公开(公告)号：CN116711203A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180089453.4

申请日：2021-09-30

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 三间彬 ,  德山健 ,  楠川顺平 ,  平尾高志

IPC: H02M7/48

Abstract: 本发明包括：作为电容器元件的端子的正极端子和负极端子；与所述正极端子连接的正极导体板；与所述负极端子连接的负极导体板；以及与这两个导体板连接的功率转换模块，所述正极端子和所述负极端子沿所述电容器元件的排列方向形成，所述正极导体板和所述负极导体板各自的主表面与所述电容器元件的主表面相对地配置，并且形成彼此层叠的层叠导体部，所述层叠导体部具有与所述负极端子的主表面相对地层叠的第一层叠区域、和与所述正极端子的主表面相对地层叠的第二层叠区域。

公开(公告)号：CN118318305A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202280077833.0

申请日：2022-11-25

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 露野円丈 ,  三间彬 ,  金子裕二朗 ,  井出英一

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/498 ,  H01L25/18 ,  H02M7/00 ,  H02M7/5387 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明的半导体模块具备：多个功率半导体元件，它们并列排列；第1导体板和第2导体板，它们分别与所述并列排列的所述多个功率半导体元件的上表面和下表面接合；布线基板，其设置在所述第2导体板上；以及电子部件，其安装在所述布线基板上，用密封构件密封所述多个功率半导体元件、所述第1导体板及所述第2导体板、所述布线基板和所述电子部件，在所述半导体模块中，在位于所述布线基板的上表面侧的所述第1导体板上、在与所述布线基板上的所述电子部件相对的区域形成凹部和贯通孔中的至少一方。

公开(公告)号：CN115136477A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202180014860.9

申请日：2021-01-15

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 荒木隆宏 ,  三间彬 ,  前川典幸

IPC: H02M1/00 ,  H02M7/48

Abstract: 在热敏电阻中流通的电流值增大的情况下，存在热敏电阻中发生的电压降增大、箝位电压产生偏差的问题。本发明的半导体装置具备：开关元件，其受到通断控制；以及浪涌电压保护电路，其连接于所述开关元件的正极侧端子与所述开关元件的控制端子之间，所述浪涌电压保护电路由第1齐纳二极管、第2齐纳二极管以及温度特性补偿元件构成，所述第2齐纳二极管与所述第1齐纳二极管串联，所述温度特性补偿元件的温度系数的极性不同于所述第1齐纳二极管及所述第2齐纳二极管，而且所述温度特性补偿元件并联于所述第2齐纳二极管。

公开(公告)号：CN114946117A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202080093038.1

申请日：2020-10-23

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 三间彬 ,  服部幸男 ,  井出英一

IPC: H02M7/48 ,  H02K11/33

Abstract: 本发明的目的在于在功率变换装置中抑制热集中的发生而且谋求装置的小型化。本发明的功率变换装置(40)具备：功率模块(17)，其将直流电变换为交流电；第1电路基板(功率电路基板)(16)，其具有使直流电平滑化的电容器(31)；以及壳体(20)，其收纳功率模块(17)和第1电路基板(16)；第1电路基板(16)及功率模块(17)中的某一方配置在壳体(20)的具有外壁面(20ba)的侧壁(20b)的内表面(20bb)，另一方配置在与内表面(20bb)具有角度的、壳体(20)的规定内壁面(20a)。