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公开(公告)号：CN111373524B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201880075404.3
申请日：2018-11-05
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Inventor： 露野円丈
Abstract: 本发明实现功率半导体装置的生产率的提高。本发明所涉及的功率半导体装置具备：电路部，其具有传递电流的导体和功率半导体元件；第一基座部及第二基座部，它们隔着所述电路部相互对置；以及传递模塑构件，其与所述导体及所述功率半导体元件接触且填充在所述第一基座部与所述第二基座部之间的空间中，所述第一基座部具有：第一平面部，其与该第一基座部的周缘连接；以及第一弯曲部，其使该第一平面部与该第一基座部的其他部分连接且进行塑性变形，所述传递模塑构件以与所述第一平面部接触的状态一体地构成。
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公开(公告)号：CN116636000A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180081821.0
申请日：2021-09-29
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H01L23/28
Abstract: 本发明的电路体包括：与导体板的一个面接合的功率半导体元件；含有与所述导体板的另一个面接合的绝缘层的片状构件；密封构件，该密封构件在所述片状构件的与接合到所述导体板的面相反的面露出的状态下整体地密封所述片状构件和所述导体板和所述功率半导体元件；以及冷却构件，该冷却构件经由热传导构件粘接到所述片状构件的所述相反的面，在所述片状构件露出的所述密封构件的表面上，比所述片状构件更靠外周侧地沿着所述片状构件的外缘形成凹部。
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公开(公告)号：CN118318305A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202280077833.0
申请日：2022-11-25
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/498 , H01L25/18 , H02M7/00 , H02M7/5387 , H02M1/00
Abstract: 本发明的半导体模块具备：多个功率半导体元件，它们并列排列；第1导体板和第2导体板，它们分别与所述并列排列的所述多个功率半导体元件的上表面和下表面接合；布线基板，其设置在所述第2导体板上；以及电子部件，其安装在所述布线基板上，用密封构件密封所述多个功率半导体元件、所述第1导体板及所述第2导体板、所述布线基板和所述电子部件，在所述半导体模块中，在位于所述布线基板的上表面侧的所述第1导体板上、在与所述布线基板上的所述电子部件相对的区域形成凹部和贯通孔中的至少一方。
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公开(公告)号：CN117203762A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202280030858.5
申请日：2022-03-04
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H01L23/40
Abstract: 在电路体中，分别固定在第1半导体模块和第2半导体模块的两面上的冷却构件中的至少一方具有：第1散热区域，其经由热传导构件与所述第1半导体模块抵接；第2散热区域，其经由热传导构件与所述第2半导体模块抵接；以及低刚性部，其在所述第1散热区域和所述第2散热区域之间形成为刚性比所述第1散热区域和所述第2散热区域小，固定构件在所述冷却构件的所述低刚性部，将所述冷却构件固定在所述第1半导体模块和所述第2半导体模块的两面上。
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公开(公告)号：CN111587528B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201880086160.9
申请日：2018-12-11
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H02M7/48 , H01L23/473 , H01L23/48 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本发明的课题在于提高功率半导体装置的可靠性。本发明为一种功率半导体装置，具备：半导体元件；第1端子及第2端子，所述第1端子及第2端子向所述半导体元件传输电流；第1基座及第2基座，所述第1基座及第2基座夹持所述第1端子的一部分、所述第2端子的一部分以及所述半导体元件且互相相对地配置；以及密封材料，其被设置于所述第1基座与所述第2基座之间的空间内，所述第2端子具有中间部，所述中间部以沿着从所述半导体元件离开的方向而使与所述第1端子的距离变大的方式形成，所述中间部设置于所述第1基座与所述第2基座之间并且设置于所述密封材料内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113016068B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201980074753.8
申请日：2019-11-08
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18 , H02M7/48
Abstract: 半导体模块(900)包括：具备具有第一、第二连接部(810)的第一、第二翅片基底(800)、以及对第一导体(410)至第四导体(413)的外周侧面进行密封的树脂(850)的半导体装置(300)；以及连接到第一、第二翅片基底(800)的第一、第二连接部(810)的流路形成体(600)，半导体模块(900)具有被塑性变形成使得第一、第二连接部(810)的外周端部(810a)之间的厚度方向的间隔小于第一、第二连接部(810)的中间部(804)之间的厚度方向的间隔的第一塑性变形部(801)，树脂(850)填充在第一、第二翅片基底(800)的第一、第二连接部(810)之间。
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公开(公告)号：CN112335043B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201980040086.1
申请日：2019-06-19
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明提高集电极感测的电压的检测精度。本发明的功率模块(300)具有连接有构成上臂电路和下臂电路的多个有源元件(317、315)的第1导体(410)及第2导体(411)。此外，功率模块(300)具有：交流侧端子(320B)，其从一边(301a)突出；正极侧端子(315B)及负极侧端子(319B)，它们从另一边(301b)突出；中间电极部(414)，其连接第1导体(410)与第2导体(411)；以及集电极感测线路(452a)，其通过感测连接部(415)连接有源元件(157)的集电极与第1导体(410)。中间电极部(414)配置在离交流侧端子(320B)最近的有源元件(157)附近，感测连接部(415)配置在离交流侧端子(320B)最远的有源元件(157)附近。
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公开(公告)号：CN118489152A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202280081881.7
申请日：2022-12-15
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 半导体装置具备：多个电路体，其具有半导体元件；一对散热构件，其从其两面夹持所述多个电路体；第1热传导构件，其配置在所述散热构件的一方与所述多个电路体的一个面之间；以及第2热传导构件，其配置在所述散热构件的另一方与所述多个电路体的另一面之间，所述第1热传导构件到剥离为止的伸长率具有比所述第2热传导构件到剥离为止的伸长率大的伸长率。
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公开(公告)号：CN114846599A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080086874.7
申请日：2020-11-27
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 树脂材料(336)配置在由散热片基座(440)、罩构件(340)的倾斜部(343)和配置在最外周侧的最外周散热片(334)围成的第一区域(421)内。而且，使树脂材料(336)溢出第一区域(421)。即，树脂材料(336)配置在第一区域(421)内。在与制冷剂的流动方向(Y方向)垂直的截面中，第一区域(421)的截面积比相邻的散热片(331)之间的平均截面积(423)大。而且，在配置于第一区域(421)内的树脂材料(336)和配置于最外周侧的最外周散热片(334)之间形成的第二区域(422)的截面积比散热片间的平均截面积(423)小。
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公开(公告)号：CN114207810A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080056375.3
申请日：2020-08-14
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/18 , H01L25/07 , H02M1/00
Abstract: 本发明的电气回路体使用具有树脂绝缘层(441)和金属箔(442)的片材状构件(440)。片材状构件(440)跟随第2导体板(431)、第4导体板(433)的翘曲、阶差而变形，由此能将树脂绝缘层(441)的厚度设为能确保绝缘性的例如120μm的规定厚度。通过使例如厚度120μm的金属类导热构件(450)介于片材状构件(440)与冷却构件(340)之间进行塑性变形，从而使金属类导热构件(450)的厚度变化，并吸收第2导体板(431)、第4导体板(433)所产生的翘曲、阶差。由此，与仅通过绝缘层将导体板与冷却构件(340)相接的情况相比，散热性显著提高。
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