抑制层。
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公开(公告)号：CN109478546B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201780044201.3
申请日：2017-06-30
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明提高接合至电性并联的多个半导体元件的接合线与引线框的接合强度。本发明中，第1接合线(324a)的一端及另一端连接到第1半导体元件(328)的控制电极(332)以及第1引线框部(326)或弯曲部(371)，第2接合线(324b)的一端及另一端连接到第2半导体元件(329)的控制电极(333)以及第2引线框部(327)。第1引线框部(326)从弯曲部(371)朝与第1半导体元件(328)侧相反那一侧沿与第1半导体元件(328)重叠的方向延伸，第2引线框部(329)从弯曲部(371)朝第2半导体元件侧(329)沿与第2半导体元件(329)重叠的方向延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114616661A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080076301.6
申请日：2020-09-29
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明的课题在于对功率半导体装置的散热面的紧贴不充分，散热性能降低这一点。本发明的功率半导体装置使热传导层(5)与电路体(100)的散热面(4a)抵接，使散热构件(7)与电路体(100)的散热面(4a)侧的热传导层(5)的外侧抵接。使固定构件(8)与电路体的与散热面相反的一侧抵接。然后，使连接构件(9)在散热构件和固定构件各自的端部贯穿。图3表示紧固连接构件的螺栓和螺母前的状态，散热构件保持以其中央部向电路体侧凸出的方式弯曲的形状。以夹住电路体的方式，在散热构件和固定构件的两端，紧固地固定连接构件的螺栓和螺母。散热构件弹性变形，散热构件隔着热传导层与电路体的散热面紧贴，从散热构件向散热面施加表面压力。
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公开(公告)号：CN119452458A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380050194.3
申请日：2023-06-07
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明的电子装置包括具有Ni基电极的第一电子部件；以及经由Sn基焊料与Ni基电极接合的第二电子部件，在Ni基电极和Sn基焊料的接合部界面处存在(Cu，Ni，Pd)6Sn5化合物层，在接合后的Sn基焊料的基体相中作为(Pd、Ni)Sn4化合物而存在的Pd含量小于作为(Cu，Ni，Pd)6Sn5化合物层而存在的Pd含量、或为零。
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公开(公告)号：CN112640099B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201980056162.8
申请日：2019-07-26
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能抑制组装效率的降低并提高抗震性的功率半导体装置。本发明的功率半导体装置(1)包括元件设置导体(2)，其由设置功率半导体元件(300)的金属制的第一导体部(20a)、构成一个以上的向功率半导体元件(300)传输电流的主端子(2a)和一个以上的向功率半导体元件(300)传输开关控制信号的控制端子(2b)的金属制的第二导体部(2b)、以及设置在控制端子(2b)的前端部的金属制的第三导体部(20c)构成，元件设置导体(2)形成为第二导体部(20b)最厚部分的厚度比第一导体部(20a)的厚度要薄，且第三导体部(20c)最厚部分的厚度比第二导体部(20b)最薄部分的厚度要薄。
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公开(公告)号：CN116326229A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180068772.7
申请日：2021-09-30
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明涉及一种发热体冷却结构。发热体冷却结构具备：发热体；水路构件，其内部流过制冷剂；以及热传导层，其覆盖所述水路构件的外表面，所述热传导层由比所述水路构件的热传导率高的材料形成，所述热传导层具有：第1区域，其形成于配置有所述发热体的一侧的所述水路构件的所述外表面；以及第2区域，其形成于与配置有所述发热体的一侧相反的一侧的所述水路构件的所述外表面，所述热传导层的所述第1区域和所述第2区域连续形成。
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公开(公告)号：CN113412539A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202080012569.3
申请日：2020-01-15
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明的作为半导体装置的功率半导体模块包括半导体元件(155)、以及与半导体元件(155)相对地配置并经由焊料(162)连接到半导体元件(155)的引线框(318)。引线框(318)具有包含与半导体元件(155)相对的面的顶面(331)、以及与顶面(331)构成规定的角度并且连接到顶面(331)的周缘部(333)的侧面(334)。引线框(318)的顶面包含与焊料(162)相接的焊料面(332)、以及与焊料面(332)相比焊料(162)更难浸润的阻焊面。该阻焊面包围焊料面(332)的周围来形成。由此，当在半导体装置中对半导体元件和引线框进行焊料接合时，能适当地控制焊料浸润扩散的区域。
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