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公开(公告)号：CN118901195A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202380024928.0
申请日：2023-04-13
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明提供一种兼顾散热性的提高和可靠性的提高的半导体模块。半导体模块具备具有直流布线(14‑15)和交流布线(16)的基板(13)以及半导体封装件(50)，所述基板(13)具备：层叠区域(61)；以及连接区域(62)，其是具有与端子连接的端子连接部(63)的区域，所述连接区域(62)具有将多个所述直流布线(14‑15)或所述交流布线(16)相互电连接的第一层叠布线连接部(60)，所述第一层叠布线连接部(60)设置于在所述基板(13)的厚度方向上与所述端子连接部(63)不重叠的位置，在与所述端子所连接的所述基板(13)的表面相反一侧的面上，散热基座(65)配置在至少包含在所述基板(13)的厚度方向上与所述第一层叠布线连接部(60)重叠的位置的范围内。
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公开(公告)号：CN118891815A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380024929.5
申请日：2023-03-16
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H02M7/5387 , H02M1/00
Abstract: 电力变换装置具备多个电路体、布线基板和平滑电容器，所述布线基板具有分别连接多个所述电路体和多个所述平滑电容器的多个层叠布线部以及分别形成在多个所述层叠布线部之间的相间布线部，在所述层叠布线部中，所述正极布线和所述负极布线相互重叠层叠，在所述相间布线部中，多个所述正极布线和多个所述负极布线在所述布线基板的平面上分别分开层叠，所述相间布线部具有沿所述布线基板的厚度方向贯通的通孔。
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公开(公告)号：CN116569476A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180083653.9
申请日：2021-09-29
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H02P21/22
Abstract: 本发明的电动机控制装置与进行从直流功率到交流功率的功率转换的功率转换器连接，对使用所述交流功率驱动的交流电动机的驱动进行控制，其包括：生成三相电压指令的电压指令生成部；和栅极信号生成部，其对所述三相电压指令进行脉冲宽度调制，生成用于控制所述功率转换器的动作的栅极信号，所述电压指令生成部在对应于所述直流功率与所述交流功率的电压振幅比的调制率超过规定的阈值的过调制区域中，使用基于所述交流功率的功率因数的零序电压对所述三相电压指令进行调整，所述栅极信号生成部对经过所述电压指令生成部调整后的所述三相电压指令进行脉冲宽度调制来生成所述栅极信号。
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公开(公告)号：CN115461967A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180031363.X
申请日：2021-01-29
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种兼顾电流传感器的冷却性能的提高和装置整体的小型化的逆变器一体型电动机。逆变器一体型电动机具备：功率模块，其将直流电流变换为交流电流；流路形成体，其以在功率模块中流过制冷剂并覆盖功率模块的方式形成；逆变器，其在内部设置功率模块和流路形成体；电流传感器，其检测交流电流；电动机，其收纳定子和转子，功率模块配置在隔着定子和转子与电动机的旋转轴相对的位置，从旋转轴的垂直方向观察时，电流传感器(13)配置在流路形成体和定子的线圈端部之间，且电流传感器的至少一部分收纳在电动机壳体内。
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公开(公告)号：CN109478546B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201780044201.3
申请日：2017-06-30
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明提高接合至电性并联的多个半导体元件的接合线与引线框的接合强度。本发明中，第1接合线(324a)的一端及另一端连接到第1半导体元件(328)的控制电极(332)以及第1引线框部(326)或弯曲部(371)，第2接合线(324b)的一端及另一端连接到第2半导体元件(329)的控制电极(333)以及第2引线框部(327)。第1引线框部(326)从弯曲部(371)朝与第1半导体元件(328)侧相反那一侧沿与第1半导体元件(328)重叠的方向延伸，第2引线框部(329)从弯曲部(371)朝第2半导体元件侧(329)沿与第2半导体元件(329)重叠的方向延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109005669B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201780020105.5
申请日：2017-01-23
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 存在绝缘的可靠性变低这样的技术问题。从导体层(334)的中心(P)至绝缘构件(333)的边缘部为止的长度(L2)形成得比从导体层(334)的中心(P)至基座构件(307)的突出部(307a)的边缘部为止的长度(L1)长。换言之，突出部(307a)的边缘部的基座端面(308)位于比绝缘构件(333)的边缘部的绝缘构件端面(336)更靠内部侧的位置。进一步地，绝缘构件(333)的绝缘构件端面(336)与导体层的导体层端面(344)在相同位置处形成端面。这样一来，突出部(307a)的边缘部的基座端面(308)位于比绝缘构件(333)的边缘部的绝缘构件端面(336)更靠内部侧的位置，从而能够确保绝缘距离。
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公开(公告)号：CN119452557A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380048840.2
申请日：2023-04-14
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H02M7/48 , H01L23/473 , H05K7/20
Abstract: 本发明的半导体冷却装置包括：多个半导体模块；与所述半导体模块相对应地设置的多个第一制冷剂流路；以及连接到多个所述第一制冷剂流路的一对流路管，多个所述半导体模块分别与多个所述第一制冷剂流路相对，在第一方向上并排配置在基板上，一对所述流路管分别沿所述第一方向延伸，多个所述半导体模块的与多个所述第一制冷剂流路接触的各个散热面配置在与所述第一制冷剂流路的延伸方向和所述多个半导体模块的配置方向交叉的交叉方向上，所述第一制冷剂流路具有能在所述交叉方向上变形的变形部。
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公开(公告)号：CN118525443A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202280087388.6
申请日：2022-12-27
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 半导体装置和具备半导体装置的逆变器的特征在于，正极布线板上的上臂半导体元件和交流布线板通过第1布线构件连接，交流布线板上的下臂半导体元件和负极布线板通过第2布线构件连接，所述交流布线板具有：连接有第1布线构件的第1区域、设置有所述下臂半导体元件的第2区域、连接该2个区域的连接区域，所述连接区域为隔着使用所述第1布线构件及第2布线构件的区域，与所述正极端子及负极端子相反的位置，配置顺序是所述正极布线板、所述负极布线板、所述第1区域、所述第2区域的顺序。
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公开(公告)号：CN116711203A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202180089453.4
申请日：2021-09-30
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H02M7/48
Abstract: 本发明包括：作为电容器元件的端子的正极端子和负极端子；与所述正极端子连接的正极导体板；与所述负极端子连接的负极导体板；以及与这两个导体板连接的功率转换模块，所述正极端子和所述负极端子沿所述电容器元件的排列方向形成，所述正极导体板和所述负极导体板各自的主表面与所述电容器元件的主表面相对地配置，并且形成彼此层叠的层叠导体部，所述层叠导体部具有与所述负极端子的主表面相对地层叠的第一层叠区域、和与所述正极端子的主表面相对地层叠的第二层叠区域。
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公开(公告)号：CN116420304A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202180072655.8
申请日：2021-09-17
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H02M7/48
Abstract: 本发明的功率半导体装置包括：电路板，其在一个面上设置有与高电位侧的所述第一导体连接的正极配线和与低电位侧的第四导体连接的负极配线，在另一个面上与所述正极配线和所述负极配线对置地设置有与第二导体和第三导体连接的输出配线；和第一电容器，其用于使供给到第一上臂电路体和第一下臂电路体的直流电功率平滑化，其中，所述电路板被配置在所述第一上臂电路体与所述第一下臂电路体之间，所述第一电容器被配置在所述第一上臂电路体与所述第一下臂电路体之间，并且与所述电路板上的所述正极配线和所述负极配线连接。
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